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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 推動(dòng)碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布:公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所(簡(jiǎn)稱中科院電工所)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開(kāi)展基于碳化硅(Si...

2019-06-11 標(biāo)簽:CISSOID中科院碳化硅 4.3k 0

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲...

2023-04-07 標(biāo)簽:芯片碳化硅 4.3k 0

第三代半導(dǎo)體行業(yè)拐點(diǎn)已至,瀚薪獨(dú)創(chuàng)整合型碳化硅JMOSFET結(jié)構(gòu)技術(shù)

? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體目前主...

2021-02-01 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體碳化硅 4.3k 0

成功打入博世、英飛凌供應(yīng)鏈,國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底收獲期來(lái)臨

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近期國(guó)內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單,4月底,天岳先進(jìn)在2022年年報(bào)中披露去年公司與博世集團(tuán)簽署了長(zhǎng)期協(xié)議,公...

2023-05-06 標(biāo)簽:碳化硅 4.3k 0

碳化硅原理用途及作用是什么

碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結(jié)構(gòu)單元Si...

2023-06-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅 4.2k 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)特性及應(yīng)用分析

對(duì)于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會(huì)增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...

2022-11-28 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 4.2k 0

SiC晶體具有哪些特性

碳化硅(SiC)在設(shè)計(jì)大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅,開(kāi)發(fā)者們對(duì)SiC材料的物理特性還有性能有較多的認(rèn)識(shí),這種高性能化合物半導(dǎo)體的被廣泛采用,但在應(yīng)用中如...

2022-04-16 標(biāo)簽:電子器件SiC碳化硅 4.2k 0

半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎

半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎? 半導(dǎo)體是指一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電學(xué)特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性介于金屬導(dǎo)體和非金屬絕緣體之間。半導(dǎo)體材料通常是由含有補(bǔ)償雜質(zhì)...

2023-08-27 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體晶體管 4.2k 0

Cree將投資10億美元 擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

2019年5月7日,美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美...

2019-05-10 標(biāo)簽:Cree碳化硅 4.2k 0

碳化硅和二氧化硅之間穩(wěn)定性的刻蝕選擇性

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磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來(lái)蝕刻對(duì)二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產(chǎn)需要完全去除Si3N4,同...

2022-02-15 標(biāo)簽:裝置碳化硅刻蝕 4.2k 0

功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案

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功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開(kāi)關(guān)...

2023-11-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT分立器件 4.2k 0

碳化硅PCB:新能源汽車的最佳選擇

隨著國(guó)家政策的扶持,車聯(lián)網(wǎng)及智能駕駛汽車逐步推廣。并且全球主要國(guó)家禁售燃油車進(jìn)程加快,新能源汽車替代燃油車已成大勢(shì)所趨。2017年9月8日至10日,在天...

2020-12-11 標(biāo)簽:新能源汽車pcb碳化硅 4.2k 0

上海市政府就中科鋼研先進(jìn)晶體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽訂合作協(xié)議

為了構(gòu)筑新時(shí)代戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì),更好地服務(wù)改革發(fā)展大局,國(guó)務(wù)院國(guó)資委與上海市政府深化合作共同推進(jìn)落實(shí)國(guó)家戰(zhàn)略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行,上海市委書(shū)...

2019-09-16 標(biāo)簽:碳化硅 4.2k 0

替代IGBT的碳化硅還面臨著哪些挑戰(zhàn)?

隨著汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的崛起,2021年新賣出的車輛中,電動(dòng)汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額。據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)預(yù)估,到2030年電動(dòng)汽車的份額將超過(guò)30%,上路的電動(dòng)汽車...

2021-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT碳化硅 4.2k 0

什么是SiC MOSFET?

什么是SiC MOSFET?

碳化硅,或SiC,作為一種半導(dǎo)體材料,正在逐漸嶄露頭角,廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù),碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semi...

2023-09-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體材料 4.2k 0

碳化硅模塊以及難點(diǎn)解析

碳化硅模塊以及難點(diǎn)解析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)幾乎與電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)同步,碳化硅器件的發(fā)展也在近十多年間高速發(fā)展。作為第三代半導(dǎo)體,采用碳化硅材料所制造的半導(dǎo)體器件在電氣特...

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英飛凌發(fā)布2021財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)創(chuàng)下新紀(jì)錄

英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財(cái)年第四季度及全年業(yè)績(jī)。

2021-11-12 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵碳化硅 4.2k 0

半導(dǎo)體設(shè)備廠商邑文科技開(kāi)啟上市輔導(dǎo)

近日,證監(jiān)會(huì)公開(kāi)披露了無(wú)錫邑文微電子科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“邑文科技”)的首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告。海通證券已經(jīng)與邑文科技簽訂了相關(guān)的上市輔導(dǎo)...

2024-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 4.2k 0

纖維增強(qiáng)復(fù)合材料在性能和比重上的優(yōu)勢(shì)分析

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以Meta 60全系后蓋采用的玻纖復(fù)合材料為例,玻纖楊氏模量和密度介于板材和玻璃之間。常規(guī)玻纖板比重為1.9-2.0g/cm3,模量大概為30GPa;輕...

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碳化硅的發(fā)現(xiàn)將會(huì)成為更高效的半導(dǎo)體材料

在功率電子學(xué)中,半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì)高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報(bào)...

2019-11-04 標(biāo)簽:電力電子碳化硅 4.2k 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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