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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案布局加速！廣汽等4家企業(yè)采用

2024年以來，包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用

2024-01-29 標(biāo)簽：SiC dcdc轉(zhuǎn)換器碳化硅 4.2k 0

派恩杰黃興：碳化硅行業(yè)將在2022年上量爬坡，派恩杰率先上“車”

? 歲末年初之際，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2022半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到超過60家國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次，電子發(fā)燒友特別采訪了派恩...

2021-12-27 標(biāo)簽：碳化硅派恩杰 4.2k 0

浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬片

2018年，中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 4.2k 0

集成電路訂單突破億級(jí)，2019年海特高新營(yíng)業(yè)收入同比增加55.52%

海特高新發(fā)布2019年業(yè)績(jī)快報(bào)稱，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入80,187.88萬元，較上年同期增加55.52%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)7,549.26萬元，...

2020-02-29 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 4.1k 0

全球氮化鎵巨頭納微半導(dǎo)體更換CEO

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會(huì)已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025...

2025-08-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 4.1k 0

碳化硅：第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通...

2023-04-21 標(biāo)簽：碳化硅射頻器件 4.1k 0

蘋果已通知供應(yīng)商，iPhone 13需求已經(jīng)減弱；博世宣布12月啟動(dòng)碳化硅芯片量產(chǎn)……

豐田擬在華推新電動(dòng)汽車采用比亞迪電池和工程技術(shù) ? 據(jù)外媒報(bào)道，豐田汽車公司將于明年底在中國(guó)推出一款全電動(dòng)小型轎車，該公司已向當(dāng)?shù)睾献骰锇楸葋喌蠈で箨P(guān)...

2021-12-05 標(biāo)簽：智能手機(jī)蘋果碳化硅 4.1k 0

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這...

2023-02-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器特斯拉 4k 0

海外大廠調(diào)低2024營(yíng)收預(yù)期，碳化硅市場(chǎng)增長(zhǎng)到頂了？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年年初SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要廠商在公布2023年業(yè)績(jī)時(shí)，都對(duì)2024年的市場(chǎng)作出了預(yù)測(cè)，其中大部分都對(duì)增長(zhǎng)預(yù)期較為樂觀。不過今...

2024-05-15 標(biāo)簽：英飛凌意法半導(dǎo)體 SiC 4k 0

安徽微芯嘉定中試基地啟動(dòng)，計(jì)劃生產(chǎn)4英寸2150片；6英寸240片

1月30日，安徽微芯長(zhǎng)江半導(dǎo)體材料有限公司嘉定中試基地啟動(dòng)儀式在中科院上海硅酸鹽研究所舉行。據(jù)悉，該基地2021年計(jì)劃目標(biāo)為生產(chǎn)4英寸2150片；6英...

2021-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 4k 0

中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國(guó)擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷

據(jù)青島日?qǐng)?bào)報(bào)道，中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示，將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖，以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn)，確保本年9月份竣工投產(chǎn)。

2020-03-17 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 4k 0

國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247...

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碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。（2）SiC功...

2024-03-04 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件 SiC 3.9k 0

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù)

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MO...

2023-06-02 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 3.9k 0

中國(guó)氮化嫁（GaN）代表企業(yè)及業(yè)務(wù)

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料，興起于二十世紀(jì)五十年代，帶動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...

2023-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.9k 0

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡(jiǎn)稱“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)...

2020-12-03 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 3.9k 0

從碳化硅模塊看特斯拉核心芯片選型策略

同時(shí)，結(jié)合浸淫多年的多管并聯(lián)技術(shù)，特斯拉可以在其電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，按照不同的功率等級(jí)選擇不同數(shù)量的TPAK并聯(lián)，并根據(jù)不同的效率和成本要求選擇碳化硅M...

2022-04-13 標(biāo)簽：芯片特斯拉碳化硅 3.9k 0

合肥露笑半導(dǎo)體已購(gòu)置第一期項(xiàng)目工業(yè)用地，預(yù)計(jì)3月底前主體廠房結(jié)頂

集微網(wǎng)消息，1月19日，露笑科技公布，近日，公司接到多位投資者咨詢電話和互動(dòng)易平臺(tái)的提問，詢問關(guān)于合肥露笑半導(dǎo)體材料有限公司的進(jìn)展情況。為使投資者及時(shí)、...

2021-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 3.9k 1

阿里達(dá)摩院將GaN列為科技趨勢(shì)之首我們來介紹一下晶能光電

12月28日，阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì)，為后疫情時(shí)代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測(cè)。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎...

2020-12-30 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 3.9k 0

董明珠：格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3.9k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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