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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅(SiC)功率器件封裝:揭秘三大核心技術(shù)

碳化硅(SiC)功率器件封裝:揭秘三大核心技術(shù)

在全球汽車電動(dòng)化的浪潮下,汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的功率電子器件作為汽車電動(dòng)化的核心部件,成為了車企和電機(jī)控制器Tire1企業(yè)關(guān)注的熱點(diǎn)。車用功率模塊已從硅基IG...

2024-08-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4.5k 0

如何通過燃料電池堆棧將氫能轉(zhuǎn)換成電能

同時(shí)氫的“熱”能量約為汽油的3倍,可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效、清潔、可持續(xù)的“零碳”,更適用于大卡車、巴士、以及大型輪船等長距離移動(dòng)出行工具。

2022-02-17 標(biāo)簽:傳感器半導(dǎo)體碳化硅 4.5k 0

安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

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2024-12-15 標(biāo)簽:安森美碳化硅 4.5k 0

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列,并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的...

2019-01-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅Kelvin 4.5k 0

第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)?

日前,阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同?為何...

2021-01-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 4.5k 0

半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

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與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、...

2021-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.4k 0

SiC晶圓劃片工藝:速度提升100倍,芯片增加13%

SiC晶圓劃片工藝:速度提升100倍,芯片增加13%

近日,一家日本廠商發(fā)布了一種全新的SiC晶圓劃片工藝,與傳統(tǒng)工藝相比,這項(xiàng)技術(shù)可將劃片速度提升100倍,而且可以幫助SiC廠商增加13%的芯片數(shù)量。

2023-11-21 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 4.4k 0

碳化硅MOS管與MOS管有何差異?碳化硅有什么優(yōu)勢?

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碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通...

2023-09-27 標(biāo)簽:二極管MOS管碳化硅 4.4k 0

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大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有...

2018-04-23 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅sicmosfet 4.4k 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

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現(xiàn)在,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求,這讓這兩個(gè)行...

2022-07-28 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.4k 0

解決電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn),碳化硅借勢而起

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)在政策利好與自然資源緊張的驅(qū)使下,電動(dòng)汽車的發(fā)展步入了正軌。隨著電動(dòng)汽車基礎(chǔ)配套設(shè)施的不斷完善,以及技術(shù)的成熟,電動(dòng)汽車在近...

2022-02-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅碳化硅MOSFET 4.4k 0

Cree宣布將投資10億美元用于擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用碳化硅的優(yōu)勢來驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不...

2019-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車Cree碳化硅 4.4k 0

Cree將于2021年底正式更名為Wolfspeed

Cree是碳化硅(SiC)領(lǐng)域的龍頭。Cree Wolfspeed產(chǎn)品組合包括了碳化硅(SiC)材料、功率器件、射頻器件,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、快速充電、...

2021-03-03 標(biāo)簽:Cree功率器件碳化硅 4.4k 0

采用800V輸入汽車逆變器的應(yīng)急電源解決方案

在電動(dòng)汽車的牽引逆變器中,供電分為12V低壓電源和400/800V高壓供電。其中高壓供電送至牽引逆變器,進(jìn)行DC-AC逆變,產(chǎn)生三相交流電,驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)...

2021-06-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 4.3k 0

長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂

據(jù)公告介紹,該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。

2020-10-13 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4.3k 0

華為問界M9發(fā)布,搭載鴻蒙系統(tǒng),售價(jià)46.98萬元至56.98萬元

問界M9有兩種動(dòng)力配置:純電版和增程版,配備華為高端駕駛輔助系統(tǒng)、智能燈光控制系統(tǒng)、業(yè)界最大的車載投影屏幕、第四代增程技術(shù)平臺(tái)、高壓800V碳化硅平臺(tái)、...

2023-12-27 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)碳化硅問界 4.3k 0

深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣...

2018-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 4.3k 0

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。

2022-04-07 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體碳化硅 4.3k 0

碳化硅降本關(guān)鍵:晶體制備技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,襯底是價(jià)值量最大的部分,在碳化硅器件成本構(gòu)成中襯底甚至能夠占近50%,相比之下,硅基半導(dǎo)體器件的成本構(gòu)成...

2024-01-21 標(biāo)簽:襯底碳化硅第三代半導(dǎo)體 4.3k 0

剖析新型混合動(dòng)力控制管理系統(tǒng)

先進(jìn)的混合動(dòng)力總成管理控制系統(tǒng)通常面臨著高度復(fù)雜的需求,本文評(píng)述了新材料解決方案和互聯(lián)技術(shù)將如何提升系統(tǒng)效率,以及如何實(shí)現(xiàn)具有較強(qiáng)預(yù)測功能的管理過程。 ...

2021-08-09 標(biāo)簽:內(nèi)燃機(jī)碳化硅電驅(qū)動(dòng) 4.3k 0

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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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