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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2533個(gè) 瀏覽:50469 帖子:38個(gè)

碳化硅資訊

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究報(bào)告:市場(chǎng)空間、未來(lái)展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理

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近年來(lái),隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng),硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯,如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體檢測(cè)SiC 1.9萬(wàn) 0

新增訂單約83.6億元,中微公司2023年凈利潤(rùn)預(yù)增45%

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1月14日,中微公司(SH688012)發(fā)布《2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告》。中微公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元,較2022年增加約15.2億元,同...

2024-01-19 標(biāo)簽:MEMS技術(shù)TSV碳化硅 1043 0

高壓快充充電樁產(chǎn)業(yè) 碳化硅材料模塊或成必由之路

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為適應(yīng)未來(lái)大功率高壓快充發(fā)展趨勢(shì),主流車(chē)企及充電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)開(kāi)始布局大功率快充樁。但高壓快充對(duì)充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求,在設(shè)備方面亟需采用...

2024-01-17 標(biāo)簽:SiC充電樁碳化硅 2253 0

半導(dǎo)體資料丨鈮酸鋰光子集成電路、碳化硅光子應(yīng)用、ACL蝕刻

半導(dǎo)體資料丨鈮酸鋰光子集成電路、碳化硅光子應(yīng)用、ACL蝕刻

硅襯底上的高度規(guī)?;?GaN 互補(bǔ)技術(shù) 本文報(bào)道了GaN互補(bǔ)技術(shù)(CT)在硅襯底上的擴(kuò)展到 突破了電路級(jí)應(yīng)用的性能極限。高度縮放的自對(duì)準(zhǔn)(SA)p溝道F...

2024-01-16 標(biāo)簽:集成電路碳化硅ACL 1508 0

GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期,大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

2024-01-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1171 0

一文了解碳化硅(SiC)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)技術(shù)

一文了解碳化硅(SiC)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)技術(shù)

SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個(gè)間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機(jī)光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻...

2024-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.0萬(wàn) 0

國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

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國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研...

2024-01-12 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 4088 0

今日看點(diǎn)丨消息稱(chēng)華為 P70 標(biāo)準(zhǔn)版手機(jī)測(cè)試麒麟 9000S 處理器;日本DISCO研發(fā)新型晶圓切割機(jī),碳化硅切割速度

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1. 印度數(shù)據(jù)中心公司Yotta 訂購(gòu)10 億美元的英偉達(dá)AI 芯片 ? 印度數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商Yotta計(jì)劃從其合作伙伴英偉達(dá)(Nvidia)購(gòu)買(mǎi)更多價(jià)值...

2024-01-12 標(biāo)簽:處理器晶圓華為 1604 0

安森美2023年在工業(yè)領(lǐng)域的成就

前不久,我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車(chē)方案。在2023年,安森美還發(fā)布了多項(xiàng)全新工業(yè)產(chǎn)品和解決方案,使我們能夠不斷將創(chuàng)新和愿景付諸...

2024-01-12 標(biāo)簽:安森美SiC碳化硅 1035 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

共讀好書(shū) 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳...

2024-01-17 標(biāo)簽:新能源功率氮化鎵 992 0

瀚天天成科創(chuàng)板IPO受理!碳化硅外延片收入三年漲近13倍,募資超35億擴(kuò)產(chǎn)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,瀚天天成電子科技(廈門(mén))股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):瀚天天成)科創(chuàng)板IPO成功獲上交所受理,保薦機(jī)構(gòu)為中金公司。 瀚天天成...

2024-01-11 標(biāo)簽:ipo碳化硅外延片 4997 0

平煤神馬集團(tuán)與乾晶半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作,推進(jìn)半導(dǎo)體碳化硅材料研發(fā)

中宜創(chuàng)芯,即河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司,成立于2023年,注冊(cè)資本金為3億。它由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資控股集團(tuán)聯(lián)合出資組建,主營(yíng)高品質(zhì)碳化硅...

2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)SiC碳化硅 1589 0

英飛凌 | SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里

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低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用,包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用 在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類(lèi)型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率(5...

2024-01-09 標(biāo)簽:IGBT碳化硅 536 0

納設(shè)智能與中信證券簽署A股上市輔導(dǎo)協(xié)議,助力高成長(zhǎng)企業(yè)進(jìn)軍資本市場(chǎng)

據(jù)了解,深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司成立于2018年,位于廣東省深圳市光明區(qū)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園區(qū);其以推動(dòng)中國(guó)先進(jìn)材料制造為己任,專(zhuān)注于研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及推...

2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅智能裝備 1388 0

博世科技亮相2024年國(guó)際消費(fèi)電子展助力消費(fèi)者實(shí)現(xiàn)能源的可持續(xù)利用

無(wú)論是面向移動(dòng)出行或家居生活,博世都在積極推動(dòng)其技術(shù)的電氣化進(jìn)程以及可持續(xù)能源利用相關(guān)的解決方案,并將氫能視為滿(mǎn)足全球能源需求且實(shí)現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵因素。

2024-01-09 標(biāo)簽:燃料電池電動(dòng)車(chē)定時(shí)器 981 0

2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣,機(jī)構(gòu)投資整體更理性...

2024-01-09 標(biāo)簽:融資碳化硅第三代半導(dǎo)體 2776 1

百家跨國(guó)公司看中國(guó)丨意法半導(dǎo)體曹志平:持續(xù)完善在華產(chǎn)業(yè)鏈部署

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來(lái)源:21經(jīng)濟(jì)網(wǎng) 作者:駱軼琪 在化合物半導(dǎo)體發(fā)展熱潮下,歐洲半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ST”)的動(dòng)向備受關(guān)...

2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體能源汽車(chē)碳化硅 719 0

車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案

車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案

車(chē)用SiC碳化硅的五大難點(diǎn)和應(yīng)對(duì)方案近年來(lái),包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體器件在汽車(chē)上的應(yīng)用比例與日俱增。但在專(zhuān)業(yè)人士看來(lái),這并不會(huì)是一個(gè)簡(jiǎn)單的事情。一以...

2024-01-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體新能源車(chē)碳化硅 1260 0

天津大學(xué)納米中心石墨烯研究取得新進(jìn)展

特異的二維材料石墨烯,由于其狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為零帶隙特性,至今仍是諸多科學(xué)家們面對(duì)的挑戰(zhàn)。然而,馬雷教授領(lǐng)軍的科研團(tuán)隊(duì),在對(duì)外延石墨烯生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行精...

2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體石墨烯碳化硅 1159 0

2023年國(guó)內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過(guò)去的2023年里,國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破,8英寸進(jìn)展神速,同時(shí)三安和天...

2024-01-08 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅 4488 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    G3-PLC
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