硅襯底上的高度規(guī)?；?GaN 互補技術(shù)

本文報道了GaN互補技術(shù)（CT）在硅襯底上的擴展到

突破了電路級應(yīng)用的性能極限。高度縮放的自對準（SA）p溝道FinFET（鰭寬度為20 nm）實現(xiàn)了?300 mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創(chuàng)下了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的III族氮化物p-FET的記錄。

高密度鈮酸鋰光子集成電路

在這里，我們證明了類金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優(yōu)越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密限制、低損耗波導的制造，損耗低至4dB/m。與廣泛使用的脊形波導相比，這種方法受益于一個數(shù)量級以上的更高面積集成密度，同時保持高效的電光調(diào)制、低損耗，并為高效的光纖接口提供了一種途徑。

碳化硅的新型光子應(yīng)用

碳化硅（SiC）因其獨特的光子特性而在新型光子應(yīng)用中迅速崛起，這得益于納米技術(shù)的進步，如納米制造和納米膜轉(zhuǎn)移。本文將首先介紹碳化硅的特殊光學性質(zhì)。然后，討論了一種關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，即絕緣體上碳化硅疊層（SiCOI），它為高質(zhì)量因數(shù)和低體積光學腔中的緊密光約束和強光SiC相互作用奠定了堅實的基礎(chǔ)。

稀有氣體對二氧化硅薄膜ACL蝕刻選擇性的影響

在本研究中，我們研究了在具有低頻（2MHz）偏置源的電感耦合等離子體系統(tǒng)中，四氟甲烷/全氟環(huán)丁烷/Ar/He氣體混合物中的Ar/He混合比對等離子體參數(shù)、SiO2蝕刻動力學和相對于非晶碳層（ACL）掩模的蝕刻選擇性的影響。研究發(fā)現(xiàn)，主要載氣的類型確實通過離子通量和CFx/F比的變化來影響輸出工藝特性，從而決定等離子體聚合能力。特別是，富氦等離子體在ACL掩模的表面處理和SiO2/ACL蝕刻選擇性方面表現(xiàn)出更好的性能。

關(guān)鍵詞：互補、FinFET、氮化鎵、GaN-on-Si、n-FET、p通道場效應(yīng)晶體管（p-FET）、縮放、自對準（SA）、晶體管、碳化硅、綜合光子學、非晶碳層、電感耦合等離子體蝕刻、離子輔助蝕刻、低頻偏置功率、鈮酸鋰、光子集成電路

審核編輯 黃宇