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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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? 【DT半導體】獲悉，2月21日，晶盛機電接受機構(gòu)調(diào)研時表示，在半導體行業(yè)持續(xù)復蘇的背景下，下游客戶逐步規(guī)劃實施擴產(chǎn)，公司原有8-12英寸大硅片設(shè)備市...
STGAP3S系列具備快速去飽和保護和靈活的米勒鉗位功能，專為工業(yè)和能源應用設(shè)計。這款柵極驅(qū)動器具有高CMTI，能夠滿足現(xiàn)今對電流能力和保護功能的最新要...
環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定
近日，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底，盡管2025...
香港科技大學陳敬教授課題組公布氮化鎵與碳化硅領(lǐng)域多項最新研究成果
? 半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉： 香港科技大學電子與計算機工程系陳敬教授課題組 ，在第70屆國際電子器件大會（IEEE International Electro...
英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)2...
BASiC Semiconductor(基本股份)作為APF有源濾波器行業(yè)產(chǎn)品升級首選的國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊供應商，傾佳電子楊茜從技術(shù)、市場、供...
聞泰科技榮獲2024行家極光獎年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎
近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK...
理想汽車自研碳化硅芯片及電驅(qū)動總成量產(chǎn)下線
近日，理想汽車宣布了一項重要的技術(shù)突破與量產(chǎn)成果。其自主研發(fā)的碳化硅功率芯片已經(jīng)順利完成裝機，標志著理想汽車在半導體核心技術(shù)的自主研發(fā)上取得了關(guān)鍵進展。...
BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項
在橋式電路中，國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結(jié)（SJ）MOSFET具有顯著優(yōu)勢，但也需注意技術(shù)細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
近日，中國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代，為中國航天事業(yè)以及相關(guān)...
長飛先進武漢基地總投資逾200億,預計5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線
? 春節(jié)過后，位于武漢新城的長飛先進武漢基地正加緊建設(shè)。這座總投資超200億元的超大項目在極短時間內(nèi)拔地而起，目前已進入設(shè)備安裝調(diào)試階段，預計今年5月實...
逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...
5G電源應用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢，并做損耗...
6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計算
傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC（內(nèi)置3KW DC/DC ）應用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超結(jié)MOSFET O...
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入...
在日常生活中，我們對手機、電腦、電視等電子設(shè)備習以為常，享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過，這些設(shè)備正常運行的背后，是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案...
隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展，為AI處理器提供高效、可靠的電源供應，成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應對這一挑戰(zhàn)，打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。
光伏MPPT設(shè)計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點跟蹤（MPPT）設(shè)計中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
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