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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(三):SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
森國(guó)科碳化硅二極管助力“中國(guó)芯”創(chuàng)新發(fā)展
近日,由電子研習(xí)社主辦的《第三屆國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)》成功舉辦,現(xiàn)場(chǎng)邀請(qǐng)了千余名半導(dǎo)體領(lǐng)域的資深教授講師和各大知名企業(yè)CEO、高管及工程師們共聚于此,聚焦...
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅(SiC)逆變器
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾/美國(guó)Bare–2022年6月23日– 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advance...
近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn),開啟了博世和...
近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。
2022-06-21 標(biāo)簽:芯片功率半導(dǎo)體碳化硅 1181 0
碳化硅MOSFETs進(jìn)入量產(chǎn)階段 碳化硅(SiC)功率器件提供更高的開關(guān)效率,非常適合高溫和中高壓應(yīng)用(1,2)。因此,它們有望在未來十年刺激1000 ...
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū),相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極(Emitter)。背面 P+ 區(qū)域定義...
富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(二):碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方...
2022-06-16 標(biāo)簽:富昌電子SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 11.0萬 0
新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET(M1H),首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。
2022-06-14 標(biāo)簽:英飛凌驅(qū)動(dòng)器封裝 2008 0
新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一,在動(dòng)力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提升續(xù)航里程的...
尋找理想的體內(nèi)發(fā)光生物標(biāo)志物是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)樾枰獫M足嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):生物標(biāo)志物應(yīng)該(I)無毒和生物惰性,(ii)光穩(wěn)定,即不發(fā)光,iii)不顯示發(fā)光的...
碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資,廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資
6月7日,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資,由廣汽資本、潤(rùn)峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪...
第三代半導(dǎo)體制造材料碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)空間廣闊,制造材料銷售額占比不斷提高。全球半導(dǎo)體材料銷售額規(guī)模不斷上升,2015 年至 2019 年復(fù)合增長(zhǎng)率為 4.8%;中國(guó)大陸半導(dǎo)體...
富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
? ? 隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅(SiC)器件與模塊,在需求的不斷拉動(dòng)下,成本逐年降低, 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用得到了極大的加速。其中,新能源汽車,可再...
2022-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 8239 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)目前碳化硅在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用如火如荼,今年以來,可以看到包括蔚來ET7、比亞迪E3.0平臺(tái)、小鵬G9等都已經(jīng)采用碳化硅器件...
2022-05-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅蔚來汽車 3298 0
如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成
第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間(SCWT),或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的極長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁有...
Qorvo推出新一代1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (S...
IC效率高達(dá)98.3%!業(yè)界首款集成1700V SiC MOSFET!PI新款氮化鎵IC和碳化硅器件有何過人之處?
(電子發(fā)燒友原創(chuàng)? 文/章鷹)近日,美國(guó)Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī),第一季度的營(yíng)業(yè)收入為1.821...
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),在PCIM Europe展會(huì)發(fā)布全球首款To-Leadless(TOL...
賽力斯華為智選SF5宣布調(diào)漲2萬元 星鏈推出便攜功能
近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示,科研人員通過優(yōu)化生長(zhǎng)工藝,進(jìn)一步解決了多型相變問題,持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量,成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體,...
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