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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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《碳化硅的抗宇宙射線能力》 半導(dǎo)體器件在其整個(gè)生命周期中都會受到核粒子輻射。這種輻射源自于高能宇宙粒子撞擊大氣層外圍,并通過傳播與核反應(yīng)在低海拔處形成核...
該工作中,研究者們選取了3C相(立方相)碳化硅中廣泛存在的層錯(cuò)結(jié)構(gòu)作為研究對象。通過旋轉(zhuǎn)樣品,電子顯微鏡可以從側(cè)面觀測碳化硅的層錯(cuò)缺陷,從而在空間上區(qū)分...
與傳統(tǒng)材料相比,第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,因此,其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、...
2021-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4148 0
英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。...
斯達(dá)半導(dǎo)投資建設(shè)全碳化硅功率模組產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
可行性分析:2020年下半年,歐洲新能源汽車市場呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,中國新能源汽車月產(chǎn)銷量屢創(chuàng)新高,各國紛紛加強(qiáng)戰(zhàn)略謀劃、強(qiáng)化政策驅(qū)動,加速發(fā)展新能源汽車。
第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)?
日前,阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同?為何...
泰科天潤項(xiàng)目:力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)
據(jù)長沙晚報(bào)報(bào)道,位于湖南瀏陽經(jīng)開區(qū)(高新區(qū))的泰科天潤項(xiàng)目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產(chǎn)線春節(jié)前投產(chǎn)。 據(jù)報(bào)道,如今90%的生產(chǎn)設(shè)備已到位,大部分設(shè)備處于...
基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資,打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
全系碳化硅分立器件、模塊產(chǎn)品分別依據(jù)AEC-Q101、AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行可靠性測試,產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到驗(yàn)證遵循汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),打造車規(guī)級質(zhì)量水平。
阿里達(dá)摩院將GaN列為科技趨勢之首 我們來介紹一下晶能光電
12月28日,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢,為后疫情時(shí)代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎...
詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)
摘要:簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用...
基于簡單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長
雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H-SiC襯底的同質(zhì)外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上,這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...
碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開始布局。
碳化硅功率模塊以及電控的設(shè)計(jì)、測試與系統(tǒng)評估
前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2019年底,臻...
2020-12-24 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)功率模塊碳化硅 1330 0
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器如何充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
在過去的幾十年中,半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)采取了許多措施來改善基于硅 MOSFET (parasitic parameters),以滿足開關(guān)轉(zhuǎn)換器(開關(guān)電源)設(shè)計(jì)...
2020-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源碳化硅 2246 0
隨著國家政策的扶持,車聯(lián)網(wǎng)及智能駕駛汽車逐步推廣。并且全球主要國家禁售燃油車進(jìn)程加快,新能源汽車替代燃油車已成大勢所趨。2017年9月8日至10日,在天...
英飛凌推出CoolSiC? CIPOS? Maxi,全球首款采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅IPM
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET,以提高系統(tǒng)可靠性,優(yōu)化PC...
第三代半導(dǎo)體主要是指碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料。相比于第一、二代半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。...
Transphorm推出基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案
Transphorm驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達(dá)10千瓦,這進(jìn)一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。
2020-12-07 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 1077 0
從0到1,及早規(guī)劃布局搶入第三代半導(dǎo)體賽道
龍頭企業(yè)引領(lǐng)作用呈裂變趨勢,園區(qū)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈體系不斷完善,同時(shí)也促進(jìn)產(chǎn)業(yè)服務(wù)配套企業(yè)加速聚集。今年4月7日,泉州芯谷南安分園區(qū)迎來了智澤南福咨詢...
2020-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高新技術(shù)碳化硅 1999 0
天岳科技簽訂首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議
值得一提的是,天眼查APP顯示,截至目前,天岳科技共完成四輪融資,分別于2019年12月及今年5月和8月獲得三次股權(quán)融資,投資方包括海通新能源、深創(chuàng)投、...
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