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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

國(guó)內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造

隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃浮出水面,第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過(guò)430億元,碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)...

2020-12-03 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅三安集成 1175 0

同光晶體完成融資,將用于6英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

國(guó)投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示,第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“同光晶體”)完成A輪融資,投資方包括:國(guó)投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實(shí)...

2020-12-03 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 3548 0

瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體 華為旗下哈勃科技接連投資三家潛力企業(yè)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)于坤山曾對(duì)媒體表示,2019年,第三代半導(dǎo)體進(jìn)入發(fā)展的快車(chē)道,2020年是中國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展一個(gè)關(guān)鍵的窗口期。汽...

2020-12-03 標(biāo)簽:華為碳化硅5G 9844 0

碳化硅功率模塊在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中應(yīng)用的情況分析

無(wú)論在消費(fèi)、工業(yè)還是汽車(chē)領(lǐng)域,目前氮化鎵都已有了成熟應(yīng)用的案例。英諾賽科銷(xiāo)售副總裁陳鈺林指出,在快充和激光雷達(dá)領(lǐng)域,氮化鎵已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了千萬(wàn)級(jí)別的出貨,英偉...

2020-11-30 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體IGBT 4273 0

捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專(zhuān)利4件

11月30日,捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱(chēng),晶閘管是2019年占公司總營(yíng)收49%的產(chǎn)品,由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整,今年預(yù)計(jì)占營(yíng)收的比重在40%左右,...

2020-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 2763 0

英國(guó)政府撥出22億元幫助運(yùn)營(yíng)商更換華為5G設(shè)備;需求強(qiáng)勁、訂單飽滿,中芯國(guó)際漲價(jià)…

11月26日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,此前,英國(guó)宣布禁止華為參與該國(guó)5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè),但這一禁令會(huì)給運(yùn)營(yíng)商造成巨大損失。為此,英國(guó)政府承諾撥出2.5億英鎊(約合...

2020-11-27 標(biāo)簽:碳化硅華為5G 2874 0

碳化硅器件的分類(lèi)及典型應(yīng)用

碳化硅器件的分類(lèi)及典型應(yīng)用

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2020-11-23 標(biāo)簽:電力電子器件器件碳化硅 9666 0

浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬(wàn)片

2018年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)在杭州灣新區(qū)。目前,該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶(hù)認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...

2020-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3851 0

三種碳化硅的主要制備方法

三種碳化硅的主要制備方法

目前碳化硅單晶的制備方法主要有:物理氣相傳輸法(PVT);頂部籽晶溶液生長(zhǎng)法(TSSG);高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。其中TSSG法生長(zhǎng)晶體尺寸...

2020-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.7萬(wàn) 0

精進(jìn)電動(dòng)深耕商用車(chē)市場(chǎng),獲大眾商用車(chē)批量訂單

作為中國(guó)新能源電機(jī)系統(tǒng)的領(lǐng)軍企業(yè),在成功獲得一汽、上汽、東風(fēng)、北汽、吉利等乘用車(chē)品牌青睞后,精進(jìn)電動(dòng)又繼續(xù)深耕商用車(chē)市場(chǎng)。

2020-11-19 標(biāo)簽:控制器碳化硅商用車(chē) 1230 0

英飛凌簽約GT Advanced Technologies,擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)

英飛凌科技股份公司與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。

2020-11-13 標(biāo)簽:英飛凌光伏逆變器碳化硅 1177 0

深圳市納設(shè)智能裝備有限公司完成了數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資

納設(shè)智能成立于2018年10月,坐落在深圳市光明區(qū)留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)園,近期已通過(guò)國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)初步認(rèn)定。公司擁有一支包括頂級(jí)科學(xué)家在內(nèi)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),致力于第...

2020-11-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體石墨烯碳化硅 5787 0

智能功率模塊助力業(yè)界加速邁向基于碳化硅(SiC)的電動(dòng)汽車(chē)

本文討論了在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中選擇CISSOID三相全橋1200V SiC MOSFET智能功率模塊(IPM)體系所帶來(lái)的益處,尤其表現(xiàn)在該...

2020-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率轉(zhuǎn)換器功率模塊 2386 1

貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議 分銷(xiāo)碳化硅電源產(chǎn)品組合

SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開(kāi)關(guān)性能,可以簡(jiǎn)化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì),非常適合用于光伏逆變器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

2020-11-04 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管碳化硅 632 0

碳化硅器件在車(chē)載充電機(jī)OBC上的應(yīng)用

車(chē)載充電機(jī)的輸入端,以標(biāo)準(zhǔn)充電接口的形式固定在車(chē)體上,用于連接外部電源。車(chē)載充電機(jī)的輸出端,直接連接動(dòng)力電池包慢充電接口。中華人民共和國(guó)汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《Q...

2020-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)充電機(jī)碳化硅 3859 0

Microchip推出最新一代汽車(chē)用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)

Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車(chē)電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠...

2020-11-02 標(biāo)簽:microchip碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1869 0

由鉆石構(gòu)成的行星,那將是多么誘人哦

在最新研究中,美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)的科研人員通過(guò)實(shí)驗(yàn)室內(nèi),在高壓環(huán)境下加熱碳化硅,對(duì)鉆石行星的可能形成過(guò)程進(jìn)行了研究,并證明了其可能的形成方法確實(shí)可行。

2020-10-23 標(biāo)簽:碳化硅行星 2136 0

天科合達(dá)終止科創(chuàng)板IPO進(jìn)程,年產(chǎn)12萬(wàn)片6英寸碳化硅晶片也泡湯了

10月16日,上交所發(fā)布“關(guān)于終止對(duì)北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市審核的決定”,決定終止對(duì)其首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的審核。

2020-10-21 標(biāo)簽:晶片碳化硅 1.3萬(wàn) 0

東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料,與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比,具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性,有利于降低功耗...

2020-10-20 標(biāo)簽:MOSFET光伏逆變器碳化硅 1874 0

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

文章來(lái)源:電子技術(shù)設(shè)計(jì) 作者:廖均 電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器...

2020-10-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電源SiC 1.7萬(wàn) 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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