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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計(jì)第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)...

2022-04-11 標(biāo)簽:碳化硅 681 0

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問(wèn)題

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問(wèn)題

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)...

2025-04-25 標(biāo)簽:封裝測(cè)試SiC碳化硅 675 0

電動(dòng)汽車碳化硅市場(chǎng)規(guī)模和發(fā)展

  電動(dòng)汽車碳化硅可以提高電動(dòng)汽車的動(dòng)力性能,減少汽車的油耗,提高汽車的續(xù)航能力,減少汽車的噪音,提高汽車的可靠性,減少汽車的維護(hù)成本,提高汽車的安全性...

2023-02-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅 675 0

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊,賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸,而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì),成為理想選擇。基本半導(dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...

2025-06-19 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 674 0

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech...

2025-05-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 673 0

為何電動(dòng)汽車公司對(duì)碳化硅芯片情有獨(dú)鐘?

碳化硅芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)的硅材料更高的導(dǎo)電性和更強(qiáng)的熱穩(wěn)定性。這種材料可以承受高溫、高電壓和高頻率等極端環(huán)境,因此在電動(dòng)汽車的控制系...

2023-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車特斯拉驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 670 0

20億美元!又一企業(yè)或?qū)U(kuò)建碳化硅工廠

外媒表示,Wolfspeed此次融資表明,即使在資本市場(chǎng)有一定地位的大公司,也發(fā)現(xiàn)通過(guò)私人信貸融資會(huì)更有吸引力。據(jù)知情人士透露,Wolfspeed這種方...

2023-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 666 0

電動(dòng)汽車用碳化硅模塊

與類似的硅器件相比,碳化硅技術(shù)提供了卓越的開關(guān)和改進(jìn)的熱性能。這轉(zhuǎn)化為更高的效率、更高的功率密度、更好的電磁干擾 (EMI) 以及減小的系統(tǒng)尺寸和重量。

2022-08-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器碳化硅 666 0

貝思科爾邀您碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測(cè)試大會(huì)

貝思科爾邀您碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測(cè)試大會(huì)

碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測(cè)試大會(huì)將于2024年6月26-28日在無(wú)錫錫山舉行,貝思科爾將攜功率器件測(cè)試解決方案亮相本次大會(huì),誠(chéng)摯歡迎您的到來(lái)。活動(dòng)以“穿...

2024-06-18 標(biāo)簽:測(cè)試半導(dǎo)體功率器件 665 0

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...

2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 663 0

傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用

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傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...

2025-10-09 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 662 0

碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 661 0

11.3.2 直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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11.3.2直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)11.3電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的電力電子學(xué)第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:...

2022-04-20 標(biāo)簽:碳化硅 661 0

電動(dòng)汽車中的碳化硅半導(dǎo)體

今天開關(guān)的選擇多種多樣:IGBT 因其低傳導(dǎo)損耗而在非常高的功率下受到青睞,而 MOSFET 在中低功率下占主導(dǎo)地位,其快速開關(guān)可最大限度地減少相關(guān)組件...

2022-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT碳化硅 659 0

9.3.4 dv/dt觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

9.3.4 dv/dt觸發(fā)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

9.3.4dv/dt觸發(fā)9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGA...

2022-03-29 標(biāo)簽:碳化硅 659 0

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國(guó)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體...

2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 658 0

傾佳電子工頻與高頻UPS技術(shù)路線深度研究:SiC器件應(yīng)用價(jià)值與發(fā)展趨勢(shì)

傾佳電子工頻與高頻UPS技術(shù)路線深度研究:SiC器件應(yīng)用價(jià)值與發(fā)展趨勢(shì)

不間斷電源(UPS)是數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域中不可或缺的電力保障基礎(chǔ)設(shè)施。其核心功能在于在市電異常時(shí),提供穩(wěn)定、可靠、高質(zhì)量的電力...

2025-09-16 標(biāo)簽:UPS功率器件碳化硅 658 0

使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能效

使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能效

服務(wù)器電源、不間斷電源 (UPS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用消耗了全球很大一部分電力。因此,工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。結(jié)合更高的功...

2022-08-08 標(biāo)簽:SiC碳化硅 654 0

傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng)

傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng)

傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng) 引言:迎接1000-1100V系統(tǒng)架構(gòu)的挑戰(zhàn) 隨著電動(dòng)汽車快充、可再生能源和工業(yè)自...

2025-10-11 標(biāo)簽:SiC電力電子系統(tǒng)碳化硅 651 0

英飛凌與Resonac簽署新采購(gòu)合作單,重點(diǎn)布局碳化硅

當(dāng)?shù)貢r(shí)間12日,英飛凌宣布,正在擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商合作,已與Resonac簽署一份新采購(gòu)合作長(zhǎng)單,補(bǔ)充并擴(kuò)大了雙方2021年簽訂的合同。

2023-02-02 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅 649 0

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