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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

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英飛凌碳化硅市占率劍指30%!

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至2023整個財年,英飛凌預(yù)計營收將達到約155億歐元(±5億歐元)。如果營收為預(yù)測區(qū)間的中點,則調(diào)整后的毛利潤率預(yù)計將達到45%左右,利潤率在25%左...

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安森美11月電源在線直播亮點前瞻

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),將主辦一系列面向工程師的電源在線直播,以提高他們的電源設(shè)計敏銳性,從而...

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碳化硅賽道持續(xù)升溫,哪些資本參與了基本半導(dǎo)體的D輪融資?

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2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體芯片設(shè)計 606 0

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東芝兩款全新碳化硅(SiC)MOSFET雙模塊---MG600Q2YMS3和 MG400V2YMS3前者額定電壓為1200V,額定漏極電流為600A;后...

2024-12-17 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 604 0

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根據(jù)Global Info Research項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球碳化硅電力電子產(chǎn)值達到12580百萬美元,2024-2030年期間年復(fù)合...

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中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍圖

超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...

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2025-11-17 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅安世半導(dǎo)體 602 0

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逆勢而上,第三代半導(dǎo)體碳化硅在2023年大放異彩

擴產(chǎn)和市場落地火熱也快速體現(xiàn)在相關(guān)公司業(yè)績中。無論是國際巨頭還是國內(nèi)A股上市公司,2023年與碳化硅相關(guān)的業(yè)績都出現(xiàn)了較快成長態(tài)勢。

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本文是作者2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會”演講稿第二部分,第一部分請見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)》。英飛...

2025-05-19 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體碳化硅 591 0

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傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 以下基于BMF240R12E2...

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如何突破功率半導(dǎo)體器件性能天花板?

碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...

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2025-01-23 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 589 0

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低質(zhì)量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機產(chǎn)業(yè)升級的SiC碳化...

2025-04-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 589 0

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電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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