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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

SK為擴(kuò)大業(yè)務(wù),擬4.5億美元收購美國杜邦的碳化硅晶圓業(yè)務(wù)

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2019-09-11 標(biāo)簽:碳化硅 4.9k 0

車規(guī)級MCU是“專用型”還是“通用型”更具發(fā)展前景

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2023年將成為碳化硅在新能源汽車市場的一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)

我國新能源汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,為寬禁帶半導(dǎo)體的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量應(yīng)用數(shù)據(jù)樣本。 《中國電子報(bào)》記者在采訪時(shí)了解到,寬禁帶半導(dǎo)...

2021-06-28 標(biāo)簽:芯片新能源汽車IGBT 4.9k 0

火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局

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隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場。在巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我...

2021-05-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4.8k 0

使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起

如典型的寬禁帶SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可顯著降低運(yùn)行成本和...

2019-04-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

2023年開年融資金額超20億!國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)鏈逐漸完整,汽車、儲能產(chǎn)品落地

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近年來,SiC功率器件的大規(guī)模上車,國內(nèi)外廠商的SiC襯底、器件的產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目也在加速推進(jìn)。例如業(yè)界龍頭Wolfspeed...

2023-02-21 標(biāo)簽:融資碳化硅汽車 4.8k 0

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2019-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

ST為smart精靈#1提供先進(jìn)的STPOWER 碳化硅(SiC)MOSFET芯片

smart現(xiàn)已完成品牌、產(chǎn)品及商業(yè)模式的全面煥新,其新一代純電動(dòng)車家族的首位成員——smart精靈#1在中國上市后收獲了廣大用戶的支持與青睞,并已于9月...

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2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 4.8k 0

第三代半導(dǎo)體市場前景良好,將催生上萬億元潛在市場

在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會(huì)專家紛紛表示,近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)...

2020-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

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本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進(jìn)...

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羅姆碳化硅方案在新能源汽車上的應(yīng)用

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近日,鄭州航空港實(shí)驗(yàn)區(qū)管委會(huì)、中國航天科技集團(tuán)第九研究院第七七一研究所、達(dá)維多企業(yè)管理有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。

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電子發(fā)燒友 網(wǎng)報(bào)道(文 / 劉靜) 6 月 26 日,深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司(以下簡稱: 志橙半導(dǎo)體)創(chuàng)業(yè)板 IPO 申請獲受理。 志橙半導(dǎo)體...

2023-06-29 標(biāo)簽:碳化硅志橙半導(dǎo)體 4.7k 0

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國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研...

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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表,其物理特性,如寬禁帶、高臨界電場和高熱導(dǎo)率,從根本上超越了傳統(tǒng)硅(Si)基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)...

2025-08-30 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 4.7k 0

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青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行

1月18日,青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地奠基儀式在深圳坪山舉行。 青銅劍第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地是深圳市2020年重大項(xiàng)目,預(yù)計(jì)2022年底完工。該基地將作為...

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科銳宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場對碳化硅(SiC)的需求持續(xù)增長,國內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10億美...

2019-05-08 標(biāo)簽:科銳碳化硅 4.7k 0

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