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標簽 > 第三代半導(dǎo)體

第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個階段。

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第三代半導(dǎo)體簡介

  半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發(fā)展經(jīng)歷了三個階段:

  第一代材料是硅,以硅(Si)和鍺(Ge )為代表,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。

  第二代材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵( GaP )為代表,目前的大部分通信設(shè)備的材料。

  第三點材料以氮化鎵( GaN)、碳化硅( SiC)、金剛石為代表 ,未來5G時代的標配。

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第三代半導(dǎo)體知識

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隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大...

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第三代半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊

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