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標(biāo)簽 > 米勒電容
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LED驅(qū)動(dòng)電源ic U6113的特點(diǎn)和應(yīng)用有哪些
LED體積更小，亮度更高，可以輕松應(yīng)用在移動(dòng)電源、戶外電源以及手機(jī)、顯示器背光等各種燈光照明場(chǎng)景。
開(kāi)關(guān)電源芯片U6113設(shè)計(jì)助力EMI系統(tǒng)性能優(yōu)化
開(kāi)關(guān)電源芯片把開(kāi)關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中，作用當(dāng)然是來(lái)簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、提高可靠性的。
MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析
本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)...
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開(kāi)始下降，但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 9861 0
射頻設(shè)計(jì)的同學(xué)可能都會(huì)接觸到一個(gè)很關(guān)鍵的詞，就是ACLR，什么是ACLR?
2023-10-10 標(biāo)簽：濾波器SAW射頻設(shè)計(jì) 5275 0
使開(kāi)環(huán)增益下降到0dB時(shí)所對(duì)應(yīng)的總相移小于180度。（2）或總相移達(dá)到180度時(shí)所對(duì)應(yīng)的開(kāi)環(huán)增益小于0dB。
如何使用米勒電容對(duì)運(yùn)算放大器補(bǔ)償？
米勒電容（Miller capacitance）通常用于運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ小?/p>
2023-09-18 標(biāo)簽：電容器電壓放大器運(yùn)算放大器 4172 0
MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管體二極管 704 0
IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
通過(guò)了解MOS管的的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時(shí)也稱為總柵極電荷?？倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
由于存在物理學(xué)定律，電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對(duì)此無(wú)能為力，所以自熱離子真空管問(wèn)世以來(lái)，電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會(huì)了通過(guò)開(kāi)發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪?lái)解決這些問(wèn)題。
2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器FET 1257 0
在器件的手冊(cè)中，會(huì)給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進(jìn)去的電容，MOS管導(dǎo)通時(shí)的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)。
VBW：用雙音信號(hào)測(cè)試得到的交調(diào)開(kāi)始急劇惡化時(shí)的雙音間隔。在雙音測(cè)試系統(tǒng)里面，定義當(dāng)在工作頻率點(diǎn)，輸入雙音信號(hào)，隨著雙音間隔的變大，當(dāng)出現(xiàn)左右兩邊的IM...
對(duì)MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析
MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 標(biāo)簽：MOS管米勒電容驅(qū)動(dòng)電壓 2859 0
如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢越o柵極電壓的過(guò)程就是給電容充電的過(guò)程。
米勒效應(yīng)是什么？MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎？
從t1時(shí)刻開(kāi)始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于...
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