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米勒電容

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米勒電容技術(shù)

什么叫米勒電容？對MOSFET有何作用

什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？

2019-05-12 標(biāo)簽：MOSFET MOS管米勒電容 2.3萬 0

全面認(rèn)識MOS管，一篇文章就夠了

今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管 FET 2.1萬 2

MOS管的米勒電容及CCS電流源模型

在器件的手冊中，會給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進(jìn)去的電容，MOS管導(dǎo)通時(shí)的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)。

2023-01-19 標(biāo)簽：MOS管晶體管 CCS 1.7萬 0

如何使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷

總結(jié)一下，對于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通，在0V關(guān)斷的情況下，可以使用米勒鉗位來抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí)，如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話，加...

2022-05-12 標(biāo)簽：電阻 IGBT 米勒電容 1.1萬 0

如何快速的清除IGBT寄生米勒電容問題呢？

通常情況下，為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生，國內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容，第二是通過使用負(fù)門極驅(qū)動。如果...

2018-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器 IGBT 米勒電容 1.0萬 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 驅(qū)動電流 9861 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

2023-05-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 9534 0

介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時(shí)也稱為總柵極電荷?？倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 MOS管 9505 0

如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)

當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，...

2015-01-14 標(biāo)簽：光耦門極驅(qū)動米勒電容 8725 0

搞懂MOS管的米勒效應(yīng)

通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOS管 MOS 米勒電容 8657 0

MOS管的開通過程

如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。

2022-08-25 標(biāo)簽：MOS管米勒電容 8520 0

60 V第四代n溝道功率MOSFET：業(yè)內(nèi)適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件

Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V...

2019-10-05 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動器米勒電容 6000 0

改善射頻ACLR的幾種方法

射頻設(shè)計(jì)的同學(xué)可能都會接觸到一個(gè)很關(guān)鍵的詞，就是ACLR，什么是ACLR?

2023-10-10 標(biāo)簽：濾波器 SAW 射頻設(shè)計(jì) 5276 0

詳解運(yùn)放的頻率補(bǔ)償方法

使開環(huán)增益下降到0dB時(shí)所對應(yīng)的總相移小于180度。（2）或總相移達(dá)到180度時(shí)所對應(yīng)的開環(huán)增益小于0dB。

2023-09-25 標(biāo)簽：運(yùn)放頻率補(bǔ)償米勒電容 4680 0

米勒效應(yīng)是什么？MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎？

從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于...

2022-08-22 標(biāo)簽：MOS管電容充電輸出電容 4198 0

如何使用米勒電容對運(yùn)算放大器補(bǔ)償？

米勒電容（Miller capacitance）通常用于運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ小?/p>

2023-09-18 標(biāo)簽：電容器電壓放大器運(yùn)算放大器 4173 0

對MOS管在開關(guān)狀態(tài)下的Miller效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行分析

MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中，延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

2022-09-29 標(biāo)簽：MOS管米勒電容驅(qū)動電壓 2860 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些？

IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標(biāo)簽：分壓器 IGBT 短路 2604 0

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析

本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 可變電阻 1962 0

米勒電容如何限制高頻放大？

由于存在物理學(xué)定律，電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對此無能為力，所以自熱離子真空管問世以來，電子設(shè)計(jì)人員就學(xué)會了通過開發(fā)巧妙的電路拓?fù)鋪斫鉀Q這些問題。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器 FET 1258 0

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