絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電器控制等多種工業(yè)領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。IGBT在具有更低的開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，還要同時(shí)具備一定的抗短路能力。短路時(shí)，如果發(fā)生短路振蕩（SCOs）現(xiàn)象，IGBT的抗
2025-08-07 17:09:25
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/dt，這樣會(huì)引發(fā)門(mén)極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)。##采用門(mén)極負(fù)電壓來(lái)安全關(guān)斷，特別是IGBT模塊在100A以上的應(yīng)用中，是很典型的運(yùn)用。在IGBT模塊100A以下的應(yīng)用中，處于成本原因考慮，負(fù)門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)很少被采用。
2015-01-14 17:10:299216 
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-09 10:35:033857 
為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過(guò)程機(jī)理，我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡(jiǎn)單來(lái)看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
2023-01-17 13:59:2922077 
ABB公司給出了6種，如下表，也就是企業(yè)自己的命名；而在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9中僅對(duì)短路模式1/2有定義。
2023-09-13 14:58:412965 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:3112390 
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
2025-03-13 14:39:283761 
系統(tǒng)。因此，對(duì)3.3kV等級(jí)的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究十分有意義。目前，市場(chǎng)上專(zhuān)業(yè)驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)廠(chǎng)商有相關(guān)配套驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品提供給客戶(hù)選擇，但是做為一款廣泛應(yīng)用的模塊產(chǎn)品，很有必要做更深入的細(xì)節(jié)分析
2018-12-06 10:06:18
，PCB板的連線(xiàn)之間彼此不宜太近，過(guò)高的dv/dt會(huì)由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容，避免產(chǎn)生耦合噪聲。 由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲
2011-08-17 09:26:02
關(guān)損耗的影響如下 可見(jiàn)，開(kāi)通損耗受柵極電阻的影響要更大?！ ⊥?，反向恢復(fù)損耗受開(kāi)通電阻的影響也可以在規(guī)格書(shū)中查到?！ ?b class="flag-6" style="color: red">寄生電容： IGBT的寄生電容影響動(dòng)態(tài)性能，它是芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過(guò) 流保護(hù)。產(chǎn)生過(guò)流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動(dòng)電路故障或干擾等引起誤動(dòng)、輸出線(xiàn)接錯(cuò)或絕緣損壞等形成短路、輸出端對(duì)地短路與電機(jī)絕緣損 壞、逆變橋的橋臂
2012-06-19 11:26:00
逆變器的IGBT在短路時(shí)，短路尖峰電壓較高有可能會(huì)擊穿IGBT，1200V的管子尖峰電壓可能超過(guò)400V，1700V的管子尖峰電壓可能超過(guò)500V，雖然在IGBT上下橋之間并聯(lián)了吸收電容，大功率
2024-04-10 18:35:55
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
Rbr都是因工藝而寄生形成的，這樣，主PNP晶體管與寄生NPN晶體管形成了寄生的晶閘管，當(dāng)器件的集電極電流足夠大時(shí)，在電阻Rbr上產(chǎn)生正偏電壓將導(dǎo)致寄生晶體管導(dǎo)通，造成寄生晶閘管導(dǎo)通，IGBT的柵極失去
2018-10-17 10:05:39
PNPN 4層結(jié)構(gòu)，因體內(nèi)存在一個(gè)寄生晶閘管，當(dāng)集電極電流增大到一定程度時(shí)，則能使寄生晶閘管導(dǎo)通，門(mén)極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT發(fā)生擎住效應(yīng)后，集電極電流增大，產(chǎn)生
2020-09-29 17:08:58
如圖所示，現(xiàn)在的問(wèn)題是IGBT的門(mén)極給的是15V驅(qū)動(dòng)電壓，Vce=27V,為什么導(dǎo)通之后負(fù)載對(duì)地的電壓只有9.7V，在IGBT上的壓降很大，怎么才能解決這個(gè)問(wèn)題
2016-10-16 17:07:46
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線(xiàn)電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱(chēng)之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
器件擊穿電壓的增加而增加。在額定電壓高于 200 V 時(shí)，MOSFET 的傳導(dǎo)性能低于 BJT?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT結(jié)合了這兩個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高性能電源開(kāi)關(guān)：它提供了MOSFET的輕松驅(qū)動(dòng)和BJT的導(dǎo)
2023-02-24 15:29:54
和二極管，再將兩者封裝在一起，做成IGBT模塊。這樣的做法使IGBT模塊寄生電感較高、集成度較低。為降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT與二極管同時(shí)在集成同一個(gè)硅片上的逆導(dǎo)型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
速度和寄生電容的特征。開(kāi)關(guān)速度：與IGBT的比較下圖是開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)和開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的dV/dt、即開(kāi)關(guān)速度與IGBT模塊的比較。SiC模塊的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的dV/dt與IGBT模塊幾乎相同，依賴(lài)于外置的柵極電阻
2018-11-30 11:31:17
使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一
2019-07-24 04:00:00
。因?yàn)樯?、下管工作的狀態(tài)不同，所以，它們的開(kāi)關(guān)特性也不相同?！ ⊥ǔ?，上管為硬開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)，具有導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗；下管為軟開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)，只有導(dǎo)通損耗，但是由于下管的寄生二極管在死區(qū)時(shí)間內(nèi)會(huì)導(dǎo)通續(xù)流
2020-12-08 15:35:56
的通態(tài)導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2019-10-06 07:00:00
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平 的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-08-20 07:40:12
，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路
2021-08-12 07:00:00
導(dǎo)通損耗，因而必須作出權(quán)衡取舍。IGBT技術(shù)的發(fā)展正在促成增加短路電流電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小， 縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短
2018-07-30 14:06:29
更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-11-01 11:26:03
電平，但降低短路耐受時(shí)間這一趨勢(shì)。此外，技術(shù)的進(jìn)步導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，2縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流
2018-10-10 18:21:54
導(dǎo)致使用芯片尺寸更小，縮小了模塊尺寸，但降低了熱容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線(xiàn)電壓電平的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間
2019-04-29 00:48:47
本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來(lái)精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2021-05-14 06:07:09
主要的IGBT寄生電容有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT？單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT有什么長(zhǎng)處？
2021-04-20 06:43:15
MOSFET的方式內(nèi)嵌固有體二極管的最新一代陽(yáng)極短路IGBT.與最佳競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品和前代產(chǎn)品相比，該器件具有Eoff較小的特性?？傊缕骷沟肍S IGBT更適用于不需要高性能反向并聯(lián)二極管的軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2018-09-30 16:10:52
檢查與電機(jī)連線(xiàn)是否有短路現(xiàn)象或接地檢查交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器與電機(jī)的落地有無(wú)松動(dòng)加長(zhǎng)加速時(shí)間檢查是否電機(jī)是否有超額負(fù)載ov 交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器偵測(cè)內(nèi)部直流高壓側(cè)有過(guò)電壓現(xiàn)象檢查輸入電壓是否與在交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器額...
2021-09-03 06:07:13
所示）。在特殊條件下，這種寄生器件會(huì)導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會(huì)使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對(duì)等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問(wèn)題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱(chēng)為IGBT閂鎖，具體地說(shuō)，這種缺陷
2019-03-05 06:00:00
各位老師你們好！ 前段時(shí)間找某經(jīng)銷(xiāo)商買(mǎi)了一批英飛凌的IGBT模塊（3300V/400A，管子型號(hào)是FZ400R33KL2C）；拿回來(lái)做雙脈沖測(cè)試發(fā)現(xiàn)管子的導(dǎo)通壓降特別大，在100A的時(shí)候導(dǎo)通壓降大約
2018-07-24 16:38:03
根據(jù)集電極退飽和檢測(cè)短路原理及IGBT 的短路安全工作區(qū)(SCSOA) 限制,設(shè)計(jì)出具有較完善性能的IGBT 短路保護(hù)電路。分析與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,短路保護(hù)快速、安全、可靠、簡(jiǎn)便、應(yīng)用價(jià)值較
2009-10-28 10:56:53
119 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件，其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 IGBT短路保護(hù)電路原理圖
2008-10-23 21:43:484242 
鉛酸蓄電池短路有哪些現(xiàn)象
(1) 開(kāi)路電壓低，閉路電壓 ( 放電 ) 很快達(dá)到終止電壓。 (2) 大電流放電時(shí)，端電壓迅速下降到零。 (3) 開(kāi)
2009-10-24 13:46:483587 什么是短路，對(duì)電池性能有何影響？ 電池外兩端連接在任何導(dǎo)體上都會(huì)造成外部短路，電池類(lèi)型不同，短路有可能帶來(lái)不同嚴(yán)重程度的后
2009-11-13 15:21:064223 IGBT(NPT型結(jié)構(gòu))的寄生組件和等效電路
2010-02-17 17:21:382249 
具有寄生晶體管的IGBT等效電路
2010-02-17 23:09:371156 
兩單元IGBT模塊的寄生電感電路
2010-02-17 23:13:351646 
本文根據(jù)IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測(cè)電路，采用兩級(jí)di/dt檢測(cè)IGBT兩類(lèi)短路狀態(tài)的實(shí)用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗(yàn)，試驗(yàn)波形如圖6所示?？梢?jiàn)，在關(guān)斷開(kāi)通短路電流和通態(tài)短路電流時(shí)，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作區(qū)間內(nèi)，有效地保護(hù)了IGBT，所采用的有源電壓箝位技術(shù)達(dá)到了預(yù)期的效果
2017-05-16 16:15:047592 
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開(kāi)關(guān)器件，構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路，如圖4，同時(shí)，采用多個(gè)柵極電阻切換的方式，實(shí)現(xiàn)不同條件下對(duì)IGBT性能的調(diào)整。在IGBT正常開(kāi)關(guān)時(shí)，可以通過(guò)調(diào)整柵極電阻
2017-05-17 09:58:215892 
說(shuō)到導(dǎo)航，很多人的第一反應(yīng)就是基于GPS、北斗、GLONASS、GALILEO的衛(wèi)星導(dǎo)航，最近SKYLAB推出了一個(gè)慣導(dǎo)模塊，很多客戶(hù)就開(kāi)始懵了，什么是慣導(dǎo)模塊，慣導(dǎo)模塊有什么用呢？看過(guò)來(lái)，知識(shí)點(diǎn)
2018-03-09 10:17:4425960 在IGBT的應(yīng)用中，當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障，或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常，或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效，均可能引起IGBT短路，表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路狀態(tài)下需要同時(shí)承受
2019-10-07 15:04:0029929 
的。常見(jiàn)的情況有： ①?zèng)]有進(jìn)行IGBT短路實(shí)驗(yàn) 覺(jué)得這個(gè)實(shí)驗(yàn)風(fēng)險(xiǎn)太大，容易炸管子，損失太大或者覺(jué)得短路時(shí)電流非常大，這樣很恐怖。 ②進(jìn)行了短路測(cè)試 但是測(cè)試時(shí)候的判斷標(biāo)準(zhǔn)較簡(jiǎn)單，對(duì)IGBT的短路行為沒(méi)有進(jìn)行較為仔細(xì)的觀(guān)察和考證。 這樣
2022-11-15 16:51:077995 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0027 在關(guān)斷IGBT過(guò)程中，IGBT電流急劇變化，由于有寄生電感的存在，會(huì)在IGBT上產(chǎn)生電壓尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如圖1所示。
2021-03-15 15:39:394598 
關(guān)于IGBT的內(nèi)部寄生參數(shù)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)IGBT的選型所關(guān)注的參數(shù)涉及到的寄生參數(shù)考慮的不是很多，對(duì)于其標(biāo)稱(chēng)的電壓、電流和損耗等關(guān)注的比較多。當(dāng)然針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)合，所關(guān)注的方面都不不盡相同，比如
2021-06-12 10:29:0013680 
IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:40114 根據(jù)IGBT的等效電路圖可知，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為
2022-03-11 16:24:5611448 米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會(huì)承受全母線(xiàn)電壓，同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時(shí)的瞬時(shí)功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:587049 IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023-02-07 16:12:222448 
今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級(jí)的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類(lèi)。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負(fù)載波動(dòng)、驅(qū)動(dòng)或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4327 2.1 短路類(lèi)型 2.2 橋臂直通短路在進(jìn)行IGBT短路實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中，我們通常使用“退飽和電路”進(jìn)行器件的短路保護(hù)。那么退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的？另外，短路負(fù)載對(duì)短路特性有什么樣的影響呢？本文主
2023-02-22 15:14:449 IGBT保護(hù)的問(wèn)題 現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。1.Vce過(guò)壓2.Vge過(guò)壓3.短路保護(hù)4.過(guò)高的di/dt 主要是看一下短路保護(hù)和過(guò)流保護(hù)短路的定義1.橋臂內(nèi)短路
2023-02-23 09:57:0018 電機(jī)繞組發(fā)生匝間短路，會(huì)有以下現(xiàn)象：
2023-07-24 11:00:335292 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對(duì)抗短路能力的影響。通過(guò) TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對(duì)場(chǎng)
2023-08-08 10:14:472 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見(jiàn)的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來(lái)其他
2023-09-05 17:29:392463 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:351612 
IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:142647 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:224619 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開(kāi)關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底、N型漏源
2023-10-19 17:08:0226499 IGBT模塊損壞時(shí)，什么情況導(dǎo)致短路？什么情況導(dǎo)致開(kāi)路？? IGBT模塊是一種功率模塊，用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過(guò)程中遭受損壞時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)短路或開(kāi)路的問(wèn)題。這兩種情況會(huì)對(duì)電路
2023-10-19 17:08:186686 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:293948 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:242016 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問(wèn)題，涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析，旨在達(dá)到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:5310874 短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測(cè)到短路并采取措施（如關(guān)閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長(zhǎng)
2024-02-06 16:43:253861 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點(diǎn)是電流繞過(guò)正常的電路路徑，通過(guò)一條或多條低阻抗的路徑流過(guò)。IGBT是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件，可用于控制和放大電流。在
2024-02-18 10:08:386021 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類(lèi)型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類(lèi)型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見(jiàn)的短路類(lèi)型。 1. IGBT內(nèi)部開(kāi)路
2024-02-18 10:21:572998 IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫(xiě)，是一種半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:323910 IGBT導(dǎo)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過(guò)程中可能發(fā)生的過(guò)流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:373500 什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開(kāi)啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:287186 了外部連接線(xiàn)和焊接點(diǎn)，降低了系統(tǒng)復(fù)雜性和潛在的故障率。 性能優(yōu)化： 由于IPM是為特定的功率元件定制優(yōu)化的，因此它們通常提供更好的電氣性能，如更低的導(dǎo)通損耗和更快的開(kāi)關(guān)速度。 高可靠性： IGBT IPM內(nèi)置有各種保護(hù)功能，包括過(guò)流、過(guò)壓、欠壓、過(guò)熱和短路保護(hù)，能
2024-02-23 10:50:101518 IGBT模塊關(guān)斷截止時(shí)，I(t)≈0，損耗的功率可忽略。為了便于分析，將IGBT損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
2024-05-31 09:06:3117234 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們?cè)谠S多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能
2024-07-25 09:15:072593 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要，而退飽和現(xiàn)象是其工作過(guò)程中一個(gè)值得關(guān)注的重要問(wèn)題。以下將詳細(xì)探討IGBT發(fā)生退飽和現(xiàn)象的原因。
2024-07-26 17:39:493053 Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。IGBT模塊則是將多個(gè)IGBT芯片封裝在一個(gè)模塊中，以提高功率密度和可靠性
2024-08-07 17:06:468964 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)速度和性能。 一、IGBT寄生
2024-08-07 17:49:252947 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)探討，旨在全面而深入地解析這一話(huà)題。
2024-08-08 09:37:364282 。這個(gè)參數(shù)對(duì)于整個(gè)電力電子系統(tǒng)的效率和性能至關(guān)重要。導(dǎo)通壓降的大小受到多種因素的影響，以下是一些主要因素的分析： IGBT的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì) ： 柵極氧化層厚度 ：柵極氧化層的厚度會(huì)影響IGBT的導(dǎo)通壓降。氧化層越薄，導(dǎo)通壓降越低，但同時(shí)也可能導(dǎo)致器件的可靠
2024-09-19 14:51:074225 電源變壓器短路是指電路中有兩個(gè)本來(lái)不應(yīng)該直接相接的線(xiàn)路出現(xiàn)了導(dǎo)通狀態(tài)，這會(huì)導(dǎo)致電源電壓驟降或電源短路過(guò)流，從而對(duì)電子設(shè)備造成損壞。以下是對(duì)電源變壓器短路現(xiàn)象的詳細(xì)分析，涵蓋其表現(xiàn)、原因、危害以及應(yīng)對(duì)措施等方面。
2024-10-21 17:33:454882 過(guò)孔寄生參數(shù)對(duì)PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。
2024-11-30 15:23:541211 IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系：降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載流子濃度，但這會(huì)延長(zhǎng)關(guān)斷時(shí)的載流子抽取時(shí)間
2025-08-19 14:41:232336
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