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標(biāo)簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
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隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電子設(shè)備的體積和重量越來(lái)越小,而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。開關(guān)電源是體積小、重量輕、...
2022-05-20 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管 6073 0
如下是最傳統(tǒng)的采用 PMOS 做防反功能的電路單元,PMOS 的門級(jí)接電阻到地。當(dāng)輸入端接正向電壓時(shí),電流流過 PMOS 的體二極管到負(fù)載端,當(dāng)正向電壓...
2022-05-18 標(biāo)簽:肖特基二極管電源系統(tǒng)PMOS 3145 0
具有1級(jí)防護(hù)設(shè)計(jì)的電路板在斷電時(shí)能限制帶電總線和插入電路板接口之間的電流,從而防止插入電路板受到損壞。這種瞬態(tài)電流限制就能保證在不打斷主電源情況下帶電插...
瑞能G3 SBD 肖特基二極管,采用最新的 TMBS 技術(shù),實(shí)現(xiàn)超低VF和較小漏電流的完美組合,更低的正向?qū)▔航礦F,意味著更低的功率損耗,提升系統(tǒng)的...
2022-04-11 標(biāo)簽:電源適配器肖特基二極管瑞能半導(dǎo)體 2401 0
Nexperia推出肖特基二極管 泰國(guó)擴(kuò)展羅德與施瓦茨移動(dòng)頻譜監(jiān)測(cè)系統(tǒng)
關(guān)鍵半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進(jìn)軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場(chǎng)。這是 Nexpe...
2022-03-28 標(biāo)簽:監(jiān)測(cè)系統(tǒng)肖特基二極管Nexperia 2809 0
安世半導(dǎo)體致力于為中國(guó)汽車半導(dǎo)體保駕護(hù)航
安世半導(dǎo)體展位位于本屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)4.1館(展位號(hào)是4.1A3-002),展臺(tái)面積多達(dá)260平方米,將為觀眾展出汽車、工業(yè)(含5G)、移動(dòng)、計(jì)算機(jī)...
2021-11-04 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管安世半導(dǎo)體 1534 0
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供優(yōu)異效率
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn),具備出色的開關(guān)速度和...
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,TVS售價(jià)逐年下滑
芯導(dǎo)科技成立于2009年11月,初期產(chǎn)品主要為TVS(含ESD)等功率器件,后期延伸至MOSFET、肖特基等功率器件以及單節(jié)鋰電池充電芯片、過壓保護(hù)芯片...
2021-04-19 標(biāo)簽:肖特基二極管功率器件功率半導(dǎo)體 3378 0
公司針對(duì)不同需求有高性價(jià)比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
2021-03-31 標(biāo)簽:LED驅(qū)動(dòng)肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1455 0
場(chǎng)效應(yīng)管廠商:上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司簡(jiǎn)介
韋爾半導(dǎo)體將為數(shù)字世界提供開關(guān)器件、信號(hào)放大器件、系統(tǒng)電源及控制方案、系統(tǒng)保護(hù)方案、電磁干擾濾波方案、分立器件 。我們目前有8條產(chǎn)品線:模擬開關(guān),音頻功...
2021-04-01 標(biāo)簽:電子元器件場(chǎng)效應(yīng)管肖特基二極管 3317 0
Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用能效
器件適用于服務(wù)器、電信設(shè)備、UPS和太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正(PFC)續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流,為設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。
肖特基二極管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用簡(jiǎn)介
? ? ? ?在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無(wú)源肖特基二極管作為低...
2020-12-26 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 588 0
用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng),提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
2020-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.1萬(wàn) 0
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開關(guān)性能,可以簡(jiǎn)化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì),非常適合用于光伏逆變器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng),提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。...
2020-07-10 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)服務(wù)器肖特基二極管 2685 0
肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱 SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可...
2020-07-09 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管肖特基二極管變?nèi)荻O管 7179 0
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