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標簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結(jié)原理制作的。
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國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證,仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài),可更好地適應復雜多...
近日,國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過第三方權威檢測機構(gòu)可靠性驗證,并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證...
如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu),緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決,PN結(jié)相關的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點。
SiC肖特基二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓,散熱要求低,是高頻和高效率應用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED公司的碳化硅為主,但由...
基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D20065HC1應用于1.3kW服務器電源
如圖為1.3kW服務器電源電路框圖,主功率框架包括EMI濾波、單相整流、PFC、半橋LLC以及同步整流等組成,輸出12V電壓;在PFC功率因數(shù)校正部分,...
11月16-19日,由中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的 第二十屆中國國際半導體博覽會(IC China 2022) 在合肥盛大舉行,...
圖1中,如果放大器趨向+15 V電軌,則連接至REF的保護二極管將開啟,放大器將嘗試上拉REF節(jié)點。如果REF節(jié)點未通過強驅(qū)動器電路驅(qū)動,則REF節(jié)點(...
主動PFC是服務器系統(tǒng)架構(gòu)(SSI)一致性的要求:供電模塊應該采用帶主動功率因數(shù)校正的通用電源輸入,從而可以減少諧波,符合EN61000-3-2和JEI...
在負載點(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關的架構(gòu)相...
2022-08-01 標簽:開關穩(wěn)壓器降壓轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 863 0
肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 (d-mode) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 在基于 p 型氮化鎵 (GaN) HEMT 的 20...
2022-07-29 標簽:轉(zhuǎn)換器晶圓肖特基二極管 1.8k 0
采用Trench肖特基二極管實現(xiàn)電源功率密度的顯著提升
電源開發(fā)通常是一個艱難的過程。無論是用于交流電設備還是便攜式設備,用戶都期望電源達到很高的效率,同時盡可能保持小巧緊湊。成本也是一個重要因素,另外電源還...
隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,電子設備的體積和重量越來越小,而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿足整機的優(yōu)化設計。開關電源是體積小、重量輕、...
如下是最傳統(tǒng)的采用 PMOS 做防反功能的電路單元,PMOS 的門級接電阻到地。當輸入端接正向電壓時,電流流過 PMOS 的體二極管到負載端,當正向電壓...
2022-05-18 標簽:肖特基二極管電源系統(tǒng)PMOS 3.5k 0
具有1級防護設計的電路板在斷電時能限制帶電總線和插入電路板接口之間的電流,從而防止插入電路板受到損壞。這種瞬態(tài)電流限制就能保證在不打斷主電源情況下帶電插...
Nexperia推出肖特基二極管 泰國擴展羅德與施瓦茨移動頻譜監(jiān)測系統(tǒng)
關鍵半導體領域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場。這是 Nexpe...
2022-03-28 標簽:監(jiān)測系統(tǒng)肖特基二極管Nexperia 3.2k 0
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