薄膜電容出現(xiàn)熱敏現(xiàn)象是怎么回事？

高溫易致電子產(chǎn)品損壞，尤其是薄膜電容等電子元件。高溫下材料老化、熱應(yīng)力、散熱不良等因素易引發(fā)薄膜電容熱敏現(xiàn)象，影響電氣性能。需保持電子產(chǎn)品正常工作溫度，...

2024-09-05 標(biāo)簽：薄膜電容電子 786 0

奇怪，薄膜電容容量為什么變少了？

薄膜電容廣泛用于電子設(shè)備，但長(zhǎng)期使用薄膜電容容量減少，影響設(shè)備的正常工作。容量減少原因包括老化效應(yīng)、工作環(huán)境、電壓過高及生產(chǎn)工藝問題。需了解原因并采取措...

2024-08-12 標(biāo)簽：薄膜電容容量 773 0

薄膜電容表面有劃痕正常嗎？

薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。 薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定...

2024-11-21 標(biāo)簽：薄膜電容電子 765 0

薄膜電容的性能和內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)嗎？

薄膜電容是電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)元件，其性能與內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。不同介質(zhì)材料、電極類型和封裝方式影響薄膜電容的電氣性能。選擇時(shí)需考慮應(yīng)用需求和環(huán)境條件，...

2024-03-21 標(biāo)簽：薄膜電容電子 747 0

金屬納米顆粒通過水基剝離方案使用嵌段共聚物模板

隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來越重要，確定可擴(kuò)展和廉價(jià)的方法來實(shí)現(xiàn)這些變成了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納...

2023-10-26 標(biāo)簽：薄膜蝕刻PVA 710 0

DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色，耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升

類金剛石碳（DLC）薄膜因高硬度、耐磨損特性，廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域，其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期，日本研究團(tuán)隊(duì)通過等離子體化學(xué)氣相沉積（CVD...

2025-07-22 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量 648 0

四探針法丨導(dǎo)電薄膜薄層電阻的精確測(cè)量、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用

薄層電阻（SheetResistance,Rs）是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成...

2025-07-22 標(biāo)簽：電阻薄膜精確測(cè)量 597 0

倒裝晶片裝配對(duì)助焊劑應(yīng)用單元的要求

助焊劑應(yīng)用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分，其工作的基本原理就是要獲得設(shè)定厚度的穩(wěn)定的助焊劑薄膜，以便于元件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。我們以環(huán)球儀器...

2023-09-21 標(biāo)簽：薄膜元件助焊劑 567 0

薄膜電容不是配角而是主角

薄膜電容在電子設(shè)備中不可或缺，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高頻特性好、容量范圍廣且穩(wěn)定性佳，廣泛應(yīng)用于多領(lǐng)域。選用正規(guī)廠家生產(chǎn)的合格薄膜電容，對(duì)電路性能提升和設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)...

2024-08-06 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 480 0

四探針法 | 測(cè)量射頻（RF）技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的Sn...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻薄膜RF 265 0

大面積鈣鈦礦太陽能電池薄膜制備：從實(shí)驗(yàn)室到規(guī)?；慨a(chǎn)

鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）憑借高效率、低成本及廣泛的應(yīng)用潛力，已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，在光伏領(lǐng)域顯示出巨大的商業(yè)化潛力。然而，大面積鈣鈦礦太陽能電池...

2025-09-24 標(biāo)簽：太陽能電池薄膜鈣鈦礦 263 0

消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法：精確測(cè)量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率

方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在傳感器設(shè)計(jì)中，不同條件下的方塊電阻變化是感知測(cè)量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測(cè)量精度，甚...

2025-09-29 標(biāo)簽：傳感器薄膜接觸電阻 244 0

四探針薄膜測(cè)厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測(cè)量實(shí)踐

平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材...

2025-09-29 標(biāo)簽：薄膜FPD測(cè)厚 209 0

濕法去膠第一次去不干凈會(huì)怎么樣

在半導(dǎo)體制造過程中，若濕法去膠第一次未能完全去除干凈，可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng)，對(duì)后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析：殘留物導(dǎo)致后續(xù)工藝...

2025-09-16 標(biāo)簽：薄膜濕法半導(dǎo)體制造 179 0

非局域四探針法：超導(dǎo)薄膜顆粒度對(duì)電阻特性的影響機(jī)制解析

技術(shù)支持：4009926602超導(dǎo)薄膜的微觀不均勻性（顆粒度）是影響其宏觀性能的關(guān)鍵因素。在接近臨界溫度（T??）時(shí)，傳統(tǒng)四探針法常觀測(cè)到異常電阻峰，這...

2025-09-29 標(biāo)簽：薄膜測(cè)量電阻特性 158 0

橢偏儀在精密薄膜中的應(yīng)用：基于單驅(qū)動(dòng)變角結(jié)構(gòu)的高重復(fù)性精度控制系統(tǒng)

橢偏測(cè)試技術(shù)具有非接觸、高靈敏、無樣品破壞優(yōu)勢(shì)，廣義橢偏儀因可測(cè)各向同性與異性樣品成研究熱點(diǎn)，但需變角結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)多角度測(cè)量。當(dāng)前立式橢偏儀存在雙電機(jī)配合難...

2025-10-15 標(biāo)簽：薄膜控制系統(tǒng) 46 0