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標(biāo)簽 > 蝕刻技術(shù)
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在氮化鎵中利用光電化學(xué)蝕刻深層高縱橫比溝槽的進(jìn)展
在溝槽蝕刻的實(shí)驗(yàn)中,達(dá)到的深度是由電流密度控制的,而不是沿GaN晶格的m軸或a軸的掩模取向。短寬度孔徑掩模的溝槽蝕刻速率在約30μm深度處減慢。研究人員...
2018-09-05 標(biāo)簽:二極管PCB設(shè)計(jì)晶片 4708 0
隨著5G技術(shù)的推出,導(dǎo)致電子電路和IC基板在設(shè)計(jì)中要求更高的密度。由于5G應(yīng)用的性質(zhì),這些設(shè)計(jì)中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程,本文就對(duì)其最后的一步——蝕刻進(jìn)行解析。
2019-05-31 標(biāo)簽:PCBPCB設(shè)計(jì)蝕刻技術(shù) 3768 0
LIDE激光誘導(dǎo)深度蝕刻技術(shù)在MEMS封裝領(lǐng)域的應(yīng)用
良好的機(jī)械強(qiáng)度:玻璃是一種相對(duì)堅(jiān)固且耐用的材料,可以保護(hù)MEMS器件免受機(jī)械應(yīng)力的影響。另外,不同于金屬或其他材料, 玻璃材料不會(huì)產(chǎn)生疲勞效應(yīng)。適用于長...
維護(hù)蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物,使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用,沖擊板面。而噴嘴不清潔,則會(huì)造成蝕刻...
2018-10-16 標(biāo)簽:pcbPCB設(shè)計(jì)蝕刻技術(shù) 2907 0
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...
一種新型的鍺化硅(SiGe)干式選擇性各向同性原子層蝕刻技術(shù)
納米線(NWs)已經(jīng)為氣體和生物傳感提供了一個(gè)極好的平臺(tái), 從而研究如何使納米線的表面功能化,由于納米尺度尺寸與分子尺寸兼容性,導(dǎo)致我們需要考慮如何使納...
研究人員開發(fā)出一種創(chuàng)新的光電化學(xué)(PEC)蝕刻技術(shù)
近日,美國哈佛醫(yī)學(xué)院(HMS)和麻省理工學(xué)院總醫(yī)院的一個(gè)聯(lián)合研究小組表示,他們利用PEC刻蝕法實(shí)現(xiàn)了微盤激光器輸出的調(diào)諧,這使得納米光子學(xué)和生物醫(yī)學(xué)的新...
采用蒸鍍工藝的OLED技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)
原來糾結(jié)于OLED蒸鍍工藝和OLED印刷工藝的兩在陣營,都同時(shí)看上了無FMM的高開口率光刻技術(shù),來替代FMM模塊和印刷控制模塊。
日本芯片技術(shù)突破!400層堆疊 3D NAND閃存將至!
在介紹日本電子公司研發(fā)的全新蝕刻技術(shù)之前,我們需要了解蝕刻技術(shù)的歷史。蝕刻技術(shù)是芯片制造基礎(chǔ)工藝之一,它是指對(duì)光刻技術(shù)制作的圖案進(jìn)行蝕刻,得到具有一定幾...
2023-06-26 標(biāo)簽:芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈蝕刻技術(shù) 1576 0
應(yīng)用材料公司推出兆位元時(shí)代的突破性蝕刻技術(shù)
應(yīng)用材料公司推出先進(jìn)的蝕刻技術(shù) ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng),這項(xiàng)突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構(gòu)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn);...
2012-06-29 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)蝕刻技術(shù)應(yīng)用材料 1068 0
在實(shí)踐中,在這一過程中出現(xiàn)了一些物理問題。通常,系統(tǒng)會(huì)使用水平線。在這里通常可以確定一個(gè)缺陷:在電路板的上下兩側(cè)通??梢杂^察到不同的蝕刻結(jié)果。對(duì)板上部的...
上回我們講到了微加工激光切割技術(shù)在陶瓷電路基板的應(yīng)用,這次我們來聊聊激光蝕刻技術(shù)的前景。陶瓷電路基板(Ceramic Circuit Substrate...
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