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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析

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半導(dǎo)體濕法化學(xué)刻蝕工藝觀察

我們提出了一種觀察蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕寬度對(duì)幾何形狀的影響,并對(duì)蝕刻過程進(jìn)行了數(shù)值模擬。驗(yàn)證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致,表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測蝕刻截面的幾何形狀。
2021-12-14 17:12:054797

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

不同的蝕刻(氯化鐵和氯化銅)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。研究了選擇的蝕刻和加工條件對(duì)蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,氯化鐵產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快,但氯化銅產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快最光滑的表面質(zhì)量。 關(guān)鍵詞:化學(xué)蝕刻;銅
2021-12-29 13:21:463442

多磷酸蝕刻化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí),需要對(duì)化學(xué)蝕刻有基本的了解,以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對(duì)正
2022-01-07 15:07:481641

關(guān)于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告

摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結(jié)果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形被
2022-01-25 10:32:243235

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明,晶面是該
2022-01-25 13:51:112855

濕法蝕刻MEMS硅腔的工藝控制

硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻,通常通過堿性蝕刻如水溶液氫氧化鉀,TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性,可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479

使用n型GaSb襯底優(yōu)化干法和濕法蝕刻工藝

的電子和光電子器件的制造中對(duì)高選擇性濕法化學(xué)蝕刻的額外需求,還進(jìn)行了廣泛的研究以檢驗(yàn)多種蝕刻溶液。列出了這些蝕刻蝕刻速率、選擇性和表面粗糙度,以驗(yàn)證它們對(duì)預(yù)期應(yīng)用的適用性。盡管頻繁使用GaSb或
2022-05-11 14:00:421844

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中,底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而,還不清楚為什么不同蝕刻會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:263001

蝕刻系統(tǒng)操作條件對(duì)晶片蝕刻速率和均勻性的影響

引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:424327

硅濕法蝕刻中的表面活性

本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅,以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154

AlGaN/GaN的光電化學(xué)蝕刻工藝

問題,但會(huì)顯著增加器件制造的復(fù)雜性。顯然,低損傷、摻雜選擇性蝕刻技術(shù)對(duì)于HBT制造非常有吸引力。 為了避免這些問題,我們選擇利用光電化學(xué)(PEC)蝕刻。這項(xiàng)技術(shù)使用弱電解質(zhì)作為電化學(xué)電池的一部分。紫外光
2022-07-12 17:04:381943

混合信號(hào)分析儀的原理和應(yīng)用場景

信號(hào)分析儀可以幫助工程師分析數(shù)字信號(hào)的時(shí)序波形,了解通信協(xié)議的傳輸特性和錯(cuò)誤情況,從而優(yōu)化和調(diào)試通信系統(tǒng)的性能。 電源電子學(xué)應(yīng)用:高精度的波形分析對(duì)于確保電源電子器件的穩(wěn)定性至關(guān)重要。混合信號(hào)分析
2025-01-21 16:45:44

蝕刻簡介

PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26

蝕刻過程分為兩類

為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20

PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液-華強(qiáng)pcb

可按下式計(jì)算:排放量=(分析值-規(guī)定值)/分析值 *總體積式中:排放量-從蝕刻槽中排出廢液的體積(l)分析值-由化學(xué)分析得出的銅含量(g/l)規(guī)定值-配方中規(guī)定的銅含量(g/l)總體積-蝕刻槽中蝕刻
2018-02-09 09:26:59

PCB制造方法的蝕刻

,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08

PCB印制電路中蝕刻液的選擇

  一、蝕刻液的選擇  蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響,有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的。現(xiàn)
2018-09-11 15:19:38

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素一、蝕刻液的選擇  蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素有哪些

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00

PCB外層電路的蝕刻工藝

工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻蝕刻工藝中.氨性蝕刻是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50

PCB線路板外層電路的蝕刻工藝詳解

使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。  以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅可以用電解的方法分離出來
2018-09-13 15:46:18

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào):JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用

各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻

。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面,并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻

,非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻。2. 蝕刻率研究在我們的研究中,我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓

的,并且在光刻膠顯影步驟后驗(yàn)證了附著力。沒有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過程中使用預(yù)涂層處理來提高附著力,也沒有觀察到對(duì)濕蝕刻輪廓的影響,這通常歸因于蝕刻的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景: 流程變更 對(duì)我們
2021-07-06 09:39:22

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》微鏡角度依賴性與蝕刻選擇

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻選擇編號(hào):JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較

的 Au 膜的 SEM 圖像。金屬輔助化學(xué)蝕刻:為了進(jìn)行 MacEtch,將帶有 Au 圖案的 Si 晶片浸入乙醇、HF(49 wt%)和 H2O2(30 wt%)的 1:1:1 (v/v) 混合物中 5
2021-07-06 09:33:58

【AD問答】關(guān)于PCB的蝕刻工藝及過程控制

工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻蝕刻工藝中.氨性蝕刻是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39

制冷的類型及特性

)的特性制冷的分類 氟哩昂的特性制冷的要求 熱力學(xué)的要求在大氣壓力下,制冷的蒸發(fā)溫度(沸點(diǎn))ts要低。這是一個(gè)很重要的性能指標(biāo)。ts愈低,則不僅可以制取較低的溫度,而且還可以在一定的蒸發(fā)溫度to下
2011-02-21 15:51:57

印制電路制作過程的蝕刻

進(jìn)行噴淋蝕刻精細(xì)線路過程中溝道內(nèi)流體分析。通過分析溝道內(nèi)側(cè)壁,底部流體的相對(duì)速度,可以得到溝道內(nèi)各部位擴(kuò)散層的相對(duì)厚度。最后獲得的擴(kuò)散層相對(duì)厚度決定了各個(gè)部位蝕刻反應(yīng)的相對(duì)速度?! ≡诰?xì)印制電路制作
2018-09-10 15:56:56

印制電路板的蝕刻方法

噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上,具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度:  1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置;  2) 蝕刻化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47

正面金屬化工藝高CP值選擇-化學(xué)

做,可以有較低的成本及較短的生產(chǎn)時(shí)間。化學(xué)鍍工藝最大特色是,只需利用一系列的氧化還原反應(yīng),將鎳金/鎳鈀金選擇性的成長在墊上,完全不需要經(jīng)過高真空濺鍍/黃光工藝/蝕刻工藝,因此成本可降低,生產(chǎn)時(shí)間也可
2021-06-26 13:45:06

蝕刻

是半導(dǎo)體制造,微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01

濕法蝕刻工藝

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57

燃料電池氧電極催化的研究

燃料電池是直接將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電裝置,是清潔、高效的新能源。燃料電池催化是燃料電池的重要組成部分,它在很大程度上影響燃料電池的性能。氧電極催化的催化活性直接影響到電池的過電位、交換電流
2011-03-11 12:46:10

化學(xué)原理介紹和分析方法

電解合成的;、鈉等輕金屬的冶煉,銅、鋅等的精煉也都用的是電解法;②機(jī)械工業(yè):要用電鍍、電拋光、電泳涂漆等來完成部件的表面精整;③環(huán)境保護(hù):用電滲析的方法除去氰離子、鉻離子等污染物;④化學(xué)電源;⑤金屬
2017-10-16 10:06:07

簡單介紹pcb外層蝕刻狀態(tài)不相同的問題

大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對(duì)這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會(huì)影響噴射力,另一方面會(huì)阻檔了
2017-06-24 11:56:41

詳談PCB的蝕刻工藝

工藝中.氨性蝕刻是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻主要是指氨水/氯化氨蝕刻液?! 〈送?,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅
2018-09-19 15:39:21

采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連

      采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板  &
2006-04-16 21:23:491582

PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析

PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析   本文主要對(duì)PCB表面處理工藝中兩種最常用制程:化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進(jìn)行分析。
2009-11-17 13:59:582683

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素   一、蝕刻液的選擇   蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐?/div>
2009-11-18 08:56:461458

在PCB堿性蝕刻中常見的問題的原因和故障解決方法

PCB蝕刻技術(shù)通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用。
2017-04-21 17:08:276666

充電新方式:基粉末與水混合可給智能設(shè)備充電

當(dāng)這種基粉末與水混合之后,水面會(huì)開始冒泡,然后開始出現(xiàn)水解過程,而在這個(gè)過程中作為一種催化,催化了熱、酸和電力的化學(xué)物質(zhì)。
2017-08-13 01:33:46772

一種RS-158蝕刻添加能有效改善其蝕刻效果

RS-158蝕刻添加可直接添加于蝕刻母液中使用,操作簡單。為了開缸和后續(xù)添加時(shí)控制方便,將RS-158蝕刻添加分為RS-158A與RS-158B。RS-158A:主要作用加速垂直咬蝕力(即加快正蝕速度),開缸后如出現(xiàn)下降速度超過25%,可單獨(dú)添加RS-158A;
2018-08-08 16:25:349815

PCB線路板外層電路制作的蝕刻工藝解析

工藝中.氨性蝕刻是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。
2019-07-10 15:11:353996

蝕刻的工藝流程及注意事項(xiàng)

蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。它可通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-24 15:52:5732939

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3617777

蝕刻機(jī)的工作原理及應(yīng)用范圍

蝕刻指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)摸去處,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。
2019-06-26 16:02:4825189

蝕刻簡介

PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層需要
2020-03-08 14:45:215449

pcb蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理

一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去,形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻,內(nèi)層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕;外層采用堿性蝕刻,錫鉛為抗蝕
2020-12-11 11:40:5811217

淺談PCB設(shè)計(jì)上的光刻膠蝕刻

適當(dāng)位置保留抗蝕之間取得平衡。保護(hù)是通過在電路圖案上涂一層薄薄的抗蝕(主要由錫混合物組成)來進(jìn)行的,從而保護(hù)所需的圖案不受蝕刻的影響。 由于蝕刻會(huì)從一塊干凈的空白板上除去多余的銅,因此銅的厚度加上鍍層的厚度
2020-12-31 11:38:585033

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0046457

PCB蝕刻機(jī)的原理及其工藝流程的介紹

蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去,形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻,內(nèi)層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕;外層采用堿性蝕刻,錫鉛為抗蝕
2020-12-24 12:59:389985

醇類添加對(duì)KOH溶液蝕刻特性的影響

我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加對(duì)氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個(gè)羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低,通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個(gè)以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性,并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:531195

用于化學(xué)分析的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

的各向異性濕式化學(xué)蝕刻。 本文主要目的是評(píng)估不同的各向異性蝕刻,用于微加工柱、分裂器和其他幾何圖案的變體,可用作構(gòu)建更復(fù)雜的微加工結(jié)構(gòu)的構(gòu)建塊,并可能用于化學(xué)分析應(yīng)用。我們根據(jù)微加工,介紹各向異性濕式化學(xué)
2021-12-22 17:29:021906

蝕刻控制研究—華林科納半導(dǎo)體

摘要 本文對(duì)本克斯使用的蝕刻進(jìn)行調(diào)查,以長期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻的主要問題是,由蒸發(fā)和耗盡引起的成分變化
2022-01-07 16:47:461281

關(guān)于濕蝕刻蝕刻擴(kuò)散到深紫外光刻膠中的研究報(bào)告

引言 在許多集成電路制造步驟中,化學(xué)蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實(shí)上,它能夠?qū)崿F(xiàn)更好的表面光滑度控制,這是獲得足夠的載流子遷移率至關(guān)重要的。在這些步驟中,光刻抗蝕圖案保護(hù)底層材料免受蝕刻。因此
2022-01-18 15:20:01914

關(guān)于濕法蝕刻工藝對(duì)銅及其合金蝕刻的評(píng)述

濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè),特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:243288

關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告

介紹 本文通過詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后,我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻的硅含量利用率和攪拌速度的函數(shù)關(guān)系
2022-01-24 15:41:132458

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

索引術(shù)語:氮化鎵,蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結(jié)果。 介紹 光電化學(xué)
2022-02-07 14:35:422181

關(guān)于InP在HCl溶液中的蝕刻研究報(bào)告

基于HC1的蝕刻被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件,HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響,然而,InP并不溶在涉及簡單氧化的傳統(tǒng)蝕刻中,為了解決溶解機(jī)理的問題,我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:581600

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:372047

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻通過掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上產(chǎn)生由( 100)和(111)平面組成的孔。在這種情況下,孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個(gè)表面,則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14966

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加,從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火,提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47815

用于化學(xué)分析應(yīng)用的Si各向異性濕法化學(xué)蝕刻

分析化學(xué)小型化的一個(gè)方便的起點(diǎn)在于使用單晶硅作為起始材料,微加工作為使能技術(shù),濕化學(xué)蝕刻作為關(guān)鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學(xué)習(xí)中都起到了關(guān)鍵作用。
2022-03-11 13:58:081025

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程,每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581827

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20 wt%時(shí),在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻溫度和濃度的增加而減少。
2022-03-25 13:26:344201

通過光敏抗蝕的濕蝕刻滲透

本文研究了通過光敏抗蝕的濕蝕刻滲透。后者能夠非??焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻/聚合物的兼容性,以保護(hù)下面的膜不被降解。如今,大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進(jìn)行的。事實(shí)上,與通常
2022-04-06 13:29:191222

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比,應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合
2022-04-07 14:46:331278

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-07 16:16:39907

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,是極其重要的,將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中,晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層,進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在硅晶片的制造工序中,使
2022-04-08 17:02:102777

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717

噴霧特性蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化,對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析,并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物性值變化時(shí)的噴霧特性,并考察了與蝕刻特性的相互關(guān)系。
2022-04-14 14:02:00877

通過光敏抗蝕的濕蝕刻滲透研究

本文研究了通過光敏抗蝕的濕蝕刻滲透。后者能夠非??焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻/聚合物的兼容性,以保護(hù)下面的膜不被降解。如今,大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進(jìn)行的。事實(shí)上,與通常
2022-04-22 14:04:191138

硅晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片),然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程,該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

的表面預(yù)處理的效果。氫氟酸中的蝕刻時(shí)間在1、3和5分鐘變化,以便研究涂層的粘附行為。使用場發(fā)射描電子顯微鏡(FESEM)觀察化學(xué)鍍樣品的表面形態(tài),并使用橫截面分析測量涂層厚度,結(jié)果表明,較長的蝕刻時(shí)間
2022-04-29 15:09:061103

單晶硅的各向異性蝕刻特性說明

濃度觀察到不同的蝕刻特性,當(dāng)氫氧化鉀濃度固定為20wt%時(shí),在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀,在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀,蝕刻硅表面產(chǎn)生的小丘隨著蝕刻溫度和濃度的增加而減少。 為了了解單晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:364132

光致抗蝕剝離和清洗對(duì)器件性能的影響

退火后對(duì)結(jié)特性的剝離和清潔對(duì)于實(shí)現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要,發(fā)現(xiàn)光致抗蝕剝離和清洗會(huì)導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜漂白和結(jié)氧化,植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng),令人驚訝的是,剝離和清潔也會(huì)影響摻雜分布,并且
2022-05-06 15:55:47885

堿性KOH蝕刻特性的詳細(xì)說明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說,它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:202627

硅KOH蝕刻:凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先,確定控制底切的蝕刻前沿的晶面,并測量它們的蝕刻速率。然后,基于測量數(shù)據(jù),檢驗(yàn)了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:482253

金屬蝕刻殘留物對(duì)蝕刻均勻性的影響

引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝,適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明,蝕刻速率主要取決于Cl濃度,而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無關(guān)。幾種添加用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:141892

濕法蝕刻與干法蝕刻有什么不同

的逐層秘密。隨著制造工藝的變化和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的變化,這些技術(shù)需要在時(shí)間和程序上不斷調(diào)整。雖然有許多工具有助于這些分析,如RIE(反應(yīng)離子蝕刻-一種干法蝕刻技術(shù))、離子銑削和微切割,但鎢的濕法化學(xué)蝕刻有時(shí)比RIE技術(shù)更具重現(xiàn)性。
2022-06-20 16:38:207526

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

和掃描電子顯微鏡(SEM)來確定缺陷密度和通孔尺寸。使用光學(xué)顯微鏡、SEM和俄歇電子能譜(AES)完成對(duì)蝕刻后去除的分析。通過一系列評(píng)估,來自通用化學(xué)公司的化學(xué)物質(zhì)被確定為能有效地同時(shí)去除光刻膠掩模
2022-06-23 14:26:57985

溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響,在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率,然而,通過XPS分析,發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻中比在HCl中有更多的表面殘留副產(chǎn)物,在王水和HCl中的表面濃度
2022-07-01 16:50:562439

GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻工藝詳解

50納米,4,5,盡管最近有報(bào)道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強(qiáng)電化學(xué)(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低和表面損傷較低的優(yōu)勢(shì)
2022-07-12 17:19:244607

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻

在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對(duì)氮化硅的去除工藝, 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對(duì)氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們?nèi)A林科納分析了影響蝕刻率的各個(gè)因素, 并通過
2022-08-30 16:41:597112

什么是等離子蝕刻 等離子蝕刻應(yīng)用用途介紹

反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果:其具有一定的各向異性,而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會(huì)被蝕刻。首先,蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊,基材分子會(huì)進(jìn)入激發(fā)態(tài),從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:556527

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個(gè)蝕刻和過程的簡明清單
2023-03-17 16:46:233343

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:438848

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:332841

等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數(shù)蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:111278

氧化鋁和電解有什么區(qū)別 電解和氧化鋁的用途

氧化鋁是一種化學(xué)化合物,由和氧元素組成,化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料,具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上,氧化鋁常用于制備金屬的原料。
2023-07-05 16:30:1518977

PCB印制電路中影響蝕刻特性的因素

蝕刻液的化學(xué)成分的組成:蝕刻液的化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不相同,蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&;堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題,蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:352432

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析

蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響,或者用樂觀的話來說,可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加可以降低側(cè)蝕度。這些添加化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密,各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題,后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:101073

影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些?

制造的電路板生產(chǎn)廠家,可提供FR4硬板、FPC軟板、HDI板、金屬基板等PCB打樣及批量生產(chǎn)服務(wù)。接下來為大家介紹影響PCB蝕刻性能的主要因素。 影響pcb蝕刻性能的因素 1. 蝕刻的選擇和成分: 蝕刻的選擇和成分對(duì)蝕刻過程和結(jié)果至關(guān)重要。不同的蝕刻具有不同
2024-03-28 09:37:021902

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻罐中一段時(shí)間,轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸,然后轉(zhuǎn)移到最終沖洗和旋轉(zhuǎn)干燥步驟。濕法蝕刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在該水平以下,需要控制和精度,需要干法蝕刻技術(shù)。
2024-10-24 15:58:43945

深入探討 PCB 制造技術(shù):化學(xué)蝕刻

優(yōu)點(diǎn)和局限性,并討論何時(shí)該技術(shù)最合適。 了解化學(xué)蝕刻 化學(xué)蝕刻是最古老、使用最廣泛的 PCB 生產(chǎn)方法之一。該過程包括有選擇地從覆銅層壓板上去除不需要的銅,以留下所需的電路。這是通過應(yīng)用抗蝕材料來實(shí)現(xiàn)的,該抗蝕材料可以保護(hù)要保持導(dǎo)
2025-01-25 15:09:001518

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