我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法,并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時(shí)間變化,和抗蝕劑寬度對(duì)幾何形狀的影響,并對(duì)蝕刻過程進(jìn)行了數(shù)值模擬。驗(yàn)證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致,表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測蝕刻截面的幾何形狀。
2021-12-14 17:12:05
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不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對(duì)蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,氯化鐵產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快,但氯化銅產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快最光滑的表面質(zhì)量。 關(guān)鍵詞:化學(xué)蝕刻;銅
2021-12-29 13:21:46
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摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí),需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解,以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路,研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對(duì)正
2022-01-07 15:07:48
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摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結(jié)果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形被
2022-01-25 10:32:24
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摘要 本文從晶體生長科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級(jí)。對(duì)金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明,晶面是該
2022-01-25 13:51:11
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硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻,通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀,TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對(duì)晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性,可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:25
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的電子和光電子器件的制造中對(duì)高選擇性濕法化學(xué)蝕刻劑的額外需求,還進(jìn)行了廣泛的研究以檢驗(yàn)多種蝕刻溶液。列出了這些蝕刻劑的蝕刻速率、選擇性和表面粗糙度,以驗(yàn)證它們對(duì)預(yù)期應(yīng)用的適用性。盡管頻繁使用GaSb或
2022-05-11 14:00:42
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在濕法各向異性蝕刻中,底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而,還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:26
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引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具,作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:42
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本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅,以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:16
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問題,但會(huì)顯著增加器件制造的復(fù)雜性。顯然,低損傷、摻雜劑選擇性蝕刻技術(shù)對(duì)于HBT制造非常有吸引力。
為了避免這些問題,我們選擇利用光電化學(xué)(PEC)蝕刻。這項(xiàng)技術(shù)使用弱電解質(zhì)作為電化學(xué)電池的一部分。紫外光
2022-07-12 17:04:38
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信號(hào)分析儀可以幫助工程師分析數(shù)字信號(hào)的時(shí)序波形,了解通信協(xié)議的傳輸特性和錯(cuò)誤情況,從而優(yōu)化和調(diào)試通信系統(tǒng)的性能。
電源電子學(xué)應(yīng)用:高精度的波形分析對(duì)于確保電源電子器件的穩(wěn)定性至關(guān)重要。混合信號(hào)分析
2025-01-21 16:45:44
PCB,電路板,基板上面如何出現(xiàn)電路呢?這就要蝕刻來實(shí)現(xiàn)。所謂蝕刻,先在板子外層需保留的銅箔部分,也就是電路的圖形部分,在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層,然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層,一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
可按下式計(jì)算:排放量=(分析值-規(guī)定值)/分析值 *總體積式中:排放量-從蝕刻槽中排出廢液的體積(l)分析值-由化學(xué)分析得出的銅含量(g/l)規(guī)定值-配方中規(guī)定的銅含量(g/l)總體積-蝕刻槽中蝕刻液
2018-02-09 09:26:59
,通過光化學(xué)法,網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層,然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔,在單
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響,有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的。現(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的,它所以重要是因?yàn)樗谟≈齐娐钒逯圃旃に囍兄苯佑绊懜呙芏燃?xì)導(dǎo)線圖像的精度和質(zhì)量。當(dāng)然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素
2013-10-31 10:52:34
工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。 以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅可以用電解的方法分離出來
2018-09-13 15:46:18
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào):JFKJ-21-830作者:炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性(晶體)化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù),其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是:(1)具有原子級(jí)光滑面的光學(xué)設(shè)備(波導(dǎo)、激光器)減少損失(2)MEMS,其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個(gè)蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面,并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個(gè)非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
,非常需要尋找可能更適合器件制造的其他蝕刻劑。2. 蝕刻率研究在我們的研究中,我們使用通過低壓金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在半絕緣、Cr 摻雜、取向的 GaAs 襯底上生長的 InGaP 層。AsH3、PH3
2021-07-09 10:23:37
的,并且在光刻膠顯影步驟后驗(yàn)證了附著力。沒有參考文獻(xiàn)提到在濕蝕刻過程中使用預(yù)涂層處理來提高附著力,也沒有觀察到對(duì)濕蝕刻輪廓的影響,這通常歸因于蝕刻劑的 GaAs 晶體結(jié)構(gòu)和特性。 背景: 流程變更 對(duì)我們
2021-07-06 09:39:22
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號(hào):JFKJ-21-047作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html抽象的:在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
的 Au 膜的 SEM 圖像。金屬輔助化學(xué)蝕刻:為了進(jìn)行 MacEtch,將帶有 Au 圖案的 Si 晶片浸入乙醇、HF(49 wt%)和 H2O2(30 wt%)的 1:1:1 (v/v) 混合物中 5
2021-07-06 09:33:58
工藝中的蝕刻。目前,錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外,在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
)的特性制冷劑的分類 氟哩昂的特性制冷劑的要求 熱力學(xué)的要求在大氣壓力下,制冷劑的蒸發(fā)溫度(沸點(diǎn))ts要低。這是一個(gè)很重要的性能指標(biāo)。ts愈低,則不僅可以制取較低的溫度,而且還可以在一定的蒸發(fā)溫度to下
2011-02-21 15:51:57
進(jìn)行噴淋蝕刻精細(xì)線路過程中溝道內(nèi)流體分析。通過分析溝道內(nèi)側(cè)壁,底部流體的相對(duì)速度,可以得到溝道內(nèi)各部位擴(kuò)散層的相對(duì)厚度。最后獲得的擴(kuò)散層相對(duì)厚度決定了各個(gè)部位蝕刻反應(yīng)的相對(duì)速度?! ≡诰?xì)印制電路制作
2018-09-10 15:56:56
噴灑在板子的表面。它把新鮮的溶液噴灑在板子上,具有很高的蝕刻速率。下列因素決定了蝕刻的均勻程度: 1 )噴灑樣式、力量、噴灑量的一致性和排放的位置; 2) 蝕刻劑的化學(xué)性能、泵的壓力、噴嘴的外形
2018-09-11 15:27:47
做,可以有較低的成本及較短的生產(chǎn)時(shí)間。化學(xué)鍍工藝最大特色是,只需利用一系列的氧化還原反應(yīng),將鎳金/鎳鈀金選擇性的成長在鋁墊上,完全不需要經(jīng)過高真空濺鍍/黃光工藝/蝕刻工藝,因此成本可降低,生產(chǎn)時(shí)間也可
2021-06-26 13:45:06
是半導(dǎo)體制造,微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程,需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài),這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻,因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物,其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高,因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案,選擇性大于100:1。
2021-01-08 10:12:57
燃料電池是直接將化學(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電裝置,是清潔、高效的新能源。燃料電池催化劑是燃料電池的重要組成部分,它在很大程度上影響燃料電池的性能。氧電極催化劑的催化活性直接影響到電池的過電位、交換電流
2011-03-11 12:46:10
電解合成的;鋁、鈉等輕金屬的冶煉,銅、鋅等的精煉也都用的是電解法;②機(jī)械工業(yè):要用電鍍、電拋光、電泳涂漆等來完成部件的表面精整;③環(huán)境保護(hù):用電滲析的方法除去氰離子、鉻離子等污染物;④化學(xué)電源;⑤金屬
2017-10-16 10:06:07
大量涉及蝕刻面的質(zhì)量問題都集中在上板面被蝕刻的部分,而這些問題來自于蝕刻劑所產(chǎn)生的膠狀板結(jié)物的影響。對(duì)這一點(diǎn)的了解是十分重要的, 因膠狀板結(jié)物堆積在銅表面上。一方面會(huì)影響噴射力,另一方面會(huì)阻檔了
2017-06-24 11:56:41
工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液,與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學(xué)反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液?! 〈送?,在市場上還可以買到氨水/硫酸氨蝕刻藥液。以硫酸鹽為基的蝕刻藥液,使用后,其中的銅
2018-09-19 15:39:21
采用RCC與化學(xué)蝕刻法制作高密度互連印制板 &
2006-04-16 21:23:49
1582 PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析
本文主要對(duì)PCB表面處理工藝中兩種最常用制程:化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進(jìn)行分析。
2009-11-17 13:59:58
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評(píng)論