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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...
客戶線路設(shè)計(jì)好過蝕刻線的時(shí)候，若銅箔規(guī)格變更后而蝕刻參數(shù)未變，造成銅箔在蝕刻液中的停留時(shí)間過長(zhǎng)。因鋅本來就是活潑金屬類，當(dāng)LED廣告屏PCB上的銅線長(zhǎng)時(shí)...
微弧氧化又稱微等離子體氧化，是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合，在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時(shí)高溫高壓作用，生長(zhǎng)出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。
使用化學(xué)沉銅鍍液，對(duì)沉銅速率有一定的技術(shù)要求。速率太慢就有可能引起孔壁產(chǎn)生空洞或針孔；而沉銅速率太快，將產(chǎn)生鍍層粗糙。為此，科學(xué)的測(cè)定沉銅速率是控制沉銅...
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應(yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...
PCB板在生產(chǎn)過程中，難免因外在因素而造成短路、斷路及漏電等電性上的瑕疵，再加上PCB不斷朝高密度、細(xì)間距及多層次的演進(jìn)，若未能及時(shí)將不良板篩檢出來，而...
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...
當(dāng)今世界信息社會(huì)的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術(shù)的質(zhì)量。雖然微波和光纖被用于長(zhǎng)距離傳輸，但光網(wǎng)絡(luò)也將對(duì)高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關(guān)重要的作用。
由于在室溫下的低電阻率和低材料成本，銅(Cu)被積極地考慮作為高質(zhì)量和大面積TFT-LCD的金屬電極的候選。事實(shí)上，開發(fā)具有低電阻率的金屬電極工藝是下一...
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分...
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...
堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響
我們研究了堿性刻蝕表面形貌對(duì)p型單晶硅片少數(shù)壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計(jì)算算術(shù)平均粗糙度(Ra)和...
還有一種情況就是PCB蝕刻參數(shù)沒有問題，但蝕刻后水洗及烘干不良，造成銅線也處于PCB便面殘留的蝕刻液包圍中，長(zhǎng)時(shí)間未處理，也會(huì)產(chǎn)生銅線側(cè)蝕過度而甩銅。
使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導(dǎo)制造與蝕刻材料對(duì)非晶硅進(jìn)行納米級(jí)厚度控制
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的...
2023-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 803 0
在最近的半導(dǎo)體清潔方面，以生物堿為基礎(chǔ)的RCA清潔法包括大量的超純和化學(xué)液消耗量以及清潔時(shí)多余薄膜的損失； 由于環(huán)境問題，對(duì)新的新精液和清潔方法的研究正...
不同蝕刻時(shí)間對(duì)多孔硅結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)...
利用FFM機(jī)制進(jìn)行的極微細(xì)機(jī)械加工
隨著超精密加工技術(shù)的發(fā)展，在機(jī)械加工中也需要納米級(jí)的加工控制技術(shù)，從這個(gè)觀點(diǎn)出發(fā)，近年來，利用掃描型探針顯微鏡(SPM)的極微細(xì)加工技術(shù)被廣泛研究1）～...
引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因?yàn)樽罱耐|(zhì)外延生長(zhǎng)已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進(jìn)行高速硬X射線檢測(cè)，并在硅基本透明的...
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測(cè)量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種...
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