噴霧特性與蝕刻特性的相互關(guān)系

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對(duì)蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進(jìn)行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-14 標(biāo)簽：特性蝕刻噴霧 750 0

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-04-18 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅片 740 0

淺析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫(xiě)，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...

2023-10-18 標(biāo)簽：mems晶圓芯片制造 738 0

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標(biāo)簽：電路板蝕刻PCB 727 0

PCB全制程流程介紹

通過(guò)光學(xué)反射原理將圖像回饋至設(shè)備處理，與設(shè)定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點(diǎn)位置

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb蝕刻基板 726 0

一文解析齊平電路技術(shù)和嵌入式電路工藝

WUS提供了更多實(shí)例。圖7和圖8展示了齊平嵌入工藝與傳統(tǒng)mSAP減成法工藝在加工外層或內(nèi)層1盎司或0.5盎司銅箔時(shí)的差異。很多時(shí)候，根據(jù)密度的不同，齊平...

2023-09-26 標(biāo)簽：pcb嵌入式激光 697 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對(duì)器件性能的影響

退火后對(duì)結(jié)特性的剝離和清潔對(duì)于實(shí)現(xiàn)預(yù)期和一致的器件性能至關(guān)重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會(huì)導(dǎo)致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強(qiáng)這些效應(yīng)，令...

2022-05-06 標(biāo)簽：蝕刻晶片清洗 683 0

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測(cè)

傳統(tǒng)的2D視覺(jué)技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測(cè)。3D成像技術(shù)則以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標(biāo)物的狀態(tài)，無(wú)論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標(biāo)簽：pcb蝕刻光譜 629 0

一種制備PS層的超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強(qiáng)化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測(cè)發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝超聲波蝕刻 609 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過(guò)去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 608 0

金屬納米顆粒通過(guò)水基剝離方案使用嵌段共聚物模板

隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來(lái)越重要，確定可擴(kuò)展和廉價(jià)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)這些變成了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納...

2023-10-26 標(biāo)簽：薄膜蝕刻PVA 590 0

一種基于摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的新型納米制備方法

在本研究中，通過(guò)對(duì)目標(biāo)區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過(guò)各種...

2022-05-13 標(biāo)簽：納米蝕刻加工 590 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類(lèi)似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 582 0

第一原理化學(xué)反應(yīng)流模型的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用

本研究的目的是開(kāi)發(fā)和應(yīng)用一個(gè)數(shù)值模型來(lái)幫助設(shè)計(jì)和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個(gè)已知的NF3/02氣體的等離子體動(dòng)力學(xué)模型，通過(guò)與實(shí)驗(yàn)蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻模型 570 0

柵欄狀蝕刻銅箔上的摻氟碳量子點(diǎn)界面層

由于其卓越的能量密度和長(zhǎng)壽命，鋰離子電池(LIBs)廣泛用于電動(dòng)設(shè)備，如軍用無(wú)人機(jī)、電動(dòng)車(chē)輛和動(dòng)力輔助服，這些設(shè)備需要高重量或體積能量密度。然而，盡管在...

2023-09-04 標(biāo)簽：鋰離子電池電極蝕刻 557 0

臭氧輔助硅蝕刻技術(shù)的研究

本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過(guò)臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測(cè)量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臭氧蝕刻 520 0

車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)

我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車(chē)輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車(chē)輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻測(cè)量 499 0

典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn)，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...

2025-01-21 標(biāo)簽：元件雷射蝕刻 472 0

半導(dǎo)體制程工藝小課堂6（下）基板的物理蝕刻

每日工藝小課堂集合, ? ? ?

2022-08-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻基板 431 0