不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進行化學蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實驗研究表明，氯化鐵產(chǎn)生的化學腐蝕速率最快，但氯化銅產(chǎn)生的化學腐蝕速率最快最光滑的表面質(zhì)量。 關鍵詞:化學蝕刻；銅
2021-12-29 13:21:46
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可以用來鈍化III-V表面。本研究通過SRPES研究了濕化學處理后的一個(nh4)2s鈍化步驟的影響。此外，我們還分別用接觸角(CA)、掃描隧道顯微鏡(STM)和電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)對各種處理后的表面潤濕性能、形態(tài)和蝕刻速率進行了研究。 實
2022-01-12 16:27:332762 
濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中進行化學蝕刻來
2022-03-28 14:20:491574 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191960 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅蝕刻速率。
2022-04-22 14:06:011908 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產(chǎn)生溝槽結構的簡單技術，通過使用(110)Si的取向相關蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側壁的溝槽，與該技術一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600∶1
2022-05-05 10:59:151463 
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了
2022-06-14 13:54:301646 
引言 正在開發(fā)化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:424326 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導體的選擇性側壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴?b class="flag-6" style="color: red">硅微米和納米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強化學氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
的晶片 (111)取向的Si晶片幾乎不受堿性溶液的侵蝕，因為在這里整個晶片表面形成蝕刻停止。因為晶片的實際取向通常相對于理想晶面傾
2022-07-11 16:07:222920 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現(xiàn)性。在MACE期間
2022-07-14 17:19:331868 
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產(chǎn)率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
?？梢酝ㄟ^高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分?！ ?．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子
2018-11-22 16:02:21
的發(fā)生不僅要進行充分漂流，而且還要進行充分干燥處理?？梢酝ㄟ^高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分?！ ?．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍
2013-11-04 11:43:31
通過高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分。 2．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍
2018-08-29 09:55:15
，組裝時必須根據(jù)沉錫的先后順序進行?！ ?、沉銀 沉銀工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速;即使暴露在熱、濕和污染的環(huán)境中，銀仍然能夠保持良好的可焊性，但會失去光澤。沉銀不具備化學鍍
2018-11-28 11:08:52
覆→清洗，過程控制相對其他表面處理工藝較為容易?！ ?. 化學鍍鎳/浸金 化學鍍鎳/浸金工藝不像有機涂覆那樣簡單，化學鍍鎳/浸金好像給PCB穿上厚厚的盔甲；另外化學鍍鎳/浸金工藝也不像有機涂覆作為
2018-09-17 17:17:11
令人頭痛的平坦性問題;沉錫板不可存儲太久，組裝時必須根據(jù)沉錫的先后順序進行?！ ?、沉銀 沉銀工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速;即使暴露在熱、濕和污染的環(huán)境中，銀仍然能夠保持
2019-08-13 04:36:05
工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速；即使暴露在熱、濕和污染的環(huán)境中，銀仍然能夠保持良好的可焊性，但會失去光澤。沉銀不具備化學鍍鎳/沉金所具有的好的物理強度因為銀層下面沒有鎳。7
2017-02-08 13:05:30
)→FQA→成品?！ ?2)要點僅對導電圖形進行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學鍍銅，光成像以形成導電圖形，這時候僅對線路和孔及焊盤進行圖形電鍍銅，使孔內(nèi)平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
的距離的同時，還必須同噴淋的壓力結合在一起進行研究和設計，即要達到蝕刻的高質(zhì)量還必須符合經(jīng)濟性、適應性、可制造性、可維修性和可更換性?！ ? 壓力：在設計時要考慮到壓力對蝕刻液噴淋效果，對基板表面能否形成
2018-09-11 15:19:38
一般不采用強助焊劑?，F(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。1.熱風整平（噴錫）熱風整平又名熱風焊料整平（俗稱噴錫），它是在
2018-07-14 14:53:48
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
。這個蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
半導體激光器非常適合與 Si 光子學的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優(yōu)勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
了腐蝕層。本文討論了一種新開發(fā)的由化學鍍鎳、鈀和金組成的多層涂層系統(tǒng)，作為一種改進工藝。實驗研究如下：用于引線鍵合研究的樣品制備（內(nèi)容略）焊點試件生產(chǎn)加工可靠性研究（內(nèi)容略）引線鍵合可靠性評估（內(nèi)容略
2021-07-09 10:29:30
pcb多層板鍍鎳金板原因分析 1、和虛假的鍍金層,和鎳層水洗時間太長或氧化鈍化,注重純凈水和加強多用熱水洗滌時間控制。 2、化學鍍鎳或鎳圓柱的問題:污染重金屬污染的代理商,建議低電流電解或活性碳濾芯
2017-09-08 15:13:02
一、化學鍍鎳液不穩(wěn)定性的原因1、氣體從鍍液內(nèi)部緩慢地放出鍍液開始自行分解時，氣體不僅在鍍件的表面放出，而且在整個鍍液中緩慢而均勻地放出。 2、氣體析出速度加劇出現(xiàn)上述情況的鍍液，若不及時采取有效
2018-07-20 21:46:42
越來越高，化學鍍鎳/金、銅面有機防氧化膜處理技術、化學浸錫技術的采用，今后所占比例將逐年提高。本文將著重介紹化學鍍鎳金技術。2 化學鍍鎳金工藝原理化學鍍鎳金最早應用于五金電鍍的表面處理，后來以次磷酸鈉
2015-04-10 20:49:20
現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
改善。是絕佳高CP值選擇的MOSFET正面金屬化工藝。接下來，將深入介紹化學鍍工藝如何進行。 一、化學鍍工藝最重要的起始點-前處理(一)鋁墊的清洗和蝕刻 前處理主要是在進行鋁墊的清洗和蝕刻，將鋁墊表面
2021-06-26 13:45:06
否漂流充分。 2.柔性電路板化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:54:35
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
許多小型的金屬品，在電鍍前須要小心去掉棱角，消除刮痕及拋光表面，以達成最完美的基地，鍍后外表才有最好的美觀及防蝕的效果。通常這種鍍前基地的拋光工作，大型物可用手工與布輪機械配合進行。但小件大量者則須
2018-08-29 16:29:01
一般不采用強助焊劑。現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。1.熱風整平（噴錫）熱風整平又名熱風焊料整平（俗稱噴錫），它是在
2018-08-18 21:48:12
流程絕大部分工藝都是相似的。各個工藝環(huán)節(jié)對純水的要求也是大同小異。我們在線路板生產(chǎn)過程中常用到的電鍍銅，錫，鎳金;化學鍍鎳金;PTH/黑孔;表面處理蝕刻等生產(chǎn)過程都需要用到不同要求的純水。此文章轉自
2012-12-12 14:25:08
如題，PCB表面處理聽說有有機涂覆（OSP），化學鍍鎳/浸金，浸銀，浸錫等 這些處理方式在PCB文件中有體現(xiàn)么？如 PCB那一層代表著表面處理方式呢？還是在制板時給廠家說明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
Silane Treatment)，加入傳統(tǒng)處理 方式之后，亦可有此效果。它同時產(chǎn)生一種化學鍵，對于附著力有幫助。
2018-02-08 10:07:46
`求助鋁合金表面鍍化學鎳處理焊接不良問題:1. 焊接后表面發(fā)黑2. 焊接潤濕性不良化學鎳厚度25um, 該產(chǎn)品焊接兩次,一次在孔內(nèi)焊接PIN, 發(fā)現(xiàn)表明發(fā)黑; 二次焊接一個感應器及鋁合金基座, 潤濕不良, 請各位幫忙指導!`
2014-10-14 13:13:22
否漂流充分。 2.柔性電路板化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:38:25
利用復合化學鍍方法在200目銅網(wǎng)上固定硅膠顆粒，得到了Silica-Ni-P的復合化學鍍層，并研究了以它為支持體系，以[Ru(bpy)3]Cl2為敏感物質(zhì)的光學氧傳感器的響應特性。該敏感鍍層具
2009-05-11 20:29:47
11 針對現(xiàn)有電解式測厚儀測量的鍍種有限、測量數(shù)據(jù)難以存儲、處理等迫切需要解決的問題，介紹了一種基于PC 機的數(shù)控電解式化學鍍測厚儀的軟、硬件設計與實現(xiàn)，很好地克服了現(xiàn)
2009-08-21 11:16:428 印制電路板化學鎳/金工藝是電路板表面涂覆可焊性涂層的一種。其工藝是在電路板阻焊膜工藝后在裸露銅的表面上化學鍍鎳，然后化學鍍金。該工藝既能滿足日益復雜的電路板裝
2009-10-17 14:55:0231 ; 化學鍍鎳金工藝原理化學鍍鎳金最早應用于五金電鍍的表面處理，后來以次磷酸鈉（NaH2PO2）為還原劑的酸性鍍液，逐漸運用于印制板業(yè)界。我國港臺地區(qū)起步較早，而大陸則較晚，于1996年前后才開始
2006-04-16 21:24:271211 3 化學鍍鎳金工藝流程作為化學鍍鎳金流程，只要具備以下6個工作站就可滿足
2006-04-16 22:00:293035
印制線路板的化學鍍銀
2009-09-08 15:10:47753 
化學鍍是新新研究出的一種金屬表面處理技術，工藝簡便、節(jié)能、環(huán)保，擁有廣泛的應用。以其優(yōu)良的防護性能和優(yōu)越的功能成為了全世界表面處理技術的一個重要發(fā)展方向。
2010-10-26 14:05:285481 探討印制電路板用化學鍍鎳金工藝
2016-06-15 15:53:570 PCB化學鍍鎳液不穩(wěn)定性的原因及主要因素，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-07-23 09:42:295768 PCB采用不同的樹脂系統(tǒng)和不同材料的基板。樹脂體系的差異將導致處理化學鍍銅的活化效果和處理化學鍍銅的過程中的顯著區(qū)別。
2019-03-03 10:08:211322 復合鍍的過程是物理過程和化學過程的有機結合。一般認為，彌散復合電鍍時，微粒與金屬共沉積過程分為鍍液中的微粒向陰極表面附近輸送、微粒吸附于被鍍金屬表面、金屬離子在陰極表面放電沉積形成晶格并將固體微粒
2019-07-09 15:13:054127 
化學鍍銅的主要目的是在非導體材料表面形成導電層，目前在印刷電路板孔金屬化和塑料電鍍前的化學鍍銅已廣泛應用。化學鍍銅層的物理化學性質(zhì)與電鍍法所得銅層基本相似。
2019-04-25 16:15:0620288 化學鍍是不加外電流而利用異相固相，液相表面受控自催化還原反應在基體上獲得所需性能的連續(xù)、均勻附著沉積過程的統(tǒng)稱，又稱化學沉積、非電解沉積、自催化沉積。其沉積層叫化學沉積層或化學鍍層。與電鍍比較，化學鍍技能具有鍍層均勻、針孔小、不需直流電源設備、能在非導體上堆積和具有某些特殊功用等特色。
2019-06-25 15:23:518825 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。
2019-08-21 11:17:242547 化學鍍鎳層的退除要比電鍍鎳層困難得多，特別是對于高耐蝕化學鍍鎳層更是如此。
2019-08-22 09:15:291102 化學鍍厚銅不需要電鍍設備和昂貴的陽極材料，沉銅后經(jīng)防氧化處理即可進入圖形轉移工序，然后直接進行圖形電鍍，縮短了生產(chǎn)流程，有著非常廣泛的應用。但由于化學鍍厚銅沉積時間長，鍍層較厚，在生產(chǎn)中如果參數(shù)
2019-09-02 08:00:000 化學鍍技術是在金屬的催化作用下，通過可控制的氧化還原反應產(chǎn)生金屬的沉積過程。與電鍍相比，化學鍍技術具有鍍層均勻、針孔小、不需直流電源設備 、能在非導體上沉積和具有某些特殊性能等特點。
2019-12-03 09:31:4310181 PCB線路板的表面處理工藝有很多種，常見的有熱風整平、有機涂覆（OSP）、化學鍍鎳/浸金，沉銀，沉錫等。
2020-07-25 11:20:457507 上期，佰昂講到熱風整平工藝及OSP有機涂覆，兩種不同的線路板表面處理工藝。本期將對其余線路板表面處理工藝及硅凝膠匹配進行詳解。 3.化學鍍鎳/浸金工藝 它不像有機涂覆那樣簡單，該工藝類似于給PCB
2021-12-16 11:59:221038 
半導體行業(yè)需要具有超成品表面和無損傷地下的硅晶片。因此，了解單晶硅在表面處理過程中的變形機制一直是研究重點。
2021-12-22 17:35:401531 
分析化學小型化的一個方便的起點是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形成可能用于化學分析應用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021906 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結構
2022-01-04 17:15:351141 
引言 濕化學蝕刻是制造硅太陽能電池的關鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因為它們可以形成具有隨機金字塔的表面紋理，從而增強單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過在含
2022-01-13 14:47:191346 
薄到150米以下。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘留缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。 在本工作中，我們研究了在硝酸和氫氟酸的混合溶液中，不同硝酸濃度
2022-01-17 11:00:411349 
150米以下。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘留缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻法主要用于生產(chǎn)具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。
2022-02-10 15:42:361275 
摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:372047 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學組成，隨后是使用電子和光學顯微鏡獲得的結果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:421074 
分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。
2022-03-11 13:58:081025 
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮硅。因此，可以實現(xiàn)在氫氧化鉀溶液中對硅的選擇性蝕刻，通過原子精密的AFM可以檢測到硅的蝕刻深度，從而獲得了氫氧化鉀溶液中精確的硅的蝕刻速率。
2022-03-18 15:39:18954 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結晶性
2022-03-18 16:43:111211 
本研究為了將硅晶片中設備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07739 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉移，制備了具有100nm周期性自有序結構的孔和柱陣列納米結構，納米圖案的轉移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學蝕刻的組合過程來實現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54840 
為了形成膜結構，單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:344201 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:491013 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:031412 
引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使
2022-04-08 17:02:102777 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22717 
硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:161531 
硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:461415 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:201074 
為了將硅晶片中設備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:231124 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
(Cu)互連所取代。與鋁不同，銅易受環(huán)境退化的影響，并且由于可靠性問題而不能用于金(Au)引線鍵合。因此，對于Cu互連技術，IC制造商要么用Al覆蓋Cu，要么用Al 成最后的互連層。 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導體使用化學鍍鎳-磷/鈀(NiP-Pd)來覆蓋銅焊
2022-06-09 16:50:393737 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:381689 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:001595 
IPC-4552B-中文版-sm TOC印制板化學鍍鎳 浸金（ENIG）鍍覆性能規(guī)范
2023-12-25 09:44:0730 通過化學鍍鎳沉積增強納米多孔硅光電陰極的光電化學性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關鍵。本文研究了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學行為。這些方法包括將Ni涂層應用于NPSi
2024-01-12 17:06:13866 
化學鍍鎳-化學鍍鈀浸金是一種在金屬表面形成鎳、鈀、金等金屬層的工藝方法。廣泛應用于電子、航空、汽車等領域。本文將對化學鍍鎳-化學鍍鈀浸進行詳細介紹。 化學鍍金材料具有銅-鎳-鈀-金層結構，可以直接
2024-01-17 11:23:032760 
共讀好書 張路非，閆軍政，劉理想，王芝兵，吳美麗，李毅 （貴州振華群英電器有限公司） 摘要： 在微組裝工藝應用領域，為保證印制電路板上裸芯片鍵合后的產(chǎn)品可靠性，采用化學鍍鎳鈀金工藝（ENEPIG
2024-03-27 18:23:132672 
鍍鎳處理工藝步驟 鍍鎳是一種表面處理技術，用于提高金屬零件的耐腐蝕性、耐磨性和裝飾性。以下是鍍鎳的基本工藝步驟： 前處理 ： 除油 ：使用化學或電解除油劑去除金屬表面的油脂。 除銹 ：使用酸洗液去除
2024-12-10 14:43:565571 在高端電子制造領域，化學鍍鎳金工藝猶如一位精工巧匠，為高難度PCB披上華麗而實用的外衣。這項表面處理技術不僅賦予PCB優(yōu)雅的外觀，更重要的是提供了卓越的電氣性能和可靠的焊接特性。捷多邦小編整理
2025-03-05 17:06:08942 隨著芯片技術的飛速發(fā)展，對芯片制造中關鍵工藝的要求日益提高。化學鍍技術作為一種重要的表面處理技術，在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學鍍技術在芯片制造中的應用現(xiàn)狀，分析了其原理、優(yōu)勢
2025-05-29 11:40:561502 
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