一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1457 0

一文詳解氧化剝離技術（1）

光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應用的長期挑戰(zhàn)，例如芯片級光互連、片上光學系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應用中，光發(fā)射機通常被設想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標簽：發(fā)射器蝕刻GaAs 1452 0

多磷酸蝕刻劑的化學特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標簽：化學蝕刻蝕刻工藝 1448 0

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質量。如果希望利用一種自動化方法來...

2023-05-19 標簽：pcb控制系統(tǒng)設備 1423 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進行連續(xù)非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級...

2022-05-11 標簽：光學蝕刻蝕刻工藝 1413 0

使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法

引言 隨著半導體技術的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術正在向多層結構發(fā)展。要想形成多層結構，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積...

2022-01-05 標簽：pcb半導體晶圓 1374 0

晶片濕法刻蝕技術研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標簽：蝕刻晶片 1368 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻晶片 1367 0

側墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質層，從而保護LDD 結構，防止重摻雜的源漏離子注入到LDD結構的擴展區(qū)。側墻是由兩個主要工藝步驟形...

2024-11-09 標簽：集成電路工藝蝕刻 1358 0

操作參數(shù)對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應用一個數(shù)值模型來幫助設計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型，通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標簽：蝕刻晶片CDE 1355 0

硅晶圓蝕刻過程中的化學反應研究

硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質層。為了去除該加工變質層...

2022-04-12 標簽：硅晶圓蝕刻 1339 0

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結合強度內(nèi)聚能1.89...

2022-01-12 標簽：晶圓單晶蝕刻 1336 0

利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...

2023-06-15 標簽：半導體晶圓SiGe 1321 0

一文詳解淺溝槽隔離技術

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術節(jié)點，原始的本征氧化隔離技術（LocOS）已不適應?！案綦x”是指利用介質材料或反向PN結隔離集成電路的有源區(qū)器件，消除寄...

2025-03-12 標簽：集成電路工藝隔離技術 1296 0

硅結構的深且窄的各向異性蝕刻研究

在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應器中研究了硅結構的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術在這種結構上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率...

2022-05-11 標簽：晶圓蝕刻反應器 1277 0

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要 在濕化學加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對于常見的清潔技術RCA clean (SC-1和SC-2) ...

2021-12-27 標簽：半導體超聲波蝕刻 1272 0

一種新的半導體超鹵素深度分析方法

本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-07 標簽：半導體蝕刻 1264 0