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鐵電存儲器

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　　鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。

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鐵電存儲器資訊

國芯思辰 |鐵電存儲器PB85RS2MC可用于PLC控制器，容量可達2M

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-03-27 標(biāo)簽：控制器鐵電存儲器 PLC控制器 1005 0

國芯思辰｜基于LORA的信息采集系統(tǒng)可選用新型鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128，性能兼容賽普拉斯FM25V01-G

在一些工業(yè)環(huán)境應(yīng)用中，測量重量等信息是必不可少的，有的設(shè)備還需要遠程無線傳輸?shù)胶蠖?。對此，基于LORA的信息采集系統(tǒng)應(yīng)運而生。本文就此介紹了拍字節(jié)的PB...

2022-12-08 標(biāo)簽：鐵電存儲器國產(chǎn)替代國芯思辰 753 0

拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C可替代富士通MB85RS128B應(yīng)用在藍牙網(wǎng)關(guān)

藍牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲往往不夠用，這時候就需要外掛存儲器進行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲器(VFRAM...

2022-09-19 標(biāo)簽：賽普拉斯鐵電存儲器富士通 1144 0

國芯思辰｜拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在車身控制器上的應(yīng)用，內(nèi)存達128K，支持SPI接口輸出

在諸多工業(yè)、汽車等對可靠性有高要求的應(yīng)用場景中，通常會使用FRAM存儲器來儲存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、...

2022-09-08 標(biāo)簽：鐵電存儲器國芯思辰 940 0

字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM) PB85RS128的應(yīng)用

在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點（100萬次寫入周期、長達25年以上的數(shù)據(jù)保存時效）。

2023-03-01 標(biāo)簽：存儲器鐵電存儲器安防系統(tǒng) 755 0

瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM以獨特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場

存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，...

2023-01-12 標(biāo)簽：新能源汽車存儲物聯(lián)網(wǎng) 637 0

拍字節(jié)鐵電存儲器PB85RS128助力汽車鑰匙低功耗設(shè)計

在某汽車鑰匙方案中，客戶需要一款128Kb的存儲用來存一些參數(shù)。由于汽車鑰匙產(chǎn)品普遍使用紐扣電池供電，對功耗的要求比較嚴格，一般運行功耗要求10mA以內(nèi)...

2022-11-30 標(biāo)簽：存儲器鐵電存儲器汽車鑰匙 639 0

新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)

拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)

2022-08-27 標(biāo)簽：賽普拉斯存儲器鐵電存儲器 1717 0

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...

2022-02-17 標(biāo)簽：SPI fram 鐵電存儲器 2085 0

4KBit I2C鐵電存儲器MB85RC04V的特點

富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85R...

2022-01-18 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器 1674 0

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點，富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲...

2021-12-11 標(biāo)簽：運行 fram 鐵電存儲器 1002 0

鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點，與EEPROM、FLASH相比，F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長，F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡...

2021-05-11 標(biāo)簽：存儲器 fram 鐵電存儲器 2563 0

FRAM在便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)的應(yīng)用

隨著系統(tǒng)復(fù)雜性不斷增加，包括多個數(shù)學(xué)函數(shù)和算法的復(fù)雜代碼也隨之增加，片上存儲器內(nèi)存容量可能不足。因此便攜式醫(yī)療系統(tǒng)通常需要額外的存儲空間，以便設(shè)計人員使...

2021-05-12 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器非易失性存儲器 711 0

fram是什么存儲器_FRAM技術(shù)特點

鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...

2020-12-03 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器 7693 0

FRAM鐵電存儲器在汽車應(yīng)用方面的優(yōu)勢

相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺，技術(shù)已相當(dāng)成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放心無憂為什么要在...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲器 fram 鐵電存儲器 1416 0

富士通FRAM存儲器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入，高讀寫耐久性（多次讀寫次數(shù)）特長，提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品。富士通提供使用...

2020-05-21 標(biāo)簽：存儲器 fram 鐵電存儲器 1035 0

利用鐵電存儲器作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件，簡稱FRAM。與普通EEPROM、Flash-ROM相比，它具有不需寫入時間、讀寫次數(shù)無限...

2019-08-06 標(biāo)簽：緩沖器通信鐵電存儲器 4050 0

Ramtron全新高速串口F-RAM存儲器系列出樣

Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器...

2011-10-27 標(biāo)簽：F-RAM Ramtron 鐵電存儲器 1712 0

Ramtron推出最新鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) FM24C64C

Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器...

2011-07-22 標(biāo)簽：F-RAM Ramtron 鐵電存儲器 1815 0

鐵電存儲器FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編程序

下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編子程序。程序經(jīng)過應(yīng)用驗證，效果良好(為保證穩(wěn)定性，可以在相應(yīng)地方加入空語句以延時)。

2010-07-22 標(biāo)簽：鐵電存儲器 FM2 3469 0

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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