相比于其他市場，汽車市場更為關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數量已超過8億臺，技術已相當成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放心無憂
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為什么要在汽車中使用“FRAM”?
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與EEPROM和FLASH非易失性內存相比，FRAM在EDR應用上有三大關鍵優(yōu)勢。對于那些有精確時間要求的應用來說，FRAM會立即具備非易失性。這些應用在系統(tǒng)發(fā)生故障時，最重要的數據，如數據記錄器通常會面臨風險。FRAM擦寫周期為10E+14，而EEROM為10E+6，FLASH為10E+5，。因此FRAM是數據記錄器的理想選擇，其數據可持續(xù)寫入。FRAM的讀寫操作功耗低，對于具有獨立有限電源如電池或電容的應用來說，尤其具有高效性。
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FRAM更能適應外界溫度，這意味著工作溫度升高時，其擦寫周期和數據保留更能經受考驗。許多EEPROM耐溫為85°C，在耐溫要求為125°C的汽車應用中，耐擦寫能力會降到10E + 5，因此不適于汽車應用。
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大多數現有的EDR解決方案是將連續(xù)數據記錄到RAM緩沖區(qū)，只有在事故期間觸發(fā)安全氣囊展開算法時才轉移到非易失性內存。因此，如果事故幾乎致命，安全氣囊沒有打開，且電源缺失，碰撞數據將有可能不會保存到非易失性空間。這樣EDR就沒有最后一刻的數據，將無法進行事故還原。由于FRAM可以存儲最后一刻碰撞數據，且不需要任何外部電源，因而可以在這種情況下發(fā)揮關鍵作用。以下為FRAM在汽車應用方面的關鍵優(yōu)勢:
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在SRAM中接近無限次的擦寫周期：
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FRAM可以用作SRAM數據緩沖區(qū)。運行期間，控制器能直接在FRAM中連續(xù)記錄事故。FRAM是一種非易失性內存，掉電情況下也可保存數據。因此，即使主電源發(fā)生災難性的破壞，最后一刻數據也不會丟失。由于數據直接寫入FRAM，因此無需將最后一刻的數據從SRAM轉移到非易失性空間，如EEPROM或Flash中。使用FRAM，無需備用電源，即可保存最后一刻的碰撞數據。
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圖1:Cypress的FRAM擦寫周期與EEPROM和Flash的對比

無寫延遲：
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某些事故需要每秒鐘記錄1000次，以捕捉每一個細節(jié)，這對于現有的EEPROM和基于Flash的EDR而言是個很大的挑戰(zhàn)。EEPROM通常是逐頁存儲數據，每兩頁之間需要幾毫秒的存儲時間延時，從而限制了數據記錄功能。FRAM的“無延遲”寫入功能，使系統(tǒng)設計師可以系統(tǒng)總線速度獲得和寫入實時數據。
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快寫和低功耗：
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FRAM擁有高速串行SPI和I2C接口及高速并行同步訪問，加之其一流的非易失性寫入速度，使得控制器可以用較少的時間將數據寫入FRAM。其功耗只是現有方案總功率的一小部分。
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圖2:Cypress的FRAM能耗與EEPROM和Flash的對比

高可靠性：
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要實現精度、耐受性、可回收性及耐久性的目標，EDR的數據可靠性至關重要。由于此內存空間用來記錄關鍵的傳感器數據，因此汽車應用必須具備高可靠性和數據完整性。lw