制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:平面電阻器 - 底架安裝
RoHS:
電阻:100 Ohms
功率額定值:800 W
端接類型:Solder Pad
長(zhǎng)度:48.26 mm
寬度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
功率損失增大，進(jìn)而影響整個(gè)電路的效率和性能。本文MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將探討MOSFET開關(guān)速度不足導(dǎo)致功率損失的原因，并提供解決方案，以提高系統(tǒng)的性能和效率。一、MO
2026-01-04 10:54:34
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（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者
2025-12-20 10:35:06517 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們來(lái)詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-08 16:38:38548 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件，它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多領(lǐng)域。今天就來(lái)詳細(xì)探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
作為一名電子工程師，在為電動(dòng)汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計(jì) DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時(shí)，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24632 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率 MOSFET 是一種常見(jiàn)且關(guān)鍵的元件。今天，我們要詳細(xì)探討的是 onsemi 公司的 NTMFS5H663NL 這款 N 溝道功率 MOSFET，它具有諸多出色的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-12-02 15:53:58337 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)深入探討一下 ON Semiconductor 推出的 NTMFD5C672NL 雙 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-02 14:58:25273 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件，它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS004N10MC 這款 100V、3.9mΩ、138A 的單 N 溝道功率 MOSFET。
2025-12-01 15:35:07232 
作為電子工程師，在設(shè)計(jì)過(guò)程中，選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天就來(lái)詳細(xì)介紹onsemi推出的NVTYS020N08HL N溝道功率MOSFET，探討它的特性、參數(shù)以及在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-01 09:34:36356 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來(lái)深入剖析onsemi推出的NVMFWS002N10MCL這款N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處能滿足工程師們的設(shè)計(jì)需求。
2025-11-28 16:12:03422 
在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊，了解其特性、應(yīng)用、電氣參數(shù)等方面的內(nèi)容，為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)相關(guān)系統(tǒng)時(shí)提供參考。
2025-11-28 15:20:04237 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它對(duì)設(shè)備的性能和效率有著深遠(yuǎn)的影響。今天，我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。
2025-11-28 14:03:45181 
功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比
2025-11-19 06:35:56
選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 
Vishay MCB HRHA充電電阻器（用于EV混合繞線技術(shù)）具有高能量/體積比，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。Vishay MCB HRHA充電電阻器設(shè)計(jì)用于工業(yè)和汽車電器中的預(yù)充電、放電和有源放電
2025-11-17 10:35:21348 Vishay/Sfernice PEP功率增強(qiáng)型薄膜片式電阻器具有39Ω至900kΩ寬電阻范圍，耐受溫度高達(dá)+250°C。這些電阻器設(shè)計(jì)用于大功率應(yīng)用，具有低噪聲、出色的穩(wěn)定性、低電阻溫度系數(shù)
2025-11-17 10:26:52402 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay/Sfernice RCH功率電阻器設(shè)計(jì)用于安裝到散熱器上，并承受較高的短時(shí)過(guò)載。這些電阻器采用金屬陶瓷厚膜技術(shù)制造，具有出色的特性。RCH功率電阻器為無(wú)電感電阻器，特別適合用于高頻
2025-11-13 15:57:49377 
SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達(dá)40A的每相持續(xù)電流。內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay的先進(jìn)第四代TrenchFET^?^ 技術(shù)，可最大限度地降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay VSMA1094750X02大功率紅外發(fā)光二極管是星形產(chǎn)品組合的一部分，設(shè)有波長(zhǎng)為940nm的紅外發(fā)光二極管。Vishay VSMA1094750X02設(shè)計(jì)采用雙堆疊發(fā)射器芯片。該器件
2025-11-13 14:52:00385 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時(shí)電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時(shí)的電感為0.9
2025-11-13 09:49:18381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些半屏蔽電感器在0A時(shí)的電感為1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標(biāo)準(zhǔn)SMD MiniLED采用預(yù)成型 封裝，引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設(shè)計(jì)用于苛刻環(huán)境的小型大功率產(chǎn)品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，+25°C時(shí)的額定功率為35W。此系列無(wú)感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝，寬
2025-11-12 10:38:47429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專有生產(chǎn)工藝，產(chǎn)生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態(tài)金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成，帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型高設(shè)計(jì)、快速開關(guān)IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧
2025-11-11 15:54:40538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設(shè)計(jì)，尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高，采用半屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用薄型設(shè)計(jì)，采用繞線鐵氧體磁芯，采用鐵嵌入環(huán)氧樹脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器的電感范圍為0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗
2025-11-11 15:25:04328 
Vishay/Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器采用屏蔽、組裝的鐵氧體結(jié)構(gòu)，封裝尺寸為7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的電感范圍為3.μH至1000μH，電感容差為
2025-11-11 15:05:09391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率電感器采用表面貼裝器件（SMD）端接類型和5mmx5mmx4mm尺寸封裝。該電感器的電感范圍為0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19307 
Vishay/BLUETOOTH IHLL-0806AZ-1Z功率電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會(huì)導(dǎo)致 電感飽和。該款電感器采用磁保護(hù)復(fù)合材料制造而成。IHLL-0806AZ-1Z功率電感器采用
2025-11-11 14:12:40358 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay IHV功率電感器是大電流和徑向引線濾波電感器。這些電感器的額定電感高達(dá)200μH，最大直流電流范圍為20A至60A。IHV濾波電感器在空載條件下的工作溫度范圍為-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15469 
Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達(dá)55A的穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。其內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進(jìn)的TrenchFET^?^ 技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩(wěn)壓器每相提供高達(dá)50A的持續(xù)電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規(guī)電阻器，工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒(méi)有外部輻射的冷系統(tǒng)。這些無(wú)感電
2025-11-11 09:36:33388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級(jí)具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質(zhì)陶瓷PTC組成，封裝在UL 94V-0認(rèn)證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標(biāo)準(zhǔn)240J和高能340J選項(xiàng)，可提供大量的浪涌功率循環(huán)。
2025-11-10 10:38:57361 
選型手冊(cè)：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗
2025-11-05 15:53:52207 N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管
2025-10-31 09:35:26
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽車級(jí)N通道MDmesh DM6半橋拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET，提供650V阻斷電壓。該功率MOSFET符合AQG
2025-10-24 09:17:32684 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機(jī)。
2025-10-10 11:22:27700 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 14:59:08
0 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換損失，優(yōu)化用于5V柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2025-09-22 15:43:41635 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141109 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-03 18:34:35
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)
2025-06-03 15:39:43
CCG8 使用 GPIO 來(lái)控制 FET 柵極驅(qū)動(dòng)器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2025-05-28 06:51:33
近日，索尼（中國(guó)）有限公司正式發(fā)布新款雙芯超旗艦頭戴降噪耳機(jī)——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:351797 引言
隨著電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展[1-2]，已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件，最常用的有適用于大功率場(chǎng)合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場(chǎng)合但快速性較好的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
和計(jì)算領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換效率和功率密度，顯著改善了前代產(chǎn)品的性能。SiHK050N65E采用了先進(jìn)的n-channel設(shè)計(jì)，與之前的MOSFET相比，具備48.2%的導(dǎo)
2025-03-27 11:49:46945 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8623SL雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 16:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8844SL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-26 15:55:520 做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
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2025-03-12 16:58:360 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
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2025-03-07 13:56:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7904FJ-X N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-07 09:35:150 )與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
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2025-03-05 17:42:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1754SIX N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-03-05 17:07:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTD1534MFJO N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 17:26:501 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTD1534MFJ N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 17:24:421 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTD1534MFLD N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-04 17:23:362 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
特點(diǎn)根據(jù)IEC 61249-2-21，無(wú)鹵素定義?TrenchFET?功率MOSFET?PWM優(yōu)化?100%Rg測(cè)試?符合RoHS指令2002/95/EC
2025-02-17 11:32:12
近日，碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應(yīng)用帶來(lái)突破性的性能表現(xiàn)。 作為碳化硅技術(shù)
2025-02-17 10:28:44943 蘋果公司即將迎來(lái)其智能手機(jī)產(chǎn)品線的新成員——新款iPhone SE。據(jù)消息透露，這款新設(shè)備最早將于下周在蘋果官方網(wǎng)站上發(fā)布，并計(jì)劃在本月晚些時(shí)候正式上市銷售。
2025-02-08 16:52:271503 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-01-22 11:03:221221 
*附件：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
的MOSFET技術(shù)，這是一種由半導(dǎo)體功率元件構(gòu)成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)器件。與傳統(tǒng)繼電器相比，它無(wú)需通過(guò)物理觸點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)電路的接通與斷開，而是通過(guò)微弱的控制信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件MOSFET。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)了無(wú)火花、無(wú)噪聲的電路切換，還從根本上避免了傳統(tǒng)繼電器中因
2025-01-08 14:12:551094
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