Vishay推出背面絕緣的TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。

Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實現(xiàn)對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

此絕緣設(shè)計令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用，從而設(shè)計人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計靈活性還可減少寄生效應(yīng)，由于無需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。

20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時 0.043 至 4.5V VGS 時 0.037 的低導(dǎo)通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。

目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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Vishay(119655) Vishay(119655)
絕緣(22790) 絕緣(22790)
功率(75065) 功率(75065)
TrenchFET(13689) TrenchFET(13689)
推出(10600) 推出(10600)
背面(5473) 背面(5473)

R1000-800-1E Vishay / Barry Industries品牌平面電阻器

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:平面電阻器 - 底架安裝 RoHS: 電阻:100 Ohms 功率額定值:800 W 端接類型:Solder Pad 長度:48.26 mm 寬度:26.42 mm

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選型手冊：MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-18 15:58:04

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Vishay PEP功率增強型薄膜片式電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Sfernice PEP功率增強型薄膜片式電阻器具有39Ω至900kΩ寬電阻范圍，耐受溫度高達+250°C。這些電阻器設(shè)計用于大功率應(yīng)用，具有低噪聲、出色的穩(wěn)定性、低電阻溫度系數(shù)

2025-11-17 10:26:52

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選型手冊：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-14 12:03:12

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?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為

2025-11-14 10:32:18

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Vishay Sfernice RCH系列功率電阻技術(shù)解析

Vishay/Sfernice RCH功率電阻器設(shè)計用于安裝到散熱器上，并承受較高的短時過載。這些電阻器采用金屬陶瓷厚膜技術(shù)制造，具有出色的特性。RCH功率電阻器為無電感電阻器，特別適合用于高頻

2025-11-13 15:57:49

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Vishay SiC544 40A VRPower?集成功率級技術(shù)解析與應(yīng)用指南

SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達40A的每相持續(xù)電流。內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay的先進第四代TrenchFET^?^ 技術(shù)，可最大限度地降低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的性能。

2025-11-13 15:00:01

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Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析：性能優(yōu)勢與應(yīng)用實踐

Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay

2025-11-13 11:21:53

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Vishay Dale IFDC-5050HZ屏蔽型功率電感器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時電感范圍為3.3μH至

2025-11-13 10:19:04

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?Vishay Dale IFSC-3232DB-01 半屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析

Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。這些電感器在0A時的電感為0.9

2025-11-13 09:49:18

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Vishay Dale IFSC-2020DE-01 半屏蔽功率電感技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些半屏蔽電感器在0A時的電感為1μH至470μH

2025-11-12 16:50:51

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基于Vishay SiJK140E MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低

2025-11-12 14:12:58

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Vishay D2TO35 厚膜功率電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，+25°C時的額定功率為35W。此系列無感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝，寬

2025-11-12 10:38:47

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Vishay Dale WSLF1206功率金屬條電阻器技術(shù)解析

Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專有生產(chǎn)工藝，產(chǎn)生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態(tài)金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成，帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低

2025-11-12 10:08:01

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Vishay Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器技術(shù)解析

Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧

2025-11-11 15:54:40

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Vishay Dale IFSC-2020BZ-01 半屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析

Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設(shè)計，尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高，采用半屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)。Vishay/Dale

2025-11-11 15:42:54

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Vishay Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗

2025-11-11 15:25:04

328

Vishay Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器采用屏蔽、組裝的鐵氧體結(jié)構(gòu)，封裝尺寸為7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的電感范圍為3.μH至1000μH，電感容差為

2025-11-11 15:05:09

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Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK

2025-11-11 13:53:18

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基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C

2025-11-11 13:42:26

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Vishay SiC674A 55A VRPower集成功率級技術(shù)解析

Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達55A的穩(wěn)壓器設(shè)計。其內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET^?^ 技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。

2025-11-11 10:25:45

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基于Vishay SiC653A數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩(wěn)壓器每相提供高達50A的持續(xù)電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術(shù)，最大限度地降低了開關(guān)

2025-11-11 10:16:53

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Vishay ISOA200厚膜功率電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規(guī)電阻器，工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒有外部輻射的冷系統(tǒng)。這些無感電

2025-11-11 09:36:33

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選型手冊：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-11 09:18:36

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選型手冊：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 16:01:46

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選型手冊：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 15:50:16

247

Vishay SiC658A集成功率級技術(shù)解析：打造高效能同步降壓解決方案

Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借先進的MOSFET技術(shù)，可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并

2025-11-10 11:35:58

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選型手冊：MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊：MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗

2025-11-05 15:53:52

207

選型手冊：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

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選型手冊：MOT5122T 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借120V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力，廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、電池

2025-10-31 17:33:14

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英飛凌推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品

2025-10-31 11:00:59

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選型手冊：MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從

2025-10-27 17:19:00

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Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關(guān)器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設(shè)備等電動交通工具的電機驅(qū)動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機。

2025-10-10 11:22:27

700

Vishay推出HVCC一類瓷介電容器系列

Vishay 宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容，該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。

2025-09-30 10:56:06

816

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。

2025-07-10 17:21:52

2287

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率

2025-07-09 18:30:34

MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡

在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)

2025-07-07 10:23:19

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揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

2025-06-27 09:43:53

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初級元器件知識之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號

2025-06-03 15:39:43

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點？

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑，我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點？

2025-05-28 06:51:33

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。

2025-05-09 16:57:26

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Wurth Elektronik推出的一款電阻高的功率電感器——885012207024

885012207024型號簡介 885012207024是Wurth Elektronik推出的一款功率電感，這款功率電感器的損耗因子低至 10

2025-03-28 16:30:32

互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計

結(jié)合 GTR 和功率 MOSFET 而產(chǎn)生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關(guān)器件中，功率 MOSFET 由于開關(guān)速度快,驅(qū)動功率小,易并聯(lián)等優(yōu)點成為開關(guān)電源中最常用的器件，尤其在為計算機

2025-03-27 14:48:50

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)

2025-03-27 11:49:46

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MOSFET與IGBT的區(qū)別

做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百

2025-03-25 13:43:17

MOSFET開關(guān)損耗計算

)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性

2025-03-24 15:03:44

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅(qū)動、BMS

2025-03-04 14:40:34

1237

VISHAY/威世 SI3493BDV-T1-E3 SOT23-6場效應(yīng)管

特點根據(jù)IEC 61249-2-21，無鹵素定義?TrenchFET?功率MOSFET?PWM優(yōu)化?100%Rg測試?符合RoHS指令2002/95/EC

2025-02-17 11:32:12

耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）都是重要的半導(dǎo)體功率器件，它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和MOSFET的特性及用途的介紹：IGBT的特性

2025-01-23 08:20:36

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瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS

2025-01-22 17:04:06

991

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列，助力中壓大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域

近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。

2025-01-22 11:03:22

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瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型

2025-01-13 11:41:38

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Vishay推出背面絕緣的TrenchFET功率MOSFET

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