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cmos技術(shù)

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cmos技術(shù)技術(shù)

CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景介紹

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù)，...

2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 1.1萬(wàn) 0

科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識(shí)

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶體管 NPN晶體管 FinFET 9185 0

cmos技術(shù)方案在設(shè)備視覺上的應(yīng)用

CMOS 成像傳感器采用全球快門技術(shù)，令成像器可捕捉到在快速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景中的圖像，不致令圖像模糊或彎曲。

2017-11-18 標(biāo)簽：安森美 cmos技術(shù) 7705 0

低噪聲放大器的寬帶匹配技術(shù)介紹

低噪聲放大器（LNA）在多種接收機(jī)結(jié)構(gòu)中都作為接收機(jī)第一級(jí)有源器件，承擔(dān)接收機(jī)的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時(shí)提高了輸入信號(hào)的功率，并將信號(hào)...

2023-07-06 標(biāo)簽：接收機(jī)MOS管混頻器 6232 0

PCBA中的地彈是什么？如何減少PCB組裝中的地彈？

接地反彈是PCB組件中的噪聲源。重要的是要防止這種情況，因?yàn)樗鼤?huì)中斷高速或高頻操作。接地反彈的主要原因是電路上不同點(diǎn)的接地電位差。

2023-09-28 標(biāo)簽：電容器晶體管 PCB組裝 5625 0

cmos動(dòng)態(tài)功耗公式，cmos動(dòng)態(tài)功耗和哪些電路參數(shù)有關(guān)

CMOS器件是一種采用CMOS技術(shù)制造的電子器件，具有低功耗、耐電磁干擾、高噪聲免疫性等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子領(lǐng)域。本文將介紹cmos動(dòng)態(tài)功耗公式以...

2023-07-21 標(biāo)簽：電子器件 CMOS技術(shù)CMOS器件 4898 0

光電子應(yīng)用推動(dòng)砷化鎵晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入新時(shí)代

在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星據(jù)麥姆斯咨詢介紹，作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一，GaAs無(wú)處不在，儼然成為每部智...

2018-09-04 標(biāo)簽：光電子 gaas 外延片 4556 0

CMOS技術(shù)的圖像傳感器，對(duì)高性能、高分辨率成像的要求有哪些？

如今，成像推動(dòng)了工業(yè)應(yīng)用的生產(chǎn)力效益，從交通監(jiān)控、車牌識(shí)別，到條形碼掃描、機(jī)器人引導(dǎo)、機(jī)器視覺等等。盡管每種應(yīng)用都有其獨(dú)特的需求（一些需要高幀速率，另一...

2018-09-30 標(biāo)簽：圖像傳感器安森美半導(dǎo)體 cmos技術(shù) 3802 0

寄存器門電路原理分析

當(dāng)前行業(yè)內(nèi)CMOS寄存器電路設(shè)計(jì)往往采用主從鎖存器設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)，這與傳統(tǒng)“數(shù)字電路設(shè)計(jì)”課程上學(xué)到的D觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)基本一致，而鎖存器部分，則采用了傳輸門...

2023-07-13 標(biāo)簽：寄存器 SoC設(shè)計(jì)鎖存器 3738 0

背照式雙雪崩區(qū)單光子雪崩二極管（SPAD）介紹

單光子雪崩二極管（SPAD）的關(guān)鍵特征是能夠探測(cè)單個(gè)光子并提供數(shù)字信號(hào)輸出。

2023-11-21 標(biāo)簽：探測(cè)器圖像傳感器雪崩二極管 3186 0

偏振集成紅外光電探測(cè)器研究進(jìn)展與應(yīng)用

偏振集成探測(cè)器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊，并且無(wú)需圖像配準(zhǔn)對(duì)動(dòng)態(tài)目標(biāo)同時(shí)同地同源探測(cè)與識(shí)別的優(yōu)勢(shì)。

2023-08-15 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外傳感器光刻機(jī) 3090 0

STM32 FSMC操作SRAM的步驟簡(jiǎn)析

本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution,...

2023-07-22 標(biāo)簽：控制器 STM32 CMOS技術(shù) 2480 0

碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力

紫外（UV）光譜可分為UV-A（315~400?nm）、UV-B（280~315?nm）和UV-C（200~280?nm）頻段。由于敏感光譜帶寬很寬，因...

2022-11-03 標(biāo)簽：帶寬碳化硅 CMOS技術(shù) 2431 0

基于二極管橋的差分電容讀出電路分析

本文對(duì)基于二極管橋的差分電容讀出電路進(jìn)行了全面的理論分析?；诶碚撃Ｐ?，給出了電路參數(shù)與讀出電路的幅頻和相頻響應(yīng)之間關(guān)系的數(shù)值模擬。

2023-10-17 標(biāo)簽：二極管差分電容跨阻放大器 2073 0

寄存器的時(shí)序要求有哪些？

對(duì)于下面這個(gè)傳輸門來(lái)說，只有當(dāng)CLK為高電平，即傳輸門打開時(shí)，輸入端I的電平才會(huì)被傳輸?shù)捷敵龆薕，這是一個(gè)正常的傳輸過程。

2023-07-13 標(biāo)簽：寄存器變換器 VDD 2008 0

微流控芯片+光學(xué)時(shí)域拉伸成像系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高通量細(xì)胞成像

成像流式細(xì)胞儀（IFC）是一種極為強(qiáng)大的工具，可應(yīng)用于微生物學(xué)、免疫學(xué)、病毒學(xué)、癌癥生物學(xué)、干細(xì)胞生物學(xué)和代謝工程等多個(gè)領(lǐng)域。

2023-09-19 標(biāo)簽：CCD 微流控芯片 CMOS技術(shù) 1658 0

數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計(jì)格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前，我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：CMOS技術(shù)場(chǎng)效晶體管 FinFET技術(shù) 1570 0

探討光纖中的集成光學(xué)與離散光學(xué)

光纖集成光學(xué)和離散光學(xué)有望成為光子學(xué)集成的一個(gè)新分支。這種集成技術(shù)可以通過離散的方法方便地在一根光纖中控制和操縱光波，也為集成光學(xué)與離散光學(xué)的研究提供了...

2023-03-22 標(biāo)簽：光纖通信光通信光學(xué)器件 1555 0

下一代硅光子技術(shù)會(huì)是什么樣子

摘要在光通信發(fā)展的推動(dòng)下，硅光子技術(shù)已發(fā)展成為主流技術(shù)。目前的技術(shù)已經(jīng)使得集成光子器件從數(shù)千個(gè)激增到數(shù)百萬(wàn)個(gè)，它們主要以數(shù)據(jù)中心通信收發(fā)器的形式出現(xiàn)，...

2023-06-14 標(biāo)簽：收發(fā)器硅光子技術(shù)CMOS技術(shù) 1439 0

ADC模擬電路皇冠上的明珠（2）

隨著無(wú)線通信向高速、寬帶方向發(fā)展，對(duì)于無(wú)線信號(hào)接收機(jī)提出了越來(lái)越高的要求。

2023-07-03 標(biāo)簽：接收機(jī)無(wú)線通信寄生電容 1372 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
系統(tǒng)電源

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LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”

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