盡管存在硅的競(jìng)爭(zhēng)，但無線通信的需求將繼續(xù)推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。
2016-01-07 08:19:55
2343 6月23日，中芯國(guó)際宣布將出資4900萬歐元，收購(gòu)由LFE以及MI控股的意大利集成電路晶圓代工廠LFoundry70%的股份。收購(gòu)?fù)瓿珊?，中芯?guó)際、LFE、MI各占LFoundry企業(yè)資本70%、15%、15%的股比。由穩(wěn)健盈利邁向積極擴(kuò)張，中芯國(guó)際在2016年進(jìn)入擴(kuò)張新時(shí)代！
2016-06-27 14:05:004295 半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，12英寸氮化鎵技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。全面規(guī)模化量產(chǎn)12英寸氮化鎵生產(chǎn)將有助于氮化鎵
2024-10-25 11:25:362337 
12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立，并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約，啟動(dòng)外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目，主要業(yè)務(wù)是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。 ? 該公司位
2025-05-22 01:07:003546 
（GaAs）晶圓上實(shí)現(xiàn)的。光電子驅(qū)動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓市場(chǎng)增長(zhǎng)GaAs晶圓已經(jīng)是激光器和LED技術(shù)領(lǐng)域幾十年的老朋友了，主要應(yīng)用有復(fù)印機(jī)、DVD播放器甚至激光指示器。近年來，LED推動(dòng)了化合物半導(dǎo)體
2019-05-12 23:04:07
、AXT三家公司占據(jù)約95%的GaAs晶圓市場(chǎng)份額。IQE、全新光電、SCIOCS、英特磊等是主要的外延片制造商。IQE市場(chǎng)份額超過50%。Skyworks、Qorvo和Broadcom是全球領(lǐng)先
2019-06-11 04:20:38
芯片業(yè)務(wù)注入上市公司。三安光電子公司湖南三安致力于第三代化合物半導(dǎo)體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發(fā)。南大光電在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司三甲基鎵產(chǎn)品可以作為生產(chǎn)氧化鎵的原材料。
2023-03-15 11:09:59
為進(jìn)一步推動(dòng)光電子與交叉領(lǐng)域的技術(shù)交流、產(chǎn)業(yè)鏈合作和人才培養(yǎng)，展示光電子集成芯片材料、器件、工藝平臺(tái)、仿真設(shè)計(jì)、封測(cè)技術(shù)及其在光通信、數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、多維存儲(chǔ)與顯示、無人駕駛、傳感與成像等領(lǐng)域
2022-02-15 14:45:02
新時(shí)代認(rèn)證時(shí)，檢驗(yàn)記錄可以是電子檔嗎
2016-02-22 11:12:01
之一。由于硅的物理性質(zhì)穩(wěn)定，是最常被使用的半導(dǎo)體材料，近年又研發(fā)出第 2 代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
的成本實(shí)現(xiàn)與SiC相當(dāng)?shù)恼w效率。為什么選擇砷化鎵？成本 -用于砷化鎵二極管的晶圓的原材料成本及其固有的較低制造工藝成本代表了以顯著較低的價(jià)格實(shí)現(xiàn)SiC性能的重要機(jī)會(huì)。封裝砷化鎵二極管的典型成本約為同類
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
光電子應(yīng)用正在推動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代！在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購(gòu)來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
，與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容的硅基光電子器件的研究必將對(duì)信息領(lǐng)域的發(fā)展起到推動(dòng)作用，從而 實(shí)現(xiàn)全硅光互連和全硅光電子集成芯片，開創(chuàng)硅基光學(xué)信息時(shí)代。
2011-11-15 10:51:27
南昌凱迅光電有限公司是南昌市重點(diǎn)引進(jìn)高科技產(chǎn)業(yè)企業(yè)，公司成立于2015年8月，注冊(cè)資金7072萬元人民幣；公司的主要產(chǎn)品為四元系LED芯片和高效率砷化鎵太陽電池外延片；公司在四元系LED芯片及高效率
2016-05-05 17:14:17
“free” electrons, thus making a wafer “N-Type”.施主 - 可提供“自由”電子的攙雜物，使晶圓片呈現(xiàn)為N型。Dopant - An element
2011-12-01 14:20:47
哪些 MCU 產(chǎn)品以裸片或晶圓的形式提供？
2023-01-30 08:59:17
商為了充分利用全球化的資源，近年來已紛紛把主要生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移到中國(guó)。國(guó)外通信系統(tǒng)設(shè)備廠商在中國(guó)生產(chǎn)基地的建立和擴(kuò)大，加大了對(duì)國(guó)內(nèi)光電子器件廠商的采購(gòu)力度，從而擴(kuò)大了國(guó)內(nèi)光電子器件廠商的市場(chǎng)份額。同樣，國(guó)內(nèi)通信系統(tǒng)
2017-12-26 17:36:50
為什么選擇IP？如何開創(chuàng)Internet互聯(lián)新時(shí)代？
2021-05-20 06:15:39
% ,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。
拜產(chǎn)線多樣化與產(chǎn)品組合優(yōu)化外,該公司毛利率穩(wěn)定維持在30~35% 左右,營(yíng)業(yè)利益率與凈利率也尚屬平穩(wěn)。
2016年，公司宣布跨入光通訊市場(chǎng)，并自建EPI，主要
2019-05-27 09:17:13
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營(yíng)完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個(gè)微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
：CMOS一、硅基光電子的發(fā)展趨勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)的光電模塊，有利于產(chǎn)業(yè)化；具有成熟的設(shè)計(jì)包；硅基電子集成：快速EM仿真設(shè)計(jì)硅
2021-07-27 08:18:42
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
硅襯底和砷化鎵襯底金金鍵合后，晶圓粉碎是什么原因，偶發(fā)性異常，找不出規(guī)律，有大佬清楚嗎，求助！
2023-03-01 14:54:11
旨在展示先進(jìn)光電技術(shù)產(chǎn)品，推動(dòng)中國(guó)光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，增進(jìn)中國(guó)光電企業(yè)與世界企業(yè)經(jīng)濟(jì)貿(mào)易交往，為海外公司了解及進(jìn)入中國(guó)光電市場(chǎng)提供一個(gè)平臺(tái)，促進(jìn)中國(guó)光電產(chǎn)、學(xué)、研一體化的發(fā)展。經(jīng)過十多年的發(fā)展，作為中國(guó)
2013-02-27 07:57:38
請(qǐng)問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
Strategy Analytics：砷化鎵和磷化銦支撐光纖網(wǎng)絡(luò)高增長(zhǎng)，模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至4.92億美元
Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報(bào)告“光纖模擬芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)：2
2009-08-11 08:30:401063 聲光電子轉(zhuǎn)盤聲光電子轉(zhuǎn)盤的電路原理圖
聲光電子轉(zhuǎn)盤聲光電子轉(zhuǎn)盤的電原理圖如圖2所示。IC是用于抽獎(jiǎng)品、碰運(yùn)氣等電子游戲玩具或裝置（如電
2010-02-25 16:27:553116 
全球最大的砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(3105)即將在12月13日上柜，由于主力客戶Avago是蘋果iPhone4S最大的贏家，法人預(yù)估穩(wěn)懋第四季EPS可望達(dá)到1元，訂單能見度到明年第一季，且明年?duì)I
2011-11-24 09:08:012130 美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 11:47:281882 梯度凝固法（VGF）等。 （1）液封直拉法（Liquid Encapsulated Czochralski，簡(jiǎn)稱LEC） LEC法是生長(zhǎng)非摻半絕緣砷化鎵單晶（SI GaAs）的主要工藝，目前市場(chǎng)上80%以上的半絕緣砷化鎵單晶是采用LEC法生長(zhǎng)的。LEC法采用石墨加熱器和PBN坩堝，以B2O3作為液封劑
2017-09-27 10:30:42
44 據(jù)悉，LED封裝服務(wù)提供商億光電子和LED外延片及芯片制造商晶元光電五月份綜合收益分別為19.85億新臺(tái)幣（6640萬美元）和18.14億新臺(tái)幣；前者環(huán)比增長(zhǎng)2.43%，但同比下降16.16%，后者環(huán)比增長(zhǎng)8.94%，但同比下降18.07%。
2018-06-15 15:25:001565 光電子器件（photoelectron devices）是利用電-光子轉(zhuǎn)換效應(yīng)制成的各種功能器件。光電子器件是光電子技術(shù)的關(guān)鍵和核心部件，是現(xiàn)代光電技術(shù)與微電子技術(shù)的前沿研究領(lǐng)域，也是信息技術(shù)的重要組成部分。
2018-02-24 10:09:1848247 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545810 將二氧化矽經(jīng)過純化,融解,蒸餾之后,制成矽晶棒,晶圓廠再拿這些矽晶棒研磨,拋光和切片成為晶圓母片.目前晶圓片越來越多的受到了應(yīng)用，本文詳細(xì)介紹了全球十大晶圓片的供應(yīng)商。
2018-03-16 15:05:0875276 氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí)，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 ams（艾邁斯）晶圓代工業(yè)務(wù)部宣布拓展其0.35μm CMOS光電子IC晶圓制造平臺(tái)，幫助芯片設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。
2018-05-08 15:18:001491 據(jù)悉，億光電子、晶元光電以及隆達(dá)電子日前都表示，9月營(yíng)收均出現(xiàn)下滑。
2018-10-15 15:05:001977 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176874 公司主要從事砷化鎵微波集成電路 （GaAs MMIC）晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路／離散元件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基地臺(tái)、低雜訊放大器（LNA）、射頻切換器（RF Switch）、手機(jī)及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器 （ PA ）與雷達(dá)系統(tǒng)上。
2018-12-27 17:48:3112319 EV集團(tuán)與中芯寧波攜手，實(shí)現(xiàn)砷化鎵射頻前端模組晶圓級(jí)微系統(tǒng)異質(zhì)集成 中芯寧波特有的晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成技術(shù)(uWLSI)與EV集團(tuán)的晶圓鍵合和光刻系統(tǒng)相結(jié)合，為4G/5G手機(jī)提供最緊湊的射頻前端芯片組
2019-03-20 14:00:412494 我國(guó)光電子芯片，已在豫北小城鶴壁獲得突破。其中的PLC光分路器芯片早在2012年就實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，迫使國(guó)外芯片在中國(guó)市場(chǎng)的價(jià)格從每晶圓最高時(shí)2400多美元降到100多美元。目前已占全球市場(chǎng)50％以上份額。
2019-06-09 17:31:004428 近日消息，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機(jī)通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上5G布建逐步展開，射頻元件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)期GaAs射頻元件市場(chǎng)將自2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。
2019-07-09 11:37:234289 我們現(xiàn)在之所以能夠通過Wi-Fi或移動(dòng)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無線上網(wǎng)，就是因?yàn)槭謾C(jī)上的無線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578282 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年下游GaAs元件的市場(chǎng)總產(chǎn)值為88.7億美元，預(yù)計(jì)到2023年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到142.9億美元，2019-2024年GAGR為10%。 此處下游GaAs
2020-10-09 10:34:425021 一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體?；瘜W(xué)式GaAs，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入
2020-12-30 10:27:582923 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圓迎來了具有歷史意義的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 華興激光成立于2016年，是一家專注于化合物半導(dǎo)體光電子外延片研發(fā)和制造的企業(yè)，主要基于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)制備以磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）為基底的不同結(jié)構(gòu)和功能的光電子外延片。擁有多條砷化鎵、磷化銦外延片生產(chǎn)線，包括材料外延生長(zhǎng)、微納結(jié)構(gòu)加工和分析檢測(cè)等環(huán)節(jié)。
2021-04-29 10:47:104828 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變?cè)囼?yàn)設(shè)計(jì)的“世界觀”?；逡r底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:585381 
、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點(diǎn)上，作為我們?nèi)A林科納研究的重點(diǎn)，GaAs晶圓是一個(gè)很好的候選，它可以成為二極管等各種技術(shù)器件中最常見的襯底之一。 襯底表面對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能紅外器件和高質(zhì)量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長(zhǎng)的手段長(zhǎng)出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314401 學(xué)習(xí)目標(biāo)
了解光電子學(xué)的過去、現(xiàn)狀和未來
掌握光電子材料和器件基本物理基礎(chǔ)
掌握幾種重要的光電子半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)和光電學(xué)性能
掌握半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的特性
掌握幾類重要的光電子器件工作原理和功能
掌握光電子器件的設(shè)計(jì)方法
2022-05-17 10:34:000 Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級(jí)的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對(duì)其它競(jìng)爭(zhēng)方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421759 對(duì)于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板，晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率，通過在wafer上劃片，劈裂
2022-11-10 10:54:544761 國(guó)產(chǎn)之光?？瓢雽?dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功 中國(guó)蘇州，2022年11月23日——希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司于
2022-11-29 18:06:053670 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì)，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識(shí)別等。
2022-11-30 09:35:3814208 半導(dǎo)體集成電路是在晶圓的薄基板的基礎(chǔ)上，通過制造多個(gè)相同電路而產(chǎn)生的。如同制作披薩時(shí)添加配料之前先做面團(tuán)一樣，晶圓作為半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，是指將硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等生成的單晶柱切成薄片的圓盤。
2022-12-16 10:05:415391 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355313 砷化鎵太陽能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718197 
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-02-11 11:39:352689 
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)襯底外延， 基于自支撐氮化鎵晶圓片的同質(zhì)外延可能是大多氮化鎵基器件的絕佳選擇。
2023-02-14 09:18:101513 
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 、半導(dǎo)體激光器和太陽電池等元件。 砷化鎵材料采用離子注入摻雜工藝直接制造集成電路，盡管由砷化鎵取代硅、鍺的設(shè)想尚未實(shí)現(xiàn)，但它在激光、發(fā)光和微波等方面已顯示出優(yōu)異的性能。砷化鎵外延技術(shù)還有分子束外延和金屬有機(jī)化合物汽相沉積外延。 砷化鎵
2023-02-14 16:07:3810057 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化鎵二極管的兩個(gè)極性時(shí)，電子和空穴就會(huì)在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
2023-02-16 15:28:514882 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010761 來源：X-FAB PhotonixFab將為光電子產(chǎn)品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能制造 中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon
2023-06-19 15:54:251531 
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生
2022-01-17 09:18:47987 
冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)
2022-10-27 11:35:396455 砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810911 砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進(jìn)行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310676 多要素氣象站：推動(dòng)氣象監(jiān)測(cè)進(jìn)入智能化新時(shí)代
2023-09-12 12:00:001118 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來了解一下
2023-11-22 17:21:258105 據(jù)悉，本項(xiàng)目計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)竣工并投入運(yùn)營(yíng)。它是省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺(tái)，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料的2至3英寸激光器和探測(cè)器芯片產(chǎn)線，以及相應(yīng)的器件封裝能力。
2023-12-12 10:34:151506 過程的效率、降低成本，已經(jīng)成為了每一個(gè)企業(yè)都面臨的挑戰(zhàn)。在這個(gè)背景下，SAP作為一家全球領(lǐng)先的企業(yè)管理軟件提供商，為半導(dǎo)體晶圓制造商提供了全面的解決方案，助力推動(dòng)新時(shí)代科技創(chuàng)新。
2023-12-22 13:01:311034 
在功率和光子學(xué)應(yīng)用強(qiáng)勁擴(kuò)張的推動(dòng)下，到2029年，全球化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到58億美元。隨著MicroLED的發(fā)展，射頻探索新的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
2024-01-05 15:51:061961 
據(jù)了解，于2022年7月26日，重慶市經(jīng)信委、巴南區(qū)政府與西安奇芯公司簽署了關(guān)于光電子集成高端硅基晶圓項(xiàng)目的投資協(xié)議，冉光電子集成晶圓制造中心項(xiàng)目確定北京市數(shù)智產(chǎn)業(yè)園區(qū)作為基地，計(jì)劃打造重慶新型光電子集成產(chǎn)業(yè)園及光域科技晶圓制造中心。
2024-02-23 15:51:416332 襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:413483 
作為半導(dǎo)體單晶材料制成的晶圓片，它既可以直接進(jìn)入晶圓制造流程，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件；也可通過外延工藝加工，產(chǎn)出外延片。
2024-04-24 12:26:525874 
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
2024-09-02 11:37:167234 硅晶圓相對(duì)容易處理，并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而，砷化鎵晶圓并不是那么堅(jiān)韌，斷裂是主要的晶圓良率限制因素。在砷化鎵制造線上，電路的售價(jià)很高，通常會(huì)處理部分晶圓。
2024-10-09 09:39:421473 
隨著汽車照明技術(shù)的快速發(fā)展，新型光電子半導(dǎo)體器件不斷涌現(xiàn)，為汽車行業(yè)帶來革新。為保證駕駛安全，AEC Q102標(biāo)準(zhǔn)作為國(guó)際公認(rèn)的規(guī)范，為車載光電子半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和可靠性設(shè)立了嚴(yán)格的要求，對(duì)推動(dòng)整個(gè)汽車行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
2025-01-16 09:22:52976 
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