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標(biāo)簽 > DIMM
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TPS53830:專為DDR5內(nèi)存模塊設(shè)計的高集成度數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器
Texas Instruments TPS53830集成降壓數(shù)字轉(zhuǎn)換器是D-CAP+?模式集成降壓轉(zhuǎn)換器,用于DDR5 on-DIMM電源。TPS538...
2025-09-28 標(biāo)簽:數(shù)字轉(zhuǎn)換器DIMM電流能力 234 0
?SN74SSTVF16857 14位注冊緩沖器技術(shù)文檔總結(jié)
該14位寄存器緩沖器設(shè)計用于2.3V至2.7V V~CC~操作。 除LVCMOS復(fù)位(RESET)\輸入外,所有輸入均為SSTL_2。所有輸出均為...
?SN74SSTVF16859 13位至26位注冊緩沖器技術(shù)文檔總結(jié)
該13位至26位寄存器緩沖器設(shè)計用于2.3V至2.7V V~CC~操作。 除LVCMOS復(fù)位(RESET)\輸入外,所有輸入均為SSTL_2。所有...
?74SSTUB32868 28位至56位帶地址奇偶校驗(yàn)的注冊緩沖器技術(shù)文檔總結(jié)
這款 28 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計用于 1.7V 至 1.9V V~CC~操作。每個 DIMM 需要一個設(shè)備來驅(qū)動多達(dá) 18 個 SDRAM...
?74SSTUB32868A 28位至56位帶地址奇偶校驗(yàn)的注冊緩沖器技術(shù)文檔總結(jié)
這款 28 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計用于 1.7V 至 1.9V V~CC~操作。每個 DIMM 需要一個設(shè)備來驅(qū)動多達(dá) 18 個堆疊的 SD...
?SN74SSTUB32864 25位可配置寄存器緩沖器技術(shù)文檔總結(jié)
這款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器緩沖器設(shè)計用于 1.7V 至 1.9V VCC 工作。在 1:1 引腳配置中,每個 DIMM ...
?TPS53830A 集成降壓數(shù)字轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔摘要
TPS53830A是用于 DDR5 on-DIMM 電源的 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器,可為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、...
2025-09-09 標(biāo)簽:輸出電壓降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)字轉(zhuǎn)換器 515 0
Texas Instruments TPS53830A 數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)深度解析
Texas Instruments TPS53830A集成式數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器具有D-CAP+?模式,適用于DDR5 DIMM電源。該器件為DIMM模塊上的...
2025-08-27 標(biāo)簽:集成式降壓轉(zhuǎn)換器DIMM 280 0
LP2998系列 帶關(guān)斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-29 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器DDR線性穩(wěn)壓器 566 0
LP2998-Q1 用于汽車應(yīng)用的 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-27 標(biāo)簽:DDR3運(yùn)算放大器線性穩(wěn)壓器 619 0
適用于DDR5 On-DIMM 電源的TPS53830A集成式數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器DIMM 304 0
適用于DDR5 On-DIMM 電源的TPS53832A集成式數(shù)字降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器DIMM 394 0
類別:服務(wù)器使用說明 2020-04-15 標(biāo)簽:服務(wù)器硬件DIMM 1.1k 0
V-COLOR推出專為AMD WRX90和TRX50工作站的OC R-DIMM高性能內(nèi)存
臺北2024年5月21日?/美通社/ -- 提供針對AMD WRX90和TRX50主板優(yōu)化的DDR5 OC R-DIMM 提供容量128GB(16GBx...
FORESEE全新工規(guī)級DIMM:高可靠性設(shè)計賦能工業(yè)應(yīng)用
在智能制造與工業(yè)自動化日益精密的今天,數(shù)據(jù)處理的實(shí)時性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo),內(nèi)存條作為存儲系統(tǒng)的核心部件,其性能與穩(wěn)定性直接影響到...
內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo),TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了...
? 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo),TE?Connectivity(以下簡稱“TE”)...
魏少軍、劉雷波團(tuán)隊(duì)提出了DIMM間廣播技術(shù)
2021年6月14日~6月17日,第48屆國際計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)大會(ISCA)通過線上模式順利召開。清華大學(xué)魏少軍、劉雷波教授團(tuán)隊(duì)作了題為“ABC-DIM...
Intel傲騰存儲終極形態(tài)DIMM內(nèi)存明年到來 暫時不會徹底淘汰DDR4
Intel 3D XPoint Optane傲騰存儲科技已經(jīng)誕生了兩種產(chǎn)品形態(tài),分別是面向數(shù)據(jù)中心的PCI-E擴(kuò)展卡樣式固態(tài)硬盤、面向臺式機(jī)和筆記本的M...
FB-DIMM,全緩沖內(nèi)存模組 FB-DIMM(Fully Buffered-D...
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