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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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開(kāi)始導(dǎo)入DRAM運(yùn)作頻率和CPU的總線頻率同步。所以稱為同步DRAM.同步控制的技術(shù)使得CPU和內(nèi)存的Timingcycle同步,計(jì)算機(jī)的整體效率亦大幅...
一、基本概念 最熟悉的兩個(gè)詞語(yǔ)應(yīng)該是RAM與ROM,RAM(Random Access Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體,它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)...
借著大數(shù)據(jù)和深度學(xué)習(xí)的東風(fēng),PIM一下子流行起來(lái)。其實(shí),PIM并不是一個(gè)新概念, 每一個(gè)很靠譜的PIM的綜述文章都會(huì)講那個(gè)開(kāi)始-The Berkeley...
2019-07-04 標(biāo)簽:DRAM深度學(xué)習(xí)RISC-V 8514 0
單片機(jī)控制的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)緩存器的DRAM讀/寫控制過(guò)程
讀取一字節(jié)數(shù)據(jù)的程序段如下: 讀取數(shù)據(jù)時(shí),T1先置1,其后的RD信號(hào)將行地址送到地址線AB上,并使D。觸發(fā)器鎖存Tl,Q,變成低電平,使RAS有效(低電...
聚焦于關(guān)注零售行業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)!我們將在本文中介紹最后一項(xiàng)相關(guān)技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)已在多家商店中引入,并且在不久之后將繼續(xù)被廣泛采用。這些裝置將為消...
2017-11-08 標(biāo)簽:控制器dram可穿戴設(shè)備 8217 0
如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行
對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng),需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中,常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行,速度會(huì)變慢很...
關(guān)于DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析
DRAM: 我們?cè)僬f(shuō)說(shuō)DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory,翻譯過(guò)來(lái)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器。
長(zhǎng)鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案
一、前言:長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺(jué)得他們不是一線頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過(guò)這一次...
2020-10-30 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存芯片合肥長(zhǎng)鑫 7532 0
DRAM的工作原理 DRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)過(guò)程說(shuō)明
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開(kāi)的話題,稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM,并且DRAM是除CPU之外,最為復(fù)雜也最貴的核心部件了,其設(shè)計(jì),仿真,調(diào)試...
DRAM 存儲(chǔ)器是任何計(jì)算設(shè)備的“心臟”,例如智能手機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器等。LPDDR4 主要用于提高智能手機(jī)、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備...
在DRAM Storage Cell章節(jié)中,介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。 為了更清晰的描述 ...
DRAM測(cè)試發(fā)生在晶圓探針和封裝測(cè)試。最終組裝的封裝、終端系統(tǒng)要求和成本考慮推動(dòng)了測(cè)試流程,包括ATE要求和相關(guān)測(cè)試內(nèi)容。
FPGA設(shè)計(jì)中BRAM的知識(shí)科普
FPGA設(shè)計(jì)中,BRAM是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的內(nèi)置存儲(chǔ)資源,F(xiàn)PGA開(kāi)發(fā)需要熟練使用BRAM,今天再?gòu)?fù)習(xí)一下BRAM的知識(shí),包括BRAM的定義、組成、應(yīng)用等等。
2023-08-15 標(biāo)簽:fpgaDRAMFPGA設(shè)計(jì) 7136 0
在將晶圓制成半導(dǎo)體的過(guò)程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中,一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻(Etch)——即,在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻(Etch)工程的成功取決于...
全面介紹新型存儲(chǔ)技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無(wú)限、寫入速度快...
2023-01-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器Nand flash 6929 0
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static Random Access Memory,簡(jiǎn)稱SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Me...
嵌入式應(yīng)用存儲(chǔ)技術(shù)介紹 DRAM發(fā)展動(dòng)態(tài)
DRAM的容量越來(lái)越大,速度越來(lái)越高,價(jià)格也越來(lái)越便宜。DDR3雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)目前的最高容量已經(jīng)達(dá)到16GB,運(yùn)行速率為533至800MH...
2018-03-12 標(biāo)簽:dram嵌入式系統(tǒng) 6500 0
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