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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

從低速Flash到高速Dram，輸出電路有哪些不同？

這篇文章聊一聊輸入輸出（IO）中的輸出。大家都知道IO是芯片跟系統(tǒng)交互的直接路徑，IO做的好與壞系統(tǒng)很容易就能檢測出來。

2018-09-12 標(biāo)簽：Dram Flash 輸出電路 6480 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí)

本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 6469 0

基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒，使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會(huì)有 A0-A16 （因?yàn)?RAS\_n 復(fù)用為 ...

2023-03-15 標(biāo)簽：DRAM DDR4 6415 0

動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器的區(qū)別

SRAM 中的每個(gè)存儲(chǔ)單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 6404 0

R128點(diǎn)燈指南加強(qiáng)篇—LEDC點(diǎn)三色流水燈（WS2812）

R128-DevKit 擁有4顆 WS2812LED，本文將詳細(xì)敘述如何點(diǎn)亮他們。

2023-10-13 標(biāo)簽：led 控制器 DRAM 6384 0

從DDR3到LPDDR4(X)，看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展

DDR從誕生開始，就由于其在時(shí)鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，相較之前SDR單邊傳輸，以double date rate的速率優(yōu)勢，極大提高了帶寬，逐...

2023-03-08 標(biāo)簽：DRAM DDR3 時(shí)鐘 6295 0

如果固態(tài)硬盤沒有了DRAM緩存還能不能工作

在討論固態(tài)硬盤時(shí)經(jīng)常會(huì)聽到“無緩存方案”一詞，缺少了DRAM緩存的固態(tài)硬盤還能正常工作嗎？會(huì)不會(huì)因?yàn)樯倭司彺娑堂?/p>

2020-01-31 標(biāo)簽：閃存 DRAM 固態(tài)硬盤 6268 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢

靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的

2022-11-17 標(biāo)簽：CMOS DRAM 晶體管 6256 0

淺談存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢

對(duì)存儲(chǔ)器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)最突出的主題。SoC設(shè)計(jì)人員無論是使用ASIC還是FPGA技術(shù)，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必...

2014-02-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 SOC 6120 0

DRAM的分類、特點(diǎn)及技術(shù)指標(biāo)

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中廣泛使用的內(nèi)存類型之一。它以其高速、大容量和相...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器 6073 0

基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 6050 0

SAP HANA 和非易失性存儲(chǔ)優(yōu)勢分析

SAP HANA 也對(duì)介質(zhì)的特點(diǎn)做了仔細(xì)的考量，結(jié)合 Main 內(nèi)存的訪問特點(diǎn)（例如容量大、讀多寫少等），很自然的，先把 DCPMM 當(dāng)做字節(jié)尋址的持...

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 非易失性存儲(chǔ)器 5973 0

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

這些年來，記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點(diǎn)出這些...

2021-01-22 標(biāo)簽：處理器 DRAM 5968 1

xilinx仿真實(shí)驗(yàn)：IP核之RAM的配置

背景 RAM和ROM也是類似的，由于這也是常用的IP核，所有完全有必要在這里記錄一下，以后用到了實(shí)際后，再補(bǔ)充到實(shí)際工程中。隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），它可以...

2020-11-21 標(biāo)簽：DRAM SRAM RAM 5905 0

新一代AI/ML加速器新型內(nèi)存解決方案——HBM2E內(nèi)存接口

近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一...

2020-10-23 標(biāo)簽：DRAM 信號(hào)完整性 AI 5888 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡介

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與CPU結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行指令集（程序）和存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)

2020-07-22 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 5875 0

SRAM的基礎(chǔ)電路及原理分析

硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請(qǐng)你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說...

2023-10-01 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 cpu 5847 0

DRAM的矩陣存儲(chǔ)電路設(shè)計(jì)方案

DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，...

2020-12-01 標(biāo)簽：DRAM cpu 存儲(chǔ)單元 5807 0

如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板及利用Zynq DRAM進(jìn)行測試

在本視頻中，我們將學(xué)習(xí)如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板，利用每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序提供的應(yīng)用示例并測試各種外設(shè)。我們將詳細(xì)介紹Zynq DRAM測試，并...

2018-11-29 標(biāo)簽：dram 電路板賽靈思 5670 0

隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長，現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒有得到提升。近日，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布的最新第一代協(xié)議是由對(duì)DRAM容量和帶...

2021-03-17 標(biāo)簽：DRAM DDR FLASH閃存 5612 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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東軟

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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