完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
文章:2274個(gè) 瀏覽:185633次 帖子:82個(gè)
EDN文章中介紹的一些技術(shù)向您展示了如何提高信號(hào)完整性,降低噪聲或降低功耗。我們作為工程師最大限度地提高性能的方法之一就是堅(jiān)持建立設(shè)計(jì)規(guī)則。但是,如果遵...
DRAM實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)最大增長(zhǎng),無(wú)線連接等技術(shù)大有可為
2018年McClean報(bào)告的年中更新中,IC Insights更新了WSTS定義的33個(gè)主要IC產(chǎn)品類別中每個(gè)類別的銷售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)(圖1)。IC Ins...
Kevin K. Chang:解決了DRAM問(wèn)題 提出新的架構(gòu)改進(jìn)DRAM延遲問(wèn)題
在內(nèi)存和存儲(chǔ)代價(jià)高昂的時(shí)候,數(shù)據(jù)移動(dòng)被限制在一個(gè)寄存器大小的塊中,或者最多是來(lái)自磁盤(pán)的512字節(jié)塊。但如今,在存儲(chǔ)容量達(dá)千兆字節(jié)的存儲(chǔ)空間和海量?jī)?nèi)存的情...
DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀
當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),...
dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使...
Memory Controller簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是一個(gè)小部件,它支持Host的特定請(qǐng)求,并對(duì)內(nèi)存設(shè)備進(jìn)行管理約束。從而為host和memory提供正確的功能和...
以SDR SDRAM 為例,DRAM Device 與 Host 端的接口描述
本文則以 SDR SDRAM 為例,描述 DRAM Device 與 Host 端的接口,以及其內(nèi)部的其他模塊,包括 Control Logic、IO、...
MRAM會(huì)取代DDR嗎?簡(jiǎn)單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲(chǔ)產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
深入探討DDR5測(cè)試技術(shù)的最新技術(shù)
DDR SDRAM,是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一,應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到...
淺談IC封裝技術(shù)中常見(jiàn)的10術(shù)語(yǔ)詞解析
在3D IC封裝中,邏輯模塊堆疊在內(nèi)存模塊上,而不是創(chuàng)建一個(gè)大型的系統(tǒng)片上(SoC),并且模塊通過(guò)一個(gè)主動(dòng)交互器連接。
IP新銳芯耀輝多點(diǎn)破局DDR PHY技術(shù)瓶頸
DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號(hào),并發(fā)送到DRAM。
更深存儲(chǔ)器應(yīng)用如何實(shí)現(xiàn)?IDT技術(shù)白皮書(shū)為你解惑
LRDIMM(低負(fù)載雙列直插存儲(chǔ)器模塊) 和 RDIMM(雙列直插存儲(chǔ)器模塊) 為數(shù)據(jù)中心企業(yè)服務(wù)器提供補(bǔ)充解決方案——LRDIMM 針對(duì)需要更深存儲(chǔ)器...
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在...
新式DRAM存取技術(shù)提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)DRAM訪問(wèn)速度
本文透過(guò)對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究,提出一種新的 存取技術(shù) ,可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存( DRAM )單元的訪問(wèn)速度。 超頻...
我們都知道硬盤(pán)的機(jī)械結(jié)構(gòu)應(yīng)該是好用的,我對(duì)那些部分也不感興趣。我的興趣在于大多數(shù)硬盤(pán)背面都有的那一小塊PCB板子,上面有SATA接口和電源接口。
系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師不可不知的DRAM控制器核心結(jié)論
電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示: DRAM控制器藏在您的系統(tǒng)核心芯片系統(tǒng)(SoC)中,可能有兩個(gè),甚至是四個(gè)。有一些精心制作的邏輯小模塊,用于連接SoC內(nèi)部和外部...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |