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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
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據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
據市場研究機構Omdia于2月7日發(fā)布的最新數據,DRAM市場價格正面臨持續(xù)的下滑趨勢,這一趨勢預計至少將持續(xù)到今年第三季度。導致這一狀況的主要原因是I...
Kioxia開源發(fā)布AiSAQ?技術,降低生成式AI的DRAM需求
全球領先的內存解決方案提供商Kioxia Corporation近日宣布了一項重大舉措:以開源軟件的形式發(fā)布其創(chuàng)新的全存儲ANNS乘積量化(AiSAQ)...
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現貨價格趨勢報告顯示,DRAM和NAND閃存市場近期呈現出不同的態(tài)勢。
根據市場調查機構Gartner的最新數據,全球半導體市場將迎來持續(xù)增長。預計2025年,全球半導體收入將達到7050億美元,同比增長12.6%。這一增長...
近日,根據TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內存現貨價格趨勢報告,DRAM和NAND閃存市場近期呈現出截然不同的表現。 在DRAM方面,消費者需求在...
DRAM與NAND閃存市場低迷,DRAM現貨價格持續(xù)下滑
近日,據市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出,DRAM內存與NAND閃存市場近期均呈現出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面,春...
據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 ...
據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解...
據韓媒報道,三星電子已將其1*** DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1***制程DRAM的良率提升至70%,以...
據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1***(1-cyano nanometer)DRAM內存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2...
三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)
近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優(yōu)化現有...
為進一步助力專業(yè)科技人才的培養(yǎng),美光作為創(chuàng)新內存和存儲解決方案領域的全球領軍者,受邀在中國頂尖學府開設 “美光課堂”。該課堂致力于為學生提供一個接觸行業(yè)...
據業(yè)內消息,美光科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,美光近期將具體落實對現有DRAM工廠進行改造的投資計...
SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對...
國產DDR5內存上市,內存市場價格戰(zhàn)一觸即發(fā)
隨著國產DDR5內存的上市,內存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內存作為半導體產業(yè)的明星產品,據市調機構Trendforce預估,2024年全球...
三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎
在CES 2025開幕前夕,三星半導體憑借其在存儲技術領域的卓越創(chuàng)新與突破,以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術,獲得了CES 2025在移動設備、...
SK海力士如何以設計創(chuàng)新實現GDDR7速度新巔峰
挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們在尋求開創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后,將推出一系列文章,展示公司...
TechInsights的最新報告揭示了AI興起對高帶寬內存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機器學習和深度學習等數據密集型應用中,HBM的需求呈現出前...
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