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      標(biāo)簽　>　euv

      euv

      +關(guān)注8人關(guān)注

      EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

      文章：598個 瀏覽：88169次 帖子：0個

      euv資訊

      俄羅斯亮劍：公布EUV光刻機(jī)路線圖，挑戰(zhàn)ASML霸主地位？

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      2025-10-04 標(biāo)簽：EUVASML 8.8k 0

      Coherent Astrella助力實現(xiàn)25-50 nm超快相干EUV

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      EUV光刻技術(shù)面臨新挑戰(zhàn)者

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      2025-02-18 標(biāo)簽：光刻EUV 1.5k 0

      碳納米管在EUV光刻效率中的作用

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      ? 受人工智能和超連接性普及的推動，預(yù)計半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模將在未來十年內(nèi)翻一番。然而，盡管微芯片（從智能手機(jī)到救命醫(yī)療設(shè)備等一切產(chǎn)品的基礎(chǔ)）的需求量空前高漲...

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      DNP突破超2nm EUV光刻光掩模技術(shù)

      Dai Nippon Printing Co., Ltd.(DNP)近期在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，成功實現(xiàn)了適用于超2nm(納米，即10^-9...

      2024-12-23 標(biāo)簽：硅晶圓DNP半導(dǎo)體制造 1.3k 0

      日本首臺EUV光刻機(jī)就位

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      據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日報道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻...

      2024-12-20 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 1.3k 0

      美投資8.25億美元建設(shè)NSTC關(guān)鍵設(shè)施,重點發(fā)展EUV光刻技術(shù)

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      2024-10-26 標(biāo)簽：美光人工智能EUV 1.6k 0

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      2024-10-10 標(biāo)簽：芯片EUVASML 1.1k 0

      新型EUVL技術(shù)問世，超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)線

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      來源：Trend Force 據(jù)STDaily援引日本沖繩科學(xué)技術(shù)研究生院（OIST）官網(wǎng)近日報道稱，該大學(xué)設(shè)計出一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)邊界的極紫外（E...

      2024-08-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV 808 0

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      近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項重大研究報告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體...

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      ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機(jī)，將芯片密度限制再縮小

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      替代EUV光刻，新方案公布！

      來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 隨著英特爾、三星、臺積電以及日本即將落成的先進(jìn)晶圓代工廠 Rapidus盡管各家公司都各自準(zhǔn)備將...

      2024-06-17 標(biāo)簽：光刻EUV 1.2k 0

      中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的十大技術(shù)“瓶頸”解析

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      2024-06-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝EUV 5.8k 0

      ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄，提出Hyper-NA的激進(jìn)方案

      ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數(shù)值孔徑）設(shè)備已經(jīng)打破了之前創(chuàng)下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標(biāo)準(zhǔn)。

      2024-05-30 標(biāo)簽：芯片制造EUVASML 1.5k 0

      臺積電魏哲家與ASML高層會面，是否有意購買高數(shù)值孔徑極紫外光機(jī)臺？

      此前，該公司首席執(zhí)行官魏哲家曾明確表示，過早引入High-NA EUV并無太大經(jīng)濟(jì)效益，直到日前其秘密訪問ASML總部，使市場猜測臺積電是否因此事發(fā)生重大轉(zhuǎn)變。

      2024-05-29 標(biāo)簽：臺積電EUV半導(dǎo)體行業(yè) 1.1k 0

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