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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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使用三個(gè)單相逆變電路就可以組合成一個(gè)三相逆變電路,而使用到IGBT作為開(kāi)關(guān)器件的三相電壓型橋式逆變電路使用最為廣泛,接下來(lái)我們學(xué)習(xí)該電路工作原理。
IGBT失效場(chǎng)合:來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3.1k 0
通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 3.3k 0
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn),如何選擇?
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷,這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流,前級(jí)開(kāi)關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開(kāi)通,這個(gè)...
作為瑞能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大家庭中的重要成員,快恢復(fù)二極管-FRD以其較低的正向?qū)▔航礦F和反向恢復(fù)電荷QRR,能幫助客戶獲得較高的系統(tǒng)整機(jī)效率,兼具出色...
2022-10-10 標(biāo)簽:IGBT快恢復(fù)二極管瑞能半導(dǎo)體 5.7k 0
漏電問(wèn)題的解決方案 為了避免這個(gè)問(wèn)題的發(fā)生,在硬件設(shè)計(jì)的時(shí)候,就加入了感應(yīng)電浪涌濾波器電路,并將浪涌濾波器的接地端于變頻器的外殼相連。
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
2022-10-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 4.8k 0
純電動(dòng)汽車的大功率驅(qū)動(dòng)電機(jī)的功率,高達(dá)100kW以上,以及變頻器內(nèi)部的絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)IGBT管,在運(yùn)行過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生可觀的熱量,需要專門的液壓系統(tǒng)進(jìn)行冷卻。
2022-10-06 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 3.5k 0
柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴...
2022-09-29 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2.2k 0
碳化硅成本何時(shí)下降?超充與換電方案孰優(yōu)孰劣?
續(xù)航以及補(bǔ)能問(wèn)題一直是困擾電動(dòng)汽車發(fā)展的因素,當(dāng)前主流電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動(dòng)...
IGBT模塊在電動(dòng)汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車成本將近10%,占充電樁成本約20%。
2022-09-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 3.6k 0
低壓的光伏經(jīng)過(guò)前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快,海外市場(chǎng)會(huì)多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業(yè)和錦浪。
西門子變頻器常見(jiàn)故障現(xiàn)象分析及處理方法
西門子變頻器主要分為通用型、工程型和專用型三類,不斷推出新產(chǎn)品,其產(chǎn)品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
用觀“燈”維修電磁爐的簡(jiǎn)易方法參見(jiàn)下圖,拆開(kāi)多功能插座,將連在插片上的硬線拆掉,再將白熾燈(俗稱燈泡)燈座的兩根弓f線分別接至斷開(kāi)的兩端,然后安裝在電工...
同惠TH2638A高速精密電容測(cè)量?jī)x應(yīng)用于新能源汽車
目前,新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正在蓬勃發(fā)展,新能源汽車以其低碳、環(huán)保、低成本的優(yōu)勢(shì)受到消費(fèi)者的青睞。
2022-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT測(cè)量?jī)x 2.2k 0
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