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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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在光儲(chǔ)逆變器這一核心系統(tǒng)中,功率器件堪稱(chēng)電能高效轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的“核心樞紐”,其性能表現(xiàn)直接決定了光儲(chǔ)系統(tǒng)的整體效能、運(yùn)行穩(wěn)定性以及經(jīng)濟(jì)性。隨著全球能源...
上海貝嶺榮獲2025年度影響力汽車(chē)芯片獎(jiǎng)
第二十一屆上海國(guó)際汽車(chē)工業(yè)展覽會(huì)于2025年4月23日至5月2日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。作為全球汽車(chē)行業(yè)技術(shù)與市場(chǎng)的重要風(fēng)向標(biāo),本屆車(chē)展吸引了眾多行業(yè)巨...
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
技術(shù)驅(qū)動(dòng)未來(lái):2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動(dòng)核深度解析
技術(shù)驅(qū)動(dòng)未來(lái):2QD30A17K-I-xx雙通道IGBT驅(qū)動(dòng)核深度解析 在電力電子領(lǐng)域,IGBT驅(qū)動(dòng)器的性能直接決定了系統(tǒng)效率、可靠性與安全性?;景雽?dǎo)...
2025-05-03 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 104 0
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑” 1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案
為高壓應(yīng)用注入“強(qiáng)心劑”1QP0650V45-Q IGBT驅(qū)動(dòng)器——高可靠性驅(qū)動(dòng)解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)...
2025-05-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 86 0
英飛凌為電動(dòng)汽車(chē)推出“強(qiáng)力而節(jié)能”的IGBT和RC-IGBT器件
英飛凌科技股份公司推出新一代產(chǎn)品,以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高壓車(chē)用IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求。 ? 這些產(chǎn)品包括專(zhuān)為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的EDT3(第三代...
2025-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌IGBT 144 0
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop...
飛虹半導(dǎo)體兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿(mǎn)落幕
4月,作為國(guó)內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表,飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國(guó)電子展(深圳)以及慕尼黑上海電子展,兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿(mǎn)落幕。
陸芯科技斬獲2024-2025電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域功率半導(dǎo)體年度明星產(chǎn)品獎(jiǎng)
在剛剛落幕的CIAS 2025動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體大會(huì)上,陸芯科技憑借Hybrid-IGBT系列產(chǎn)品的卓越表現(xiàn),一舉摘得【2024-2025功率半導(dǎo)體年度...
2025-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 218 0
功率循環(huán)測(cè)試設(shè)備T3ster:為電子設(shè)備可靠性保駕護(hù)航
庭田科技提供的T3ster采用國(guó)際領(lǐng)先的瞬態(tài)熱測(cè)試技術(shù),能夠精確模擬實(shí)際工作條件下的功率循環(huán)過(guò)程,捕捉元器件在快速溫度變化下的性能表現(xiàn),為產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供可...
2025-04-18 標(biāo)簽:IGBT功率循環(huán)測(cè)試 115 0
瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
近日,2025年4月15日,全球電子行業(yè)矚目的慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。作為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),龍騰攜多款核心產(chǎn)品及應(yīng)用解...
中車(chē)時(shí)代電氣IGBT制氫電源設(shè)備交付突破100臺(tái)
近日,株洲中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中車(chē)時(shí)代電氣”)自主研發(fā)的IGBT制氫電源設(shè)備累計(jì)交付突破100臺(tái),成為國(guó)內(nèi)首家達(dá)成這一里程碑的裝備制造企...
長(zhǎng)晶科技:國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體在新能源汽車(chē)領(lǐng)域的崛起與突破
新能源汽車(chē)的崛起,正以勢(shì)不可擋之勢(shì)重塑著傳統(tǒng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的版圖。這不僅是一場(chǎng)能源利用方式的轉(zhuǎn)變,更是一場(chǎng)深度融合智能化、網(wǎng)聯(lián)化的全面革新。在這場(chǎng)技術(shù)革命中,...
2025-04-16 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT長(zhǎng)晶科技 169 0
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將M...
2025-04-16 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 150 0
近日,浙江翠展微電子有限公司迎來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)盛宴——“技術(shù)賦能·智創(chuàng)未來(lái)”主題沙龍。
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...
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