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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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      igbt資訊

      富士電機IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號對照表

      注：只列出封裝相同之模塊；-50表示RoHs 富士電機S系列PIM模塊

      2010-07-20 標(biāo)簽：IGBT 2.6k 0

      來自英飛凌開發(fā)者社區(qū)的10問10答——IGBT篇

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      Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵...

      2023-08-02 標(biāo)簽：英飛凌電壓IGBT 2.6k 0

      基于EDA仿真驗證進(jìn)行IGBT芯片研發(fā)的方法使用

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      IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優(yōu)勢特征的一種半導(dǎo)體復(fù)合器件，作為功率半導(dǎo)體分離器件的代表，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費電子、工業(yè)控制領(lǐng)域，所涉及領(lǐng)域...

      2022-07-10 標(biāo)簽：IGBTedaMOS 2.6k 0

      持續(xù)缺貨的IGBT國產(chǎn)替代有哪些？

      IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧...

      2023-11-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 2.6k 0

      IGBT主要有三個發(fā)展方向

      IGBT大約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，占到整車成本的5％，是整部電動車成本第二高的元件（成本第一高的是電池）。毫不夸張地說，這就是電動車領(lǐng)域的“核心技術(shù)”。

      2022-07-28 標(biāo)簽：led照明IGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0

      從零了解電控IGBT模塊

      從零了解電控IGBT模塊

      當(dāng)前電動汽車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要...

      2023-11-20 標(biāo)簽：電動汽車模塊IGBT 2.6k 0

      IGBT：新能源汽車的核心

      IGBT：新能源汽車的核心

      隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國最重要的應(yīng)用領(lǐng)域...

      2023-10-21 標(biāo)簽：電動汽車新能源IGBT 2.6k 0

      Mentor Graphics推出全新的MicReD Power Tester 600A產(chǎn)品提供可擴展的解決方案

      近年來，由于空氣問題給環(huán)境帶來惡略的影響，各地都在出臺相關(guān)措施來改變空氣，從而新能源汽車得到廣泛推廣應(yīng)用。目前電動和混合動力車研發(fā)中，工程師面臨關(guān)鍵的一...

      2018-04-27 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0

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      電磁爐的整流橋和Igbt如何搭配？ 電磁爐是目前主流的一種炊具，其使用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行加熱。而電磁感應(yīng)需要一種特殊的電源供給方式，這就需要通過整流橋和I...

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      中頻電阻焊機電源的IGBT保護

      本文從實際應(yīng)用出發(fā)，總結(jié)了過壓、過流與過熱保護的相關(guān)問題和各種保護方法，適用性強、應(yīng)用效果好。

      2011-11-21 標(biāo)簽：電源電阻IGBT 2.5k 0

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      IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。 IGBT 集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大...

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      2017-12-03 標(biāo)簽：mosfet開關(guān)電源igbt 2.5k 0

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      華虹半導(dǎo)體今天正式登錄科創(chuàng)板。華虹半導(dǎo)體本次發(fā)行價為52.00元/股，發(fā)行市盈率為34.71倍，華虹半導(dǎo)體預(yù)計募集資金總額為212.03億元。華虹半導(dǎo)體...

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      2021年6月，富士經(jīng)濟對SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達(dá)到 404...

      2021-06-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2.5k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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        LM2596
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        STM32單片機
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        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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