半導體產業(yè)網獲悉：近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。

推出兼容15V柵壓驅動的低導通電阻SiC MOSFET新產品，標志著昕感科技在大電流低導通電阻產品和技術研發(fā)方面取得新的突破，進一步加速推動新能源領域中功率器件的國產化進程。

■N2M120013PP0產品導通特性及阻斷特性

昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET產品推薦使用-3/+15V驅動柵壓，滿足IGBT應用電路中的+15V驅動要求，便于電力電子系統(tǒng)更新?lián)Q代。同時，降低柵極電壓可以緩解柵極電應力，提升器件的可靠性。

■N2M120013PP0產品閾值電壓-溫度曲線

昕感科技通過器件結構的綜合優(yōu)化設計，實現(xiàn)15V柵壓驅動和高閾值電壓的雙重突破。新產品在25℃室溫下閾值電壓可達3.3V，在175℃高溫下仍可達2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應用中的誤開啟概率，避免應用端器件和系統(tǒng)失效。



昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創(chuàng)新和產品研發(fā)生產，致力于成為國內領先和具有國際影響力的功率半導體變革引領者。

審核編輯：劉清