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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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                            IGBT器件T1通過雙脈沖信號(hào)兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的,VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 標(biāo)簽:IGBTIGBT開關(guān) 5.6k 0
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
                                                        
                            當(dāng)焊接面很大時(shí),因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同,所以在溫度變化時(shí),會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞,直到脫焊。例如,不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。
                                                        
                            有些情況下,IGBT甚至二極管的拖尾電流也有可能發(fā)生振蕩。芯片的內(nèi)部工藝可能激發(fā)LC振蕩(由半導(dǎo)體芯片和上述描述的雜散部分),這種激發(fā)的原理也被作PET...
                                                        IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對(duì)措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí),柵極電壓處于密勒平臺(tái),這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺(tái)電壓恒定。
                                                        一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
                                                        
                            盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于緩沖電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
                                                        
                            IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透...
報(bào)告期內(nèi),華虹半導(dǎo)體產(chǎn)品毛利率為30.3%,較上年度下降3.1個(gè)百分點(diǎn),主要由于產(chǎn)能利用率的下降、人工費(fèi)用、原材料單位成本及折舊成本的上升,部分被平均銷...
                                                        
                            IGBT為絕緣柵雙極晶體管,為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,具有驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等優(yōu)勢。IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān),導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。
對(duì)市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開關(guān)...
2020-03-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 3.3k 0
SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道,IGBT 結(jié)合了 MOS...
                                                        
                            在電子電路中,MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路...
2020-03-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBTMOS 1.6萬 1
3月15日晚間,揚(yáng)杰科技發(fā)布2020年第一季度業(yè)績預(yù)告,預(yù)計(jì)公司第一季度盈利5083.86萬元–5785.08萬元,同比增長45%-65%。
IGBT需求旺盛,國內(nèi)廠商產(chǎn)能大幅開出
集微網(wǎng)消息,2017年以來,功率半導(dǎo)體市場景氣向好,二極管、MOS管、IGBT等功率器件紛紛出現(xiàn)供需偏緊,導(dǎo)致交期延長,價(jià)格數(shù)次調(diào)漲。
嘉興斯達(dá)訂單準(zhǔn)點(diǎn)交付率達(dá)到100%,產(chǎn)量已恢復(fù)節(jié)前水平
受疫情影響,嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體曾遇到開工不足、產(chǎn)能受限的困擾。但一個(gè)月過去后,日產(chǎn)量相比剛復(fù)工已提升了200%。
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