動態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高，動態(tài)均流問題對整個系統(tǒng)的影響就越大。而當(dāng)器件硬開關(guān)的開關(guān)頻率足夠高時，靜態(tài)均流對系統(tǒng)的影響微乎其微。優(yōu)化模塊動態(tài)均流的核心是DC母線設(shè)計和IGBT驅(qū)動器設(shè)計，其目標(biāo)是：

　　確保每個模塊換流路徑中的雜散電感相同；所有并聯(lián)模塊的開通時間和關(guān)斷時間相同。

　　雜散電感和驅(qū)動參數(shù)之間的差異越小，在開通或關(guān)斷過程中的均流就越好。然而，需要注意，電氣導(dǎo)體的周圍存在磁場。模塊并聯(lián)連接的系統(tǒng)中，單個導(dǎo)體的磁場可能會重疊，這取決于模塊之間的接近程度或者模塊組之間的布局。在系統(tǒng)中，對導(dǎo)體而言這種重疊不是完全一樣的。比如，對于系統(tǒng)邊緣的模塊，只有一個與之相鄰的器件，所以磁場的分布不同于那些兩側(cè)都有模塊的器件。IGBT模塊并聯(lián)時的動態(tài)均流如圖1所示。

　　IGBT的開通或關(guān)斷導(dǎo)致電流的變化，而磁場試圖去抵消這種變化，從而影響了開關(guān)速度。因此在開關(guān)過程中，由于每個并聯(lián)橋臂的磁場耦合不同，導(dǎo)致電流在上升或下降時產(chǎn)生不平衡。可以通過調(diào)整換流路徑中的雜散電感來補(bǔ)償電流的不平衡性。

　　圖2介紹了調(diào)整DC母線中雜散電感的方法，調(diào)整的效果如圖3實測結(jié)果所示，如果能夠考慮到所有容差，DC母線通過實驗一旦調(diào)整成功，這種調(diào)整的結(jié)果就可以應(yīng)用到生產(chǎn)中去。正如圖2所示，這里有六個可調(diào)整點。當(dāng)調(diào)整雜散電感時，必須考慮續(xù)流二極管特性的影響。

　　另一個影響模塊動態(tài)均流的參數(shù)是閾值電壓UGE（TO）。該電壓越低，IGBTMOS通道的打開速度就越快，集電極電流上升得就越快。UGE（TO）的不同導(dǎo)致IGBT的開通時間不同，從而導(dǎo)致開關(guān)電流的動態(tài)不匹配。然而，通常來講，現(xiàn)代的IGBT芯片中UGE（TO）的差異很小，所以建議使用相同日期條碼的IGBT模塊來減小這種差異。

　　最后，和靜態(tài)工作一樣，IGBT模塊之間的溫差會影響并聯(lián)均流。因為動態(tài)IGBT參數(shù)受溫度的影響，從而影響并聯(lián)的均流。因此，控制并聯(lián)模塊基板的溫度盡可能均勻有利于IGBT并聯(lián)動態(tài)均流。

　　為了驗證應(yīng)用裝置的可行性，可利用雙脈沖法進(jìn)行測試。通過測試，可以研究并聯(lián)模塊的靜態(tài)和動態(tài)特性。然而，以下幾點需要考慮在內(nèi)：

　　在測試中，由于系統(tǒng)無法對器件加熱，所以雙脈沖測試法無法有效地反映器件溫度的因素。也就是說，無法考慮IGBT正溫度系數(shù)的影響。相應(yīng)地，在雙脈沖測試中，電流分布不均的系統(tǒng)在實際工作中能夠展現(xiàn)更好的平衡性；

　　為了得到正確的結(jié)果，一般建議雙脈沖測試不要在標(biāo)準(zhǔn)半橋電路下測試而是在H橋電路中進(jìn)行。否則，觀測到的電流通路將與在最終應(yīng)用中的電流通路不一致。在實際應(yīng)用中，當(dāng)產(chǎn)生負(fù)載電流時，負(fù)載電感并非直接連接到母線電壓，而總是連接到開關(guān)之間。

　　圖4給出了標(biāo)準(zhǔn)及改進(jìn)型雙脈沖測試電路，測試模塊由三個器件并聯(lián)組成。