本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測方法，以兩單元為例:用模擬萬用表測量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
IGBT并聯(lián)技術(shù)分享
2019-06-18 17:24:14
感抗差異，并對并聯(lián)IGBT的動態(tài)均流產(chǎn)生影響，而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。1.2 并聯(lián)技術(shù)遵循的原則1)模塊的選擇：通過選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元，可以提高器件參數(shù)的一
2015-03-11 13:18:21
摘要：本文主要分析如何實現(xiàn)并聯(lián)IGBT靜態(tài)和動態(tài)過程的均流，并提出了一些用于減少電流不平衡的相關(guān)并聯(lián)方法，以便于客戶并聯(lián)設計。重點突出一些易實現(xiàn)并聯(lián)方案的IGBT模塊新封裝，又提出一些實現(xiàn)并聯(lián)均流
2018-12-03 13:50:08
大電流場合使用IGBT模塊時，可以使用多個器件并聯(lián)。并聯(lián)時，要使每個器件流過均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達到破壞，那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。為使并聯(lián)時電流能平衡，適當改變器件
2021-08-31 16:56:48
IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域.IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定
2021-09-09 08:27:25
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點？IGBT模塊有哪些應用呢？
2021-11-02 07:39:10
短路等?！ ∮捎诨旌向?qū)動模塊本身的過流保護臨界電壓動作值是固定的(一般為7～10V)，因而存在著一個與IGBT散熱器模塊配合的問題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在 IGBT模塊散熱器集電極與驅(qū)動模塊之間
2012-06-19 11:26:00
功率因數(shù)不是1時，負載的無功電壓分量便會加在開關(guān)器件上，為了避免IGBT承受反向電壓而損壞，必須用快速二極管與IGBT串聯(lián)。即使是采用IGBT模塊，由于內(nèi)部已有反并聯(lián)快速二極管，IGBT也不會承受反電壓
2013-02-21 21:02:50
制造成大功率芯片，不能采用平板式結(jié)構(gòu)，只好采用模塊式，雖然安裝方便，但散熱性能差不利于可靠性，這是不爭的事實。五. IGBT的并聯(lián)均流問題目前，國外單管IGBT的最大容量為2000A/2500V，實際的商品器件
2018-10-17 10:05:39
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
峰值電流： RGint：大電流IGBT內(nèi)部會集成一些芯片，每個芯片都有單獨的柵極電阻，RGint是這些柵極電阻并聯(lián)之后的值。集成內(nèi)部柵極電阻的作用是為了實現(xiàn)模塊內(nèi)部IGBT芯片的均流，該思路在做單
2021-02-23 16:33:11
`北汽EU260：IGBT驅(qū)動電路過流故障。能維修嗎？有經(jīng)驗的可以談論。鄺志勇***`
2021-03-13 11:41:08
狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題，就其工作原理進行分析
2012-07-18 14:54:31
IGBT過流保護的保護時間一般設定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來的那？
2017-02-24 11:01:51
.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個單元沒有明顯的故障. 動態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘
2013-06-18 16:13:38
都在不同的IC上進行。IGBT的VCE(sat)不能由一個阻抗表示，比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE串聯(lián)一個固定VFCE電壓，VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是，傳導損耗便可
2019-03-06 06:30:00
DCDC的并聯(lián)均流怎么設計
2022-05-05 11:01:21
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯。現(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導通電...
2021-10-29 07:04:37
主從均流、民主均流，在所有并聯(lián)模塊中，輸出電流最大的那個模塊自動成為主模塊，其他模塊的輸出向這個dcdc電源模塊靠攏。5.還有其他很多方法，例如熱應力自動均流、外加均流控制器的均流等等。
2018-07-28 14:13:50
輸出，或者通過倍壓整流電路將交流電轉(zhuǎn)換為高壓直流電輸出。 利用多個DC-DC模塊電源并聯(lián)均流并實現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定保持，是工程師在實際操作中比較常見的工作之一。此前我們曾經(jīng)為大家介紹過多種不同的并聯(lián)均
2018-10-23 15:58:49
模塊，所有模塊以該模塊為參考，輸出電流，一個主從設置均流法的工作示意圖三從上圖可以看出，在這種工作方式就是用多個電源模塊單元并聯(lián)在一起，其中一個電源模塊工作在電壓源方式，這一個電源為主模塊，其余從模塊
2021-08-05 10:11:22
電容的方法：以上△QRR是二極管存儲電量的最大偏差。我們可以做一個充分安全的假設：條件是所有的二極管均出自同一個制造批號?！鱍RR由半導體制造商所給出。除了續(xù)流二極管關(guān)斷時出現(xiàn)的存儲電量之外，在電容中
2019-07-18 07:00:00
。電流的長尾表示下方IGBT反并聯(lián)二極管中的續(xù)流導致的感應電能。開啟時，去飽和電壓的初始增加是雜散去飽和檢測電動勢的一個例子，這是由于集電極-發(fā)射極電壓瞬態(tài)所導致。可以通過增加去飽和濾波器時間常數(shù)，從而
2019-07-24 04:00:00
的差異，導致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設計了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗結(jié)果，試驗結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
使用。沒有的切記不可并聯(lián)使用。當然，一個開關(guān)電源有均流功能價格就貴點，比如VICOR電源，一般情況下，最多只能并聯(lián)4個模塊，再多了，就需要專業(yè)人員來操作了。如果你將沒有均流的開關(guān)電源并聯(lián)，那么這個開關(guān)電源可能不能均勻的使用，有的模塊過載了，有的模塊還是空載，這樣，不但沒有增加冗余設計，倒增加了模塊的風險，
2021-11-12 08:37:34
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
準備用幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因為在這類應用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
電源的并聯(lián)面臨的一個關(guān)鍵問題是各組成模塊之間的均流。利用電源模塊的智能化和自動控制系統(tǒng)理論，使電源的各個組成模塊成為具有電流跟蹤能力的閉環(huán)系統(tǒng)！由控制規(guī)律而非硬件來實現(xiàn)各模塊之間的均流。如此形成的系統(tǒng)
2018-11-29 11:35:22
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報警的計算機均流技術(shù)方案,實現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6處理器作為主控芯片，實現(xiàn)了一種以CAN總線為通信媒介、具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流/安培時/工藝曲線/遠程控制5種工作模式、液晶圖形顯示的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)(以下簡稱
2018-08-20 10:08:28
集成度、豐富且性能出眾的片上外設、編程復雜度低等優(yōu)點。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實現(xiàn)多個電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
導讀：本文為了實現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設計方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設計。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過
2018-11-29 17:10:58
品種多樣的問題，商品品種在減少，便于了標準化標準的實施。另外，大功率開關(guān)電源選用并聯(lián)均流的方法進行設置，還能夠堅持必定的冗余。所謂冗余，其實指的即是后備電源模塊。例如設3+2臺變換器模塊并聯(lián)，其間3臺
2016-04-07 11:40:06
我照著EXB841的DataSheet上的應用電路搭了一個IGBT的驅(qū)動電路，在測試EXB841的過流保護功能時，發(fā)現(xiàn)模塊沒有起作用，IBGT***掉了，三個腿全通，請問大神EXB841的過流保護要怎么弄?。勘热缯f我要把過流閾值設置為1A，該如何做？IGBT型號為IRGS30B60KPBF。
2015-05-28 10:21:23
兩相交錯并聯(lián)Boost電路，當兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時，應該如何調(diào)節(jié)？？如何實現(xiàn)均流呢？？求助
2016-11-27 14:01:01
剛剛接觸電子負載一段時間，基本了解了單模塊的CV/CI電子負載設計。但是一直有個問題沒搞明白，就是在大功率負載應用時，需要多個電子負載進行并聯(lián)使用，CI模式可以直接并聯(lián)，但是CV模式如何并聯(lián)呢？直接
2018-10-11 17:56:37
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時間進一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去，這一時間范圍
2018-08-20 07:40:12
Power System Architecture)，用小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊并聯(lián)供電的方式，來滿足大功率負載的需要。此外，為了提高供電電源系統(tǒng)的可靠性，要求并聯(lián)工作的模塊有功率冗余。因此分布式供電電源
2011-11-10 11:29:25
有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
（droop-share）”的負載均流方法，每個電源都有單獨的參考和集成的誤差放大器，但隨著負載電流的增加，參考電壓被有意處理為線性減少，從而使得輸出電壓降低一定值。并聯(lián)電源可能會對瞬態(tài)響應和負載調(diào)節(jié)帶來消極影響
2018-10-19 16:48:21
技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設計時，總會把多個電源模塊并聯(lián)一起使用，導致模塊輸出無法均流，使得模塊輸出短路、啟動異常、損壞等現(xiàn)象。要
2015-09-25 09:52:58
如何增加中間端子的雜散電感？電磁場對IGBT模塊并聯(lián)的影響是什么？
2021-06-15 08:26:38
的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管
2019-03-05 06:00:00
及其應用做簡要討論。圖1 多臺開關(guān)電源并聯(lián)均流實現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)自動均流技術(shù)是常用的硬件電流均流技術(shù)之一。該方法是通過均流總線和相并聯(lián)各電源間電流信號的比較獲得相應修正量，來實現(xiàn)各單元電源間電流均勻分配
2011-07-13 15:19:57
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？
2021-03-16 09:24:11
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時的降額問題？
2021-04-08 06:21:04
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
富士IGBT模塊驅(qū)動電路設計方法
2008-01-08 10:45:44
109 為了滿足電動汽車用大功率變換器大電流輸出、高功率密度和高性價比的要求，本文對IGBT 并聯(lián)技術(shù)進行了仿真和實驗研究。在提出實用的半橋IGBT 并聯(lián)測試電路和評價指標的基礎上
2009-02-07 02:22:1440 :介紹了IGBT 擴容的并聯(lián)方法,分析了導致IGBT 模塊并聯(lián)運行時不均流的各種因素,提出了相應的解決措施,并進行了仿真分析和實驗驗證。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流
2009-05-01 09:56:5656 摘要:介紹了IGBT 擴容的并聯(lián)方法,分析了導致IGBT 模塊并聯(lián)運行時不均流的各種因素,提出了相應的解 決措施,并進行了仿真分析和實驗驗證。 關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流; 動態(tài)均流
2011-03-08 15:33:27111 并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:415 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設計
2017-01-24 16:35:0539 T作的動態(tài)電流函數(shù)，并以該電流函數(shù)為核心，建立了IGBT損耗、反并聯(lián)二極管損耗與電路中電流、電壓等強相關(guān)參數(shù)的準確模型，通過編輯IGBT通態(tài)飽和壓降與電流的函數(shù)；IGBT開、關(guān)損耗與電流及T作電壓的函數(shù)；反并聯(lián)二極管通態(tài)壓降與電流的函數(shù)；反并聯(lián)二極管反向恢復損耗
2017-12-08 10:36:0264 特性，嚴重制約了其推廣應用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 的重要因素?；趬航邮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊雙脈沖測試平臺，介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 在大功率系統(tǒng)中，為了擴大電路的功率等級，開關(guān)器件往往會并聯(lián)使用。為了保證絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊工作在安全范圍，需要建立并聯(lián)器件的瞬態(tài)電熱模型。首先，重點分析了結(jié)溫變化對損耗產(chǎn)生
2018-02-01 14:09:060 IGBT模塊的原理及測量判斷方法 GBT模塊的原理及測量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測盈和判斷好壞的方法。場效應管有開關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點，但也
2018-05-18 13:12:0014868 
消防聯(lián)動模塊是用于消防聯(lián)動控制器與其所連接的受控設備之間信號傳輸、轉(zhuǎn)換的一種器件，包括消防聯(lián)動中繼模塊、消防聯(lián)動輸入模塊、消防聯(lián)動輸出模塊和消防聯(lián)動輸入輸出模塊，它是消防聯(lián)動控制設備完成對受控消防設備聯(lián)動控制功能所需的一種輔助器件。
2019-09-07 11:15:2244988 
并聯(lián)的各模塊的外特性呈下垂特性，負載越重，輸出電壓越低。在并聯(lián)時，外特性硬（內(nèi)阻?。┑?b class="flag-6" style="color: red">模塊輸出電流大；外特性軟的模塊輸出電流小。
2020-03-08 11:18:003979 
來源：羅姆半導體社區(qū)? 1、因為并聯(lián)，所以精彩 IGBT與FRD、晶閘管等無元胞器件相比，天生就是并聯(lián)的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯(lián)。正是因為并聯(lián)，才使得IGBT器件的功率容量得以擴展。可以說
2022-11-15 17:18:002696 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 IGBT模塊的并聯(lián)是一個相對復雜的過程，而使用完整功率單元的并聯(lián)是更簡單和更經(jīng)濟的解決方案。?增加可用性，在變頻器故障后系統(tǒng)需要降額運行于應急狀態(tài)。例如，在并聯(lián)的一個功率單元出現(xiàn)故障時，可以通過變...
2021-11-09 11:06:0511 IGBT短路測試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等，必引起器件電流分配不均，嚴重時會使器件失效甚至損壞主電路，因此，IGBT并聯(lián)的重點是考慮如何通過設計確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括：降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:332878 IGBT并聯(lián)
2022-11-15 20:29:263 賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設計與測試驗證。本文將詳細的介紹這款設計。
2023-02-07 09:12:041555 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導體器件，它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進行分類。
2023-02-20 17:32:254883 IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運行模塊非常重要。本文介紹了如何分析模塊參數(shù)對功率模塊并聯(lián)運行的均流和開關(guān)能量不平衡的影響的方法。
2023-03-08 15:06:00321 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態(tài)特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應用于工業(yè)、航空、船舶等領域。本文將為您詳細介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應用以及注意事項等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326 igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強勁的功率半導體器件，被廣泛應用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管，也稱為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應用于各種電子設備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細介紹IGBT反向并聯(lián)二極管的作用、原理、特點
2023-08-29 10:32:243492 IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔大得多的動態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551225 
IGBT動態(tài)測試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種高能效的電力電子設備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題.doc》資料免費下載
2023-11-14 11:33:102
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