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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

長晶科技FST3.0 IGBT新品發(fā)布

長晶科技本次推出了FST3.0(對標(biāo)國際Gen7.0) 650V和1200V系列的三款I(lǐng)GBT單管,主要用于光伏儲(chǔ)能等應(yīng)用。

2024-12-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT長晶科技 1.1k 0

芯片苦盡甘來?大摩看衰這類半導(dǎo)體

但與此同時(shí),摩根士丹利發(fā)布報(bào)告指出,PC半導(dǎo)體上半年的強(qiáng)勁補(bǔ)貨已反映在股價(jià)上。如果終端需求沒有復(fù)甦,下半年展望將更加疲軟,成長動(dòng)能將減弱。因此,大摩調(diào)降...

2023-06-01 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.1k 0

IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IGBT驅(qū)動(dòng)電路

IGBT驅(qū)動(dòng)電路

2009-02-09 標(biāo)簽:IGBT 1.1k 0

具有寄生晶體管的IGBT等效電路

具有寄生晶體管的IGBT等效電路

具有寄生晶體管的IGBT等效電路

2010-02-17 標(biāo)簽:IGBT 1.1k 0

新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7

新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關(guān)IGBT模塊已采用我們最新一代...

2024-10-13 標(biāo)簽:芯片二極管IGBT 1.1k 0

美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch thro...

2013-04-03 標(biāo)簽:IGBT美高森美 1.1k 0

電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT可靠性與壽命估算指南

電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)IGBT可靠性與壽命估算指南

本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:在之前的文章里,我們探討驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電機(jī)控制器在熱應(yīng)力、電應(yīng)力作用下的耐久,討論了為什么做?怎么...

2025-07-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 1.1k 0

IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差會(huì)使 IGBT 芯片受到不均勻的機(jī)械應(yīng)力

IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差會(huì)使 IGBT 芯片受到不均勻的機(jī)械應(yīng)力

IGBT 作為功率半導(dǎo)體器件,其封裝結(jié)構(gòu)的機(jī)械可靠性對器件性能至關(guān)重要。IGBT 封裝底部與散熱器貼合面的平整度是影響封裝機(jī)械應(yīng)力分布的關(guān)鍵因素,當(dāng)貼合...

2025-08-28 標(biāo)簽:芯片封裝散熱器 1.1k 0

安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),應(yīng)用工業(yè)市場

安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),應(yīng)用工業(yè)市場

以下文章來源于安森美,作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵...

2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管 1.1k 0

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品 | CIPOS? Mini IPM 600V 15A 20A 30A TRENCHSTOP? IGBT 7

新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供...

2025-04-01 標(biāo)簽:IGBTIPM三相電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.1k 0

安建團(tuán)隊(duì)赴廣汽集團(tuán)拜訪交流

2024年7月17日,安建董事長兼總經(jīng)理單建安教授與投資人代表胡強(qiáng)先生帶隊(duì)拜訪廣汽集團(tuán),與廣汽集團(tuán)馮興亞總經(jīng)理、廣汽埃安采購及技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了友好交流,探討合作。

2024-07-19 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT廣汽 1.1k 0

高壓技術(shù)是實(shí)現(xiàn)更可持續(xù)未來的關(guān)鍵

  隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長,高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案,使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。

2023-03-14 標(biāo)簽:電源IGBTSiC 1.1k 0

英飛凌為感應(yīng)加熱應(yīng)用推出新一代逆導(dǎo)IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-...

2014-02-24 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 1.1k 0

IGBT7系列分立器件核心知識(shí)點(diǎn)最全整理!

IGBT7系列分立器件核心知識(shí)點(diǎn)最全整理!

英飛凌IGBT7單管系列,作為目前炙手可熱的光儲(chǔ)應(yīng)用新星產(chǎn)品,正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識(shí)大全,希望大家買得放心...

2024-02-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT分立器件 1.1k 0

第二季度半導(dǎo)體庫存降底 車規(guī)MCU和IGBT交貨時(shí)間延長

報(bào)告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導(dǎo)體供應(yīng)商的生產(chǎn)節(jié)流,預(yù)計(jì)該指數(shù)將大幅下行。不過,該指數(shù)將在整個(gè)2023年保持在盈余區(qū)域(庫存量...

2023-06-12 標(biāo)簽:ledIGBT模擬芯片 1.1k 0

igbt保護(hù)電路

igbt保護(hù)電路

igbt保護(hù)電路 短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì):由對

2008-10-21 標(biāo)簽:保護(hù)電路igbt 1.1k 0

佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單!

近日,市民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目的名單,我司成功入選,同時(shí)感謝大家對佳恩半導(dǎo)體的高度認(rèn)可與肯定

2024-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTMOS 1.1k 0

陸芯科技推出IGBT單管YGW40N65FMA1

陸芯科技推出IGBT單管YGW40N65FMA1

陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW40N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...

2024-12-14 標(biāo)簽:封裝IGBT陸芯科技 1.1k 0

IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差與 IGBT 的短路失效機(jī)理相關(guān)性

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,其可靠性至關(guān)重要。IGBT 在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量,需通過散熱器有效散熱,以維持正常工作溫度...

2025-08-26 標(biāo)簽:封裝散熱器IGBT 1.1k 0

東京電子器件開始在中國推IGBT柵極驅(qū)動(dòng)板

東京電子器件開始在中國推IGBT柵極驅(qū)動(dòng)板

京電子器件有限公司將于2012年7月起開始在中國銷售IGBT(絕緣柵雙級(jí)型晶體管)柵極驅(qū)動(dòng)板,并提供根據(jù)客戶要求進(jìn)行設(shè)計(jì)定制的服務(wù)。該產(chǎn)品的特點(diǎn)在于僅用...

2012-07-05 標(biāo)簽:IGBT電源芯片柵極驅(qū)動(dòng)板 1.1k 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
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    光立方
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    K60
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào),它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度(稱為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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    802.11ac與11基站測試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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