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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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上海林眾電子智能質(zhì)造中心車墩項(xiàng)目基地順利奠基
2023年2月26日上午,上海林眾電子科技有限公司智能質(zhì)造中心項(xiàng)目基地開工儀式隆重舉行。林眾電子本次建設(shè)的智能質(zhì)造中心項(xiàng)目位于上海市松江區(qū),土建投資3....
英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突...
2013-06-19 標(biāo)簽:英飛凌IGBTTRENCHSTOP 5 1.2k 0
Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場
除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場,推出了一系列新的6...
飛虹半導(dǎo)體FHA25T120A IGBT單管在氬弧焊機(jī)的應(yīng)用
針對(duì)氬弧焊機(jī)中的逆變器與PWM(脈寬調(diào)制)控制電路中,如果需要優(yōu)化電路以實(shí)現(xiàn)高精度和快速響應(yīng)的功能,則需要一款高電壓、穩(wěn)定電流的IGBT單管。
廣汽集團(tuán)旗下廣州青藍(lán)IGBT項(xiàng)目投產(chǎn)
廣州青藍(lán)由廣汽部件與株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體共同投資成立,項(xiàng)目計(jì)劃總投資4.63億元,主要圍繞新能源汽車自主IGBT領(lǐng)域開展技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。一期規(guī)劃產(chǎn)能...
IGBT高溫漏電流和電壓阻斷能力固有缺陷是其被淘汰的根本原因
IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷是其被新一代電力電子設(shè)備加速淘汰的根本原因 一、IGBT的高溫漏電流與電壓阻斷能力固有缺陷的本質(zhì) 材料物理特性...
羅姆集團(tuán)馬來西亞工廠新廠房竣工 以需求日益增長的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC為主加強(qiáng)模擬IC產(chǎn)能
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆為了加強(qiáng)模擬IC的產(chǎn)能,在其馬來西亞制造子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd...
2023-10-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體IGBT 1.2k 0
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
揚(yáng)杰科技DGW80N120ATL1BQ IGBT模塊:高功率與溫度穩(wěn)定性的卓越表現(xiàn)
在電力電子領(lǐng)域,IGBT模塊的性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。揚(yáng)杰科技推出的DGW80N120ATL1BQ IGBT模塊以其1200V的高耐壓和8...
2025-06-30 標(biāo)簽:IGBT揚(yáng)杰科技 1.2k 0
美高森美為工業(yè)應(yīng)用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品,備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT...
IGBT市場前瞻:未來的質(zhì)量與安全性挑戰(zhàn)及其應(yīng)對(duì)策略
在今天的電力電子世界中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是至關(guān)重要的一部分。由于其在高壓和大電流應(yīng)用中的優(yōu)秀性能,IGBT在許多行業(yè)中都得到了廣泛的應(yīng)用,...
2023-07-03 標(biāo)簽:電力IGBT半導(dǎo)體封裝 1.2k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出一對(duì)高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙...
超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器設(shè)計(jì)
超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器采用新型的復(fù)合頻率跟蹤策略,實(shí)現(xiàn)逆變輸出功率因數(shù)接近為1,以IGBT功率器件構(gòu)成的全橋移相功率控制方式,超聲波焊接電源系統(tǒng)發(fā)生器...
飛兆半導(dǎo)體650V場截止IGBT提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨提高能效,滿足散熱法規(guī),同時(shí)減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairc...
2012-03-28 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換IGBT 1.2k 0
飛虹半導(dǎo)體FHA75T65A IGBT單管在儲(chǔ)能逆變器中的應(yīng)用
光儲(chǔ)能的發(fā)展勢頭仍在高速增長,就在2024年的6月25日上午,長三角G60科創(chuàng)走廊·正泰電源松江區(qū)光儲(chǔ)智能制造基地項(xiàng)目舉行了隆重的開工儀式。
2024-09-04 標(biāo)簽:二極管IGBT儲(chǔ)能逆變器 1.2k 0
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
近日,北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下,走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室,開啟了一場科技探秘之...
安賽思半導(dǎo)體和三福半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司和新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱:三福半導(dǎo)體)成功簽署戰(zhàn)略合作備忘錄,并舉行了安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的揭牌儀式。
細(xì)數(shù)IGBT測試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測方案
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測試,主要是用于測試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用雙脈沖測試方案...
2025-06-26 標(biāo)簽:IGBT 1.2k 0
上海陸芯車規(guī)級(jí)第三代IGBT應(yīng)用
1.應(yīng)用概述新能源車是電機(jī)驅(qū)動(dòng)是通過電機(jī)驅(qū)動(dòng)器來改變電機(jī)電源的頻率,從而控制交流電機(jī)轉(zhuǎn)速和節(jié)能;通過電力變換的核心部件功率器件的開通和關(guān)斷,讓電機(jī)高效,...
2022-07-04 標(biāo)簽:IGBT 1.2k 0
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