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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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中國本土IC設(shè)計廠叫板聯(lián)發(fā)科!
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊: 剛過去的一周,電子行業(yè)大事精彩上演。與此同時,過去一周廠商動作頻頻,爭相推出各種技術(shù)新品助力工程師設(shè)計。過去的一周我們到底該掌握哪些資...
美高森美半導(dǎo)體擴展NPT IGBT產(chǎn)品系列
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch throug...
2012-09-13 標簽:開關(guān)電源IGBT美高森美 2k 0
飛兆半導(dǎo)體擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合,為電機驅(qū)動設(shè)計者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以...
2012-09-10 標簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT電源芯片 861 0
IR全新600V IGBT為馬達驅(qū)動應(yīng)用 提升功率密度及效率
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列,藉以優(yōu)化在10kHz以下...
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機驅(qū)...
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
IGBT驅(qū)動光耦推薦專場(TLP350,TLP250,PC929,PC923)
瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產(chǎn)品。新款I(lǐng)GBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1C...
京電子器件有限公司將于2012年7月起開始在中國銷售IGBT(絕緣柵雙級型晶體管)柵極驅(qū)動板,并提供根據(jù)客戶要求進行設(shè)計定制的服務(wù)。該產(chǎn)品的特點在于僅用...
華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵...
隨著全球能源的日趨緊張,節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中,轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素,始終成為人們關(guān)...
電裝在汽車展會“人與車科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出了輸出功率密度高達60kW/L的逆變器,并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為...
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
IR推出高度創(chuàng)新600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT
國際整流器公司IR推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT,適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用,包括...
2012-05-17 標簽:IRIGBT半導(dǎo)體芯片 1.5k 0
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