TP65H070G4PS 650 V SuperGaN? GaN FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V、70mΩ 的氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET），屬于常關(guān)型器件。它巧妙地將先進的高壓 GaN HEM
2025-12-29 14:45:10
77 威兆半導(dǎo)體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-29 10:24:08106 
探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN? GaN FET：高效能與可靠性的完美結(jié)合 引言 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性對于各種電子設(shè)備的運行
2025-12-29 10:05:2289 650 V SuperGaN? FET.pdf 一、產(chǎn)品概述 TP65H050G4YS是一款650V、50mΩ的氮化鎵（GaN）FET，采用了Transphorm的Gen IV平臺，屬于常關(guān)型器件。它將先進的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結(jié)
2025-12-29 10:05:1575 在消費電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求，成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核心器件，長期被英諾賽科INN650D02等進口型號主導(dǎo)，存在成本高、供貨周期不穩(wěn)定、技術(shù)支持滯后等痛點。
2025-12-23 14:50:05877 
一、開發(fā)板簡介
“地奇星”是立創(chuàng)聯(lián)合瑞薩（Renesas）推出的高性價比 Cortex-M33 入門級開發(fā)板，基于 R7FA6E2BB3CNE 芯片打造，主打高性能 + 安全 + 豐富外設(shè)，非常適合
2025-12-22 00:40:18
瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型，對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Validation)。該試驗嚴(yán)格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545773 
深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器的性能對于功率器件的高效、穩(wěn)定運行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12226 驅(qū)動650V CoolGaN? GIT G5用于電機控制應(yīng)用：IFX SOI EiceDRIVER?驅(qū)動器的探索 在電機控制應(yīng)用領(lǐng)域，如何高效、安全地驅(qū)動功率開關(guān)器件是工程師們關(guān)注的重點。今天，我們
2025-12-18 11:50:06529 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關(guān)重要的角色。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351601 
在電力電子設(shè)備的設(shè)計中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們就來詳細(xì)探討 ON Semiconductor 的 FGH4L50T65SQD 這款 650V、50A 的場截止型 IGBT，看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-03 15:10:33550 
安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N溝道場截止IV高速IGBT采用新型場截止第四代IGBT技術(shù)和第1.5代SiC肖特基二極管技術(shù)。該IGBT的集電極-發(fā)射極電壓 (V ~CES
2025-11-21 15:34:38708 
。
SI13303 ： 輸出 3.3V 120MA封裝SOP7
SI13305 ：輸出5V 120MA 封裝SOP7
SI13305/SI13303產(chǎn)品特點：
緊湊易用：兼容CD32/43貼片電感、0410
2025-11-19 18:07:14
在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計。該系
2025-11-03 18:18:052813 
展會盛況規(guī)?？涨?，精英匯聚NEWS”功率半導(dǎo)體全系列解決方案薩瑞微電子重點展示了其新一代SGTMOSFET系列產(chǎn)品，覆蓋40V-150V全電壓范圍，其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻表現(xiàn)引發(fā)了專業(yè)觀眾的濃厚興趣。同時
2025-10-31 14:14:12357 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，單個1250V PowiGaN開關(guān)可提供更高的功率密度和效率。
2025-10-14 15:34:13804 
該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢 ? 美國加利福尼亞州圣何塞
2025-10-14 14:19:31869 
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
CoolGaN BDS 650V G5雙向開關(guān)。這款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的單片雙向開關(guān)，憑借其卓越的性能和創(chuàng)新的設(shè)計，正在成為高效電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。
2025-08-28 13:52:113434 第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態(tài)，靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費電子三大領(lǐng)域。通過
2025-08-16 15:55:442377 
Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:29:38770 
Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率
2025-08-06 11:20:47820 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應(yīng)用：
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC)
深圳市芯
2025-07-15 16:22:02
特性：
VDS = 650V （類型：730V） IDM =14A
RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V （類型：560mΩ）
應(yīng)用：
不間斷電源
功率因數(shù)校正 (PFC
2025-07-09 13:35:13
基于成熟的SuperGaN技術(shù)，650V第四代增強型產(chǎn)品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS
2025-07-09 13:07:44484 可信賴、易于驅(qū)動的高壓氮化鎵，提供更高效率 2025年7月1日，中國北京訊- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET
2025-07-08 17:30:10553 電壓裕量，有助于滿足數(shù)據(jù)中心和電信應(yīng)用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應(yīng)用提供額外的浪涌保護。我們的650V
2025-07-04 17:09:031014 Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計?？删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。
2025-07-04 15:50:44656 
(on)）范圍擴展至7mΩ至75mΩ等10款產(chǎn)品可選，為用戶提供更精準(zhǔn)的選擇?；诘谝?b class="flag-6" style="color: red">代技術(shù)，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝，
2025-07-01 17:03:111321 產(chǎn)品架構(gòu)與核心特性
1. 高壓耐受與負(fù)壓免疫
650V開關(guān)節(jié)點耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應(yīng)對電機反電動勢和MOSFET開關(guān)尖峰
-7V VS負(fù)壓承受 ：消除體二極管導(dǎo)通導(dǎo)致的負(fù)壓擊穿
2025-06-25 08:34:07
自“雙碳”目標(biāo)確定以來，我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進，光伏、風(fēng)電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖，其中逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的控制中樞，能夠?qū)⑻柲茈姵匕宓妮敵隹勺冎绷麟娹D(zhuǎn)換為并網(wǎng)或者供負(fù)載能夠使用的交流電。
2025-06-20 16:02:084419 
技術(shù)架構(gòu)、核心功能、行業(yè)影響及未來展望四個維度進行深度解讀： 一、技術(shù)架構(gòu)：融合硬件與設(shè)計軟件的跨領(lǐng)域協(xié)作平臺 瑞薩365基于Altium 365云平臺構(gòu)建，整合了瑞薩的半導(dǎo)體產(chǎn)品組合與Altium的設(shè)計工具鏈，形成從芯片選型到系統(tǒng)部署的全流程數(shù)字環(huán)境。其核心架構(gòu)圍繞 五
2025-06-06 09:58:511959 
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關(guān)IC專為服務(wù)器、個人電腦待機電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)電源而設(shè)計。
2025-05-30 09:34:111164 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11602 瑞薩RZ/V2H平臺支持部署離線版DeepSeek -R1大語言模型
2025-05-13 17:07:411462 
本人剛?cè)肟硬痪?，對單片機的熱情很高，于是也加入了瑞薩的板子申請隊伍，很榮幸也成為了試用者之一，此前對于瑞薩的板子從未接觸過，包括對于使用e2studio編寫程序燒錄等工作也是從小白開始，跟著官方給
2025-04-29 17:28:12
LP8728是一款適合于副邊控制反激應(yīng)用的PWM控制器，集成 650V 高壓 MOSFET。PWM 工作狀態(tài)時，采用峰值電流控制模式，并且在中載以下開始降低頻率以提升平均效率，在輕載或者空載時，系統(tǒng)
2025-04-27 09:35:39
0 瑞薩電子在2024年推出高達(dá)8TOPS（Dense）/80TOPS（Sparse）AI算力的RZ/V2H產(chǎn)品，廣受好評，繼續(xù)擴展RZ/V視覺AI MPU產(chǎn)品陣容，在2025年3月推出更小封裝的RZ/V2N產(chǎn)品。
2025-03-27 14:27:231318 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877 創(chuàng)新應(yīng)用。
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核心產(chǎn)品介紹**
Banana Pi BPI-AI2N 核心板基于瑞薩最新的 RZ/V2N 處理器，搭載 4 核 Arm? Cortex?-A55（1.8GHz）與 Cortex
2025-03-12 09:43:50
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaNHEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立
2025-03-09 17:48:48698 
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立
2025-03-09 17:37:36736 
開發(fā)板
RA-Eco-RA2L1-48PIN-V1.0是一款基于48 MHz Arm? Cortex?-M23 內(nèi)核架構(gòu)的核心板，主控芯片為R7FA2L1AB2DFL。RA2L1 產(chǎn)品組基于 Arm
2025-03-09 17:21:14
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管
2025-03-09 16:58:52797 
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅(qū)動器集成
2025-03-09 16:38:10731 
輸入邏輯電平。LPD2106具有高可靠性和抗干擾能力，高壓耐壓達(dá)650V，開關(guān)節(jié)點動態(tài)能力支持達(dá)50V/ns，瞬態(tài)耐壓能力達(dá)-60V (100ns）。LPD2106集成了完善的保護功能，集成了輸入最小
2025-03-08 10:11:281248 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 16:45:55748 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
RA-Eco-RA2L1-48PIN-V1.0 是瑞薩電子推出的一款基于 Arm Cortex-M23 內(nèi)核的超低功耗開發(fā)板，專為嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計。以下從多個維度對其展開詳細(xì)介紹：
1.
2025-03-07 11:14:47
內(nèi)置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC轉(zhuǎn)換器CN1812
2025-03-05 10:09:23890 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04899 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15811 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08850 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2，具有超
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2，具備超快速
2025-02-27 17:11:28674 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07772 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220-2 封裝，符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:43:28987 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 10:21:011089 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-24 09:18:47923 
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-21 14:37:23727 
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。
2025-02-21 14:14:05805 
LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:54:57881 LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。
2025-02-20 16:35:36829 
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于 開關(guān)模式電源應(yīng)用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉(zhuǎn)換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN
2025-02-20 16:04:13779 在大型隧道掘進工程中，掘進機的高效運轉(zhuǎn)是保障工程進度與質(zhì)量的關(guān)鍵。然而，遠(yuǎn)距離輸電致使施工現(xiàn)場電壓常降至 380V，與掘進機所需的 1200V、1250V 甚至 1500V 工作電壓相差甚遠(yuǎn)。此時
2025-02-19 09:39:47892 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531191 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT *1 “GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱
2025-02-17 15:42:22673 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081124 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動器。自帶死區(qū)保護、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD075H065CX1S3(75A 650V)國產(chǎn)IGBT芯達(dá)茂 ，原裝現(xiàn)貨 XD075H065CX1S3 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:49:00
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)XD060Q065AY1S3 (650V/60A)國產(chǎn)IGBT單管，原裝現(xiàn)貨XD060Q065AY1S3 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:36:01
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD050Q065AY1S3（650V/60A)國產(chǎn)IGBT單管，原裝現(xiàn)貨 XD050Q065AY1S3 50A 650V TO-247-3L
2025-01-06 17:26:24
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng) XD040Q065AY1S3 （40A 650V）國產(chǎn)IGBT單管，原裝現(xiàn)貨 XD040Q065AY1S3 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 17:19:18
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD040H065AY1S3 芯達(dá)茂 40A 650V 國產(chǎn)IGBT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD040H065AY1S3 (650V/40A
2025-01-06 17:15:31
寬）
供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
基本產(chǎn)品編號：TLE42632
3、IKW75N65ES5 是一款采用 TO247 封裝的 650 V，75 A 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5
2025-01-06 16:27:29
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD020H065CX1H3（20A 650V）國產(chǎn)IBGT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT 單管 XD020H065CX1H3采用先進的微溝槽 FS
2025-01-06 16:05:42
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng)XD015H060CX1L3芯達(dá)茂IBGT管 15A 650V，原裝現(xiàn)貨 XD015H060CX1L3 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管
2025-01-06 15:39:58
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