解決這些問題來的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動器，用更強(qiáng)的抗干擾、更高的效率以及更簡潔的高邊驅(qū)動設(shè)計，能讓高壓驅(qū)動設(shè)計變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點？
扛得住干擾，穩(wěn)得住高壓：能承受600V
2026-01-04 08:59:29
超級電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場景，如電動車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:00
3549 
WD6208A是一款專為安防攝像頭設(shè)計的IR-CUT驅(qū)動芯片，集成雙向馬達(dá)驅(qū)動功能。支持TTL邏輯控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)、強(qiáng)制制動及待機(jī)模式，提供200mA持續(xù)/500mA峰值驅(qū)動電流，適配2V-18V寬
2025-12-31 16:18:39214 
邊驅(qū)動設(shè)計，以更少的元件實現(xiàn)穩(wěn)定高效的高壓驅(qū)動。核心特性
高集成度設(shè)計：芯片內(nèi)部集成了自舉二極管，省去了外部添加該分立器件的需要，簡化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強(qiáng)抗擾：支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
IR21592和IR21593是集調(diào)光鎮(zhèn)流器控制和600V半橋驅(qū)動功能于一體的集成電路。其獨特的架構(gòu)采用了無變壓器的燈功率傳感和調(diào)節(jié)相位控制
2025-12-30 17:25:19422 燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110 自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制IC，深入了解它的特性、參數(shù)、工作模式以及保護(hù)功能。 文件下載： IR2520DSTRPBF.pdf 一、產(chǎn)品特性概述 IR2520D(S)是將完整的自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制器和600V半橋驅(qū)動
2025-12-28 15:50:12404 幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動MOSFET或IGBT，簡化設(shè)計并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：
高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間
2025-12-27 09:27:00
終止（TrenchFSII）技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49687 
、4A輸出的半橋門極驅(qū)動器，旨在通過增強(qiáng)抗擾性、提升驅(qū)動效率并簡化設(shè)計，幫助工程師更穩(wěn)妥地駕馭MOSFET和IGBT，確保系統(tǒng)在高功率場景下穩(wěn)定運(yùn)行。產(chǎn)品主要特性：
寬工作電壓范圍：可承受高達(dá)600V
2025-12-23 08:36:15
的高要求，支持復(fù)雜的運(yùn)動控制和數(shù)據(jù)處理。某工業(yè)機(jī)器人廠商采用Neway DC/DC模塊后，整機(jī)功耗降低8%，連續(xù)滿載運(yùn)行穩(wěn)定性提升15%。電動汽車：適配車載OBC（如比亞迪800V平臺，功率密度10kW
2025-12-17 09:35:07
，基于GaN的LLC、PSFB等拓?fù)涑蔀橹髁?。SiLM8248HB的小封裝與高CMTI特性，使其成為驅(qū)動這些高頻GaN器件的理想選擇，有助于大幅提升功率密度和效率，同時解決緊湊布局下的散熱與噪聲挑戰(zhàn)
2025-12-16 08:38:27
電源是否可靠？
SiLM2285采用浮動通道設(shè)計，可直接驅(qū)動600V高端MOSFET/IGBT，無需額外光耦或隔離電源。我們測試其在連續(xù)運(yùn)行72小時后，高端通道電平位移穩(wěn)定，無異常漂移。這樣不僅省去一組
2025-12-15 08:47:29
的開關(guān)電源應(yīng)用中，功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放，極度依賴于門極驅(qū)動器的性能。一個平庸的驅(qū)動器會帶來過高的開關(guān)損耗、延遲和振鈴，從而拉低整機(jī)效率，限制功率密度提升，并威脅
2025-12-10 08:55:48
關(guān)斷六路輸出，提升系統(tǒng)可靠性。
布局布線：驅(qū)動信號與功率回路分離，減小寄生電感，降低dv/dt干擾，避免誤導(dǎo)通。
3. 選型建議
高壓大功率（如工業(yè)變頻器）：優(yōu)先IR2130，適配600V IGBT
2025-12-08 03:54:37
高壓濾波車規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 優(yōu)化功率密度和動態(tài)響應(yīng)時，卻帶來了更嚴(yán)峻的EMI挑戰(zhàn)和開關(guān)損耗？
面對這些高壓、高頻、高可靠性場景下的典型痛點，SiLM22868 600V/4A半橋門極驅(qū)動器，提供了一套高度集成的解決方案，旨在直擊
2025-12-03 08:25:35
我們在設(shè)計 11kW、800V平臺OBC 時，為實現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo)，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難，請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
通信基站、服務(wù)器等設(shè)備中，為追求高效率和高功率密度的負(fù)載點電源提供核心驅(qū)動支持。
總結(jié)在電氣化、自動化與智能化不斷融合的今天，對功率驅(qū)動核心部件提出了更苛刻的要求：更小、更快、更可靠、更智能
2025-12-02 08:22:11
5000VRMS的隔離耐壓（SOP18W封裝），確保了系統(tǒng)在高壓環(huán)境下的安全運(yùn)行。其3V至18V的寬范圍輸入電壓使其能夠靈活適配各種模擬和數(shù)字控制器，為功率MOSFET和IGBT提供了可靠的驅(qū)動解決方案
2025-11-28 08:14:38
MPN12AD20-TS可作為高功率密度、高效率的替代方案，適用于需要20A負(fù)載的場景，但需驗證輸入/輸出范圍、保護(hù)功能及溫度范圍的匹配性。以下是對MPN12AD20-TS替代ADI、TI
2025-11-26 09:43:44
一、概述：三相功率驅(qū)動的集成化解決方案SLM21364CF-DG高壓高速三相半橋驅(qū)動器，專為驅(qū)動功率MOSFET和IGBT設(shè)計，核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、200mA/350mA非對稱驅(qū)動電流
2025-11-24 08:31:44
在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進(jìn)電容隔離技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動器。它集10A峰值驅(qū)動能力、超強(qiáng)隔離
2025-11-21 17:42:061133 
。
SLM2181CA-DG通過其600V高耐壓、非對稱驅(qū)動、豐富的集成保護(hù)（如欠壓鎖定、負(fù)壓耐受）以及緊湊的SOP-8封裝，為工業(yè)與能源領(lǐng)域的功率驅(qū)動設(shè)計提供了一個高可靠性且易于使用的解決方案。它在簡化設(shè)計、提升系統(tǒng)魯棒性方面表現(xiàn)突出。
#SLM2181 #高低邊門極驅(qū)動器 #門極驅(qū)動
2025-11-21 08:35:25
這款 600 kW 三相逆變器采用六組 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊，實現(xiàn)了卓越的系統(tǒng)級功率密度與效率。XM3 模塊的重量和體積僅為標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 模塊的一半，其設(shè)計實現(xiàn)功率密度最大化，同時降低回路電感，實現(xiàn)低損耗、高頻率工作，并簡化電源母線設(shè)計。
2025-11-20 09:16:571639 一、概述：SLM21814CJ-DG是一款高壓高速高低邊門極驅(qū)動器，專為驅(qū)動MOSFET和IGBT設(shè)計。其核心優(yōu)勢在于600V高耐壓能力、2.5A/3.5A非對稱驅(qū)動電流以及全電壓范圍內(nèi)的浮動通道
2025-11-20 08:47:23
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開關(guān)或諧振設(shè)計的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
下，電源轉(zhuǎn)換器需實現(xiàn)更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導(dǎo)體的普及，雖通過極低開關(guān)損耗支撐了 MHz 級高頻運(yùn)行，卻帶來更復(fù)雜的控制邏輯與更快的實時計算需求；三是高頻開關(guān)與寬禁帶器件導(dǎo)致 dv/dt 數(shù)量級提升，電磁干擾（EMI）強(qiáng)度激增，對控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092078 自開關(guān)電源誕生以來，功率密度的提升一直是開關(guān)電源設(shè)備不斷演進(jìn)的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054 
2025年，“2000V”成為光伏與儲能領(lǐng)域的熱詞。繼600V、1000V、1500V之后，行業(yè)正加速邁向更高電壓平臺。隨著器件耐壓、絕緣與標(biāo)準(zhǔn)體系的完善，更高母線電壓正成為提升功率密度與系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性的關(guān)鍵方向。
2025-11-05 09:26:136221 
公斤的電機(jī)實現(xiàn) 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達(dá) 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時YASA預(yù)計，該
2025-11-03 03:45:008931 
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計采用先進(jìn)的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT
2025-10-23 09:58:461592 
STMicroelectronics STSPIN32G060x 600V三相BLDC控制器 采用一體化封裝，用于驅(qū)動三相應(yīng)用。STMicro STSPIN32G060x包括一個帶32位Arm
2025-10-22 11:29:194443 
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計，實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
和IGBT器件的可靠驅(qū)動，助力高壓功率器件實現(xiàn)可靠且高效的運(yùn)行。
寬電壓耐受，驅(qū)動更可靠
1. 600V母線電壓支持：適配工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等高壓應(yīng)用場景，穩(wěn)定應(yīng)對高電壓波動。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 為核心，小尺寸也能扛大電流，特別適合空間緊張的電子設(shè)備 。 LRP系列技術(shù)核心解析： 普通貼片電阻功率小，而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實現(xiàn)1W功率承載，2512封裝更可達(dá)3W，功率密度遠(yuǎn)超同類產(chǎn)品，顯著優(yōu)化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。
2025-09-23 09:26:332066 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
隨著市場對緊湊型、高效且可靠的電源解決方案的需求持續(xù)增長，對可提供更高功率密度并簡化系統(tǒng)設(shè)計的電源管理器件的需求也隨之增加。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布
2025-09-17 15:45:45911 高效驅(qū)動功率MOSFET和IGBT，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備、機(jī)器人控制等領(lǐng)域。
產(chǎn)品特性
寬電壓支持：母線電壓最高200V，VCC工作電壓范圍10V~20V，適應(yīng)多種工況。
高兼容性輸入：輸入
2025-09-15 09:12:42
“超結(jié)”技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)，長期主導(dǎo)著耐壓超過600V的功率MOSFET市場。本文闡述了工程師在應(yīng)用超結(jié)功率器件時需關(guān)注的關(guān)鍵問題，并提出了一種優(yōu)化解決方案，可顯著提升電源應(yīng)用的效率、功率密度及可靠性。
2025-09-11 16:21:5144299 
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設(shè)計，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計長期面臨著高壓干擾、驅(qū)動效率低下以及高邊驅(qū)動設(shè)計復(fù)雜的核心痛點。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，600V半橋門極驅(qū)動芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
國硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動芯片。NSG2153D其浮動通道可用于驅(qū)動高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
在跨國工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點——美國本土常見的600V級電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19800 
TPS54200和TPS54201器件是1.5A同步降壓單色或IR驅(qū)動器，最大輸入電壓為28V。電流模式作提供快速瞬態(tài)響應(yīng)并簡化環(huán)路穩(wěn)定。
TPS54200和TPS54201可用于驅(qū)動單串或多
2025-08-26 11:12:49839 
： SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強(qiáng)勁的驅(qū)動電流（950mA） 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能（死區(qū)時間、UVLO、關(guān)斷引腳）。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動系統(tǒng)提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動 #半橋驅(qū)動 #門極驅(qū)動
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性價比的單芯片驅(qū)動方案。核心優(yōu)勢：高壓驅(qū)動與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06
必要的隔離屏障。
便捷的控制接口： 配置為 雙輸入、高/低側(cè)半橋驅(qū)動器，邏輯控制簡單直觀。提供 DIS 禁用引腳，拉高此引腳可同時關(guān)閉兩個通道輸出，便于系統(tǒng)關(guān)斷和故障保護(hù)。
典型應(yīng)用領(lǐng)域：
高功率密度
2025-08-16 09:18:54
在追求高效率、高功率密度的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中（尤其汽車電子領(lǐng)域），驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強(qiáng)驅(qū)動力和高驅(qū)動電壓的需求
2025-08-09 09:18:36
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計： 獨特的浮動通道設(shè)計，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計，例如電動汽車充電
2025-08-01 17:05:091506 
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，專為驅(qū)動半橋或類似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_關(guān)而設(shè)計。其最大亮點在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
運(yùn)行。
堅固耐用可靠： “模擬二極管”無老化、寬溫工作、高隔離等級（SMP8封裝，CTI>600V）及關(guān)鍵安規(guī)認(rèn)證。
#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔離驅(qū)動器 #門極驅(qū)動器
2025-07-11 09:51:26
、驅(qū)動效率以及高邊設(shè)計復(fù)雜度上捉襟見肘。SiLM2285 (SiLM228x系列) 600V/4A半橋門極驅(qū)動器。讓我們一起拆解它的技術(shù)亮點和應(yīng)用價值。高壓高功率驅(qū)動的三大核心痛點：
抗干擾能力薄弱
2025-07-03 08:45:22
傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
應(yīng)用設(shè)計的高性能解決方案。憑借其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和優(yōu)異的電氣特性，這款模塊成為電機(jī)驅(qū)動、UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域的理想選擇。 產(chǎn)品概述 MG75HF12TLC1是一款電壓等級為1200V、額定電流75A的IGBT模塊，采用低飽和壓降（VCE(sat)）的溝槽技術(shù)，顯著提升了開關(guān)效率和功率密度。模塊內(nèi)置超快軟恢復(fù)反并聯(lián)二極
2025-06-20 13:58:47731 
概述 MG600HF065TLC2是一款電壓等級為650V、額定電流高達(dá)600A的高性能IGBT模塊。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，模塊實現(xiàn)了極低的飽和壓降，顯著提升了能效表現(xiàn)。內(nèi)置超快軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管，模塊最高結(jié)溫可達(dá)175℃，并具備3000A的短路電流承受能力（6μs），特別適合高功率
2025-06-19 16:56:42530 
一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動力在于：相同體積或質(zhì)量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強(qiáng)，獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949 
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152 
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變以及開關(guān)電源等高壓高功率應(yīng)用中，傳統(tǒng)門極驅(qū)動方案長期面臨三大技術(shù)瓶頸：在高壓環(huán)境下，抗干擾能力薄弱易引發(fā)誤觸發(fā)；驅(qū)動效率低下導(dǎo)致系統(tǒng)發(fā)熱與能效損耗；高邊 MOSFET/IGBT 驅(qū)動設(shè)計復(fù)雜，推高了研發(fā)與制造成本。
2025-05-30 16:39:261424 
? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031 內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器，采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300 打造的GaNSense?氮化鎵功率芯片 系列，面向 功率至 600W的家電及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。 該全集成解決方案專為電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計， 將兩個氮化鎵FET與驅(qū)動、控制、檢測及智能保護(hù)功能集成在半橋里。 相較于傳統(tǒng)硅IGBT方案，其 效率提升4%，PCB占用面積減少40%，系統(tǒng)
2025-05-09 13:58:181258 
近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步
2025-05-06 14:08:48714 
”(Super-Junction)結(jié)構(gòu)，故又稱超結(jié)功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關(guān)速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導(dǎo)體器件。
IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號，額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257 ：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應(yīng)用設(shè)計的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列，采用先進(jìn)的不對稱半橋（AHB）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將反激轉(zhuǎn)換器的簡易性和諧振轉(zhuǎn)換器的效率相結(jié)合，從而實現(xiàn)高功率密度設(shè)計。因此，該控制器系列適用于各類AC/DC應(yīng)用，包括二級市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13758 
針對工業(yè)自動化與智能設(shè)備領(lǐng)域，極海正式發(fā)布性能優(yōu)異的 GHD3125R 36V三相電機(jī)專用柵極驅(qū)動器 ，專為提升電機(jī)控制專用技術(shù)而設(shè)計，具有高功率密度和效率，可有效提升系統(tǒng)性能與可靠性，廣泛適用于
2025-03-25 11:36:331207 
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動電路應(yīng)用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957 和高性能計算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性，為AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO
2025-03-19 16:53:22735 
及高效率需求的應(yīng)用而設(shè)計。CAB450M12XM3在電動汽車充電站、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及牽引驅(qū)動系統(tǒng)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。
主要特性
極致功率密度：得益于SiC技術(shù)
2025-03-17 09:59:21
??氮化鎵功率芯片 進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計算，400V獨立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時，電壓不匹配問題常常導(dǎo)致設(shè)備無法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 13:44:16615 
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：1.電子設(shè)備：法拉電容可用于移動設(shè)備、電子手表、智能手機(jī)等電子產(chǎn)品中，用于儲存短時間內(nèi)需要大量能量供應(yīng)的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028 
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 11:33:591089 
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個以地為參考的通道 （LO） 和一個浮動通道
2025-02-26 10:52:531307 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-26 09:23:45978 
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括：超低輸入和輸出
2025-02-25 15:36:121006 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:44:30754 
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達(dá)
2025-02-25 14:07:161148 
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 17:46:47744 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅實背書 CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場擁有至高權(quán)威性。對于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計
2025-02-21 14:56:40797 
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 13:42:42725 
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率提升到新的水平。
2025-02-21 10:54:37797 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動電路，用來驅(qū)動雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
的應(yīng)用開拓了更多可能性。 金剛石基板工藝是瑞豐光電此次創(chuàng)新的核心所在。該工藝?yán)媒饎偸淖吭綗釋?dǎo)性能，有效提升了封裝產(chǎn)品的散熱效率，從而實現(xiàn)了更高功率密度的封裝。這一技術(shù)突破使得瑞豐光電的大功率封裝新品在性能上遠(yuǎn)
2025-02-19 14:44:211078 EG2126 是一款高性價比的大功率 MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動專用芯片，內(nèi)部集成了 5V 的 LDO、一個運(yùn)放、一個比較器、邏輯信號輸入處理電路、死區(qū)時控制電路、閉鎖電路、電平位移電路、脈沖
2025-02-19 08:54:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場， 在一 月初，陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以及單級拓?fù)浼軜?gòu)，實現(xiàn)了超高功率密度和高充電效率
2025-02-05 07:55:0011356 
，橫向線性馬達(dá)不僅提升了生產(chǎn)效率，還為制造業(yè)帶來了全新的操作體驗。本文將分析橫向線性馬達(dá)如何改變現(xiàn)代制造業(yè)的自動化流程，探討其在生產(chǎn)過程中扮演的重要角色。
2025-01-18 10:56:14843 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)XD006H060CX1R3 (600V/6A) 芯達(dá)茂IBGT管，原裝現(xiàn)貨 XDM芯達(dá)茂 IGBT單管 - XD006H060CX1R3 (600V
2025-01-06 15:25:07
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