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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
可控硅和MOS管是電子器件中常見的兩種器件。它們在功能、工作原理和應(yīng)用方面存在著一些顯著的差異。下面將詳盡、詳實、細(xì)致地進(jìn)行解釋。 一、功能差異: 可控...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性,下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 1.0萬 0
大功率鋰電池組BMS(電池管理系統(tǒng))保護(hù)板電路介紹
電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機(jī)器人、電動汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個越來越重要的關(guān)鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強(qiáng)。 現(xiàn)有的設(shè)計方法是采...
2023-04-12 標(biāo)簽:MOS管運(yùn)放電池管理系統(tǒng) 1.0萬 0
分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...
IGBT基礎(chǔ)知識、參數(shù)特性、驅(qū)動電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
電流鏡的作用是無論外輸入電壓遇到波動還是大范圍變化,電流鏡的輸出電流總保持不變。Q1和Q2均工作在飽和區(qū),且具有相等的柵源電壓的相同晶體管傳輸相同電流,...
2022-07-18 標(biāo)簽:放大器放大電路場效應(yīng)管 1.0萬 0
介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時也稱為總柵極電荷??倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
我們經(jīng)常使用電平轉(zhuǎn)換芯片來轉(zhuǎn)換IO口電壓???實現(xiàn)不同電壓等級芯片之間電平轉(zhuǎn)換,比如兩個處理器使用串口通訊,其中一個處理器的串口為1.8V電平,另外一個...
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎(chǔ)知識。場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏...
2022-09-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管柵極電阻 1.0萬 0
RCD吸收電路EMI影響與參數(shù)調(diào)整影響分析
當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時,能量存儲在初級繞組的電感與漏感中,變壓器初級繞組電壓為上正下負(fù),RCD吸收二極管陽極近似接地,RCD吸收二管反向截止。
因為NPN型的三極管在共發(fā)射極電路中使用時,其C極要求接的是電源的正端,E極要求接的是電源的負(fù)端,B極要求在正向偏壓時管子才工作,所以在PC電源中,開關(guān)...
2023-01-06 標(biāo)簽:三極管MOS管電子開關(guān) 1.0萬 0
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