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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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講一下失效分析中最常用的輔助實(shí)驗(yàn)手段:亮點(diǎn)分析(EMMI)
EMMI:Emission microscopy 。與SEM,F(xiàn)IB,EB等一起作為最常用的失效分析手段。
作為一名硬件工程師,自然經(jīng)常與各種芯片打交道,可能有的同學(xué)對芯片的內(nèi)部并不是很了解,不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面,按照推...
2022-08-29 標(biāo)簽:芯片pcbIC設(shè)計(jì) 9.5k 0
淺談電源適配器的四大優(yōu)點(diǎn)以及三大注意事項(xiàng)
關(guān)于電源適配器,在我們生活中各種電器都有著應(yīng)用,這是一個能為電子電器以及隨身電子設(shè)備提供電壓變換的設(shè)施,它能做到將家中的220伏的高電壓轉(zhuǎn)換成一般電子產(chǎn)...
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
如圖,MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs,Cgd,Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
LED串聯(lián)電阻阻值的計(jì)算:例如電源為5V,一個LED正常工作時(shí)的電壓為2v電流為20mA。要想使LED正常工作,需要串聯(lián)的電阻分壓5-2=3V,由于串聯(lián)...
大功率MOS管開關(guān)電路實(shí)例應(yīng)用電路分析
電子元件及產(chǎn)品在什么情況下會遭受靜電破壞?可以這么說:電子產(chǎn)品從生產(chǎn)到使用的全過程都遭受靜電破壞的威脅。從器件制造到插件裝焊、整機(jī)裝聯(lián)、包裝運(yùn)輸直至產(chǎn)品...
2023-04-04 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電源場效應(yīng)管 9.3k 0
MOS管的米勒效應(yīng):如何平衡抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)系
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng),已經(jīng)輸出了8篇,今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇,下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個人認(rèn)為今天聊的這個話題至關(guān)重要:抑制米勒...
MOS管驅(qū)動電路設(shè)計(jì)工作原理及問題總結(jié)
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
貼片MOS管的引腳可以通過查看其封裝形狀來判斷。一般來說,貼片MOS管的引腳分別為源極(S)、漏極(D)和控制極(G)。源極和漏極的位置可以通過查看封裝...
MOS管擴(kuò)流穩(wěn)壓電路、其主要作用是將輸入的低壓直流信號轉(zhuǎn)換為高壓、大功率的脈沖信號。這種電路具有結(jié)構(gòu)簡單、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此在電力電子技術(shù)...
經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀(199)
本文著重介紹了電源中保護(hù)電路設(shè)計(jì)過程,利用場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻作為檢測電阻,監(jiān)視它的電壓降,當(dāng)電壓降超過設(shè)定值時(shí)就停止放電。在一般的情況下,電路中一般還加...
分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得
將不確定的信號通過一個電阻鉗位在高電平,維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。
2022-07-06 標(biāo)簽:單片機(jī)運(yùn)算放大器MOS管 9.1k 1
通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式,各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。由于輸入電壓高,電源電路中又存在用...
2022-10-25 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管緩啟動電路 9.1k 0
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