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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實(shí)現(xiàn)承諾的效率增益
互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰(shuí)首先創(chuàng)造了“無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞,但它一定是在異想天開(kāi)和靈感的時(shí)刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中,該電路可以實(shí)現(xiàn)功率...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
在上一篇文章中,對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 679 0
電源管理芯片U6620S為產(chǎn)品品質(zhì)加持
睡眠儀是一種緩解焦慮、輔助治療失眠物理療法,安全、非侵入性、非藥物,沒(méi)有局限性和副作用,而且適用的人群更為廣泛,是現(xiàn)下正火熱的智能電子產(chǎn)品。
兼容JW5017S 30V/1A 1.4MHz同步降壓轉(zhuǎn)換IC
該RY8310是一種高頻,同步,整流,降壓,開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個(gè)非常緊湊的解決方案,可在寬的輸入電源范圍內(nèi)提供1A的連續(xù)電...
2024-06-24 標(biāo)簽:MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換IC 676 0
隨著云計(jì)算的概念越來(lái)越流行,數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn),最終開(kāi)始以更快的速度增長(zhǎng)。 它們已成為最大和最快的能源消耗來(lái)源,而 UPS(不間斷電源...
隨著科技的飛速發(fā)展,智能穿戴產(chǎn)品已成為現(xiàn)代生活的必須。在這個(gè)追求個(gè)性與便捷的時(shí)代,仁懋電子憑借其高性能的MOSFET產(chǎn)品,為智能穿戴市場(chǎng)注入動(dòng)力。今天,...
安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
如今,數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 671 0
現(xiàn)代家長(zhǎng)都希望自己的孩子能夠贏在起跑線上,為未來(lái)的學(xué)習(xí)和事業(yè)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。幼兒?jiǎn)⒚裳b備市場(chǎng)早已興起,互動(dòng)、點(diǎn)讀、故事、音樂(lè)、語(yǔ)數(shù)英教育為一身的認(rèn)讀機(jī)、...
電池電壓一般是在12V以下,我們就將其看作12V。19V電源呢,我們也可以當(dāng)作一個(gè)大電池,那么一個(gè)19V的電池和一一個(gè)12V的電池如下相連,導(dǎo)線中電...
仁懋MOSFET在工業(yè)電焊機(jī)上的應(yīng)用
在現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域,電焊機(jī)作為不可或缺的工具之一,其性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。仁懋電子有限公司,作為一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體功率器件智能智造的高新技術(shù)企業(yè)...
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
新能源汽車(chē)功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
LM5022系列 6-60V 寬輸入電壓、電流模式升壓、SEPIC 和反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5022 器件是一款高電壓、低側(cè)、N 溝道 MOSFET 控制器,非常適合用于升壓和 SEPIC 穩(wěn)壓器。它包含實(shí)現(xiàn)單端主拓?fù)渌璧乃泄δ?。輸出?..
一種軟件可配置的SiC MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)方法
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員必須首先抵消其更快的開(kāi)關(guān)速度帶來(lái)的不...
2024-04-28 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 662 0
門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)...
2024-05-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 661 0
SiC MOSFET在電動(dòng)汽車(chē)中的應(yīng)用問(wèn)題
電動(dòng)汽車(chē)中可能用到SiC MOSFET的主要汽車(chē)電子零部件包括車(chē)載充電機(jī)、車(chē)載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
2024-09-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFETSiC 658 0
優(yōu)恩半導(dǎo)體MOSFET固態(tài)繼電器介紹
Relay繼電器作為一種可控開(kāi)關(guān),它能夠根據(jù)輸入信號(hào)的變化將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為能夠驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的強(qiáng)電信號(hào),自動(dòng)地接通或斷開(kāi)電路,實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離控制和自動(dòng)化操作。
2024-12-31 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器浪涌保護(hù) 657 0
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